Рассмотрено возникновение нового типа электронных возбуждений в гетероструктурах с полупроводниковыми и диэлектрическими квантовыми точками - экситонов, образованных пространственно разделенными электронами и дырками. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи такого экситона (дырка движется в объеме квантовой точки, а электрон локализован над сферической поверхностью раздела квантовая точка-матрица) в наносистемах, содержащих полупроводниковые и диэлектрические квантовые точки, по сравнению с энергией связи экситона в полупроводниковых и диэлектрических монокристаллах.
The appearance of a new type of electronic excitations in heterostructures with semiconductor and dielectric quantum dots - excitons formed by spatially separated electrons and holes - was considered. In the heterostructures containing semiconductor and dielectric quantum dots, the effect of a substantial increase in the binding energy of such exciton was observed (a hole moves in the volume of a quantum dot, and an electron is localized over a spherical interface between a quantum dot and matrix) in comparison with the exciton binding energy in semiconductor and dielectric monocrystals.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.