zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-1029Research ArticleVII. СПЕКТРОСКОПИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ И ЖИДКОСТЕЙSPECTROSCOPY OF SOLIDSСПЕКТРЫ НАРУШЕННОГО ПОЛНОГО ВНУТРЕННЕГО ОТРАЖЕНИЯ АЗОТИРОВАННЫХ СТРУКТУР SiO2/SiПросоловичВладислав Савельевич

заведующий научно-исследовательской лабораторией спектроскопии полупроводников кафедры физики полупроводников и наноэлектроники

prosolovich@bsu.byБелорусский государственный университетBelarus2022161220228941029Copyright © Просолович В.С., 20222022Просолович В.С.Просолович В.С.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/1029

Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной масс-спектрометрии вторичных ионов (TOF-SIMS) изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850 oС в атмосфере влажного кислорода, вводился имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2,5‧1014 и 1,0‧1015 см-2 с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1000 oС либо 1050 oС длительностью 15 с на воздухе. Азотирование части образцов осуществлялось при термическом отжиге в атмосфере азота с добавлением малого количества кислорода при температуре 1200 oС в течении 120 минут. Установлено, что при проведении термообработок основная часть атомов азота диффундирует к границе раздела SiО2/Si и накапливается в приграничной области оксида. В спектрах НПВО наблюдалась полоса поглощения с двумя максимумами при ~ 2320 и 2360 см-1, которая, вероятно, обусловлена колебаниями двойных кумулятивных связей типа О=Si=N−. Формирование данных связей обусловлено взаимодействием азота с оборванными связями на границе раздела кремний-диэлектрик, вследствие чего не скомпенсированные или напряженные связи заменяются на более устойчивые.

подзатворный диэлектрикионная имплантациятермообработканарушенное полное внутреннее отражениеБелорусский государственный университет, Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»ReferencesB.J. Baliga. . Advanced power MOSFET concepts, Springer Science & Business Media, (2010)B.J. Baliga. . Advanced power MOSFET concepts, Springer Science & Business Media, (2010)В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, В.А. Филипеня, В.В. Черный, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский, В.А. Дубровский. Весці НАНБ, Сер. фіз.-тэх. навук., № 4. (2014) 4−17В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, В.А. Филипеня, В.В. Черный, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский, В.А. Дубровский. Весці НАНБ, Сер. фіз.-тэх. навук., № 4. (2014) 4−17J. A. Diniz, P. J. Tatsch, L. C. Kretly, J. E. C. Queiroz., Fo. J. Godoy. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 396 (1996) 249−254J. A. Diniz, P. J. Tatsch, L. C. Kretly, J. E. C. Queiroz., Fo. J. Godoy. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 396 (1996) 249−254L.S. Adam, C. Bowen, M.E. Law. IEEE Transactions on Electron Devices. 50, N 3 (2003)L.S. Adam, C. Bowen, M.E. Law. IEEE Transactions on Electron Devices. 50, N 3 (2003)–600–600Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. М., ТЕХНОСФЕРА.(2011)Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. М., ТЕХНОСФЕРА.(2011)M.Milosevic. M., Milosevic. John Wiley & Sons, 176 (2012) 244M.Milosevic. M., Milosevic. John Wiley & Sons, 176 (2012) 244Y. Nishi, R. Doering. Handbook of semiconductor manufacturing technology. Воса Raton: CRC press, (2008)Y. Nishi, R. Doering. Handbook of semiconductor manufacturing technology. Воса Raton: CRC press, (2008)Д.И. Бринкевич, С.Д. Бринкевич, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович. Микроэлектроника, 50, № 4(2021)274−280 [D.I. Brinkevich, S.D. Brinkevich, A.N. Petlitsky, V.S. Prosolovich. Russian Microelectronics, 50, № 4(2021)239–245]Д.И. Бринкевич, С.Д. Бринкевич, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович. Микроэлектроника, 50, № 4(2021)274−280 [D.I. Brinkevich, S.D. Brinkevich, A.N. Petlitsky, V.S. Prosolovich. Russian Microelectronics, 50, № 4(2021)239–245]Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Журнал прикладной спектроскопии, 46, № 2(1987) 305−307Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Журнал прикладной спектроскопии, 46, № 2(1987) 305−307В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, J.L. Lindström, M. Suezawa. Физика и техника полупроводников, 34, вып. 9(2000)1039−1045В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, J.L. Lindström, M. Suezawa. Физика и техника полупроводников, 34, вып. 9(2000)1039−1045А.Г. Паулиш, А.К. Дмитриев, А.В. Гельфанд, С.М. Пыргаева. Автометрия, 55,А.Г. Паулиш, А.К. Дмитриев, А.В. Гельфанд, С.М. Пыргаева. Автометрия, 55,№ 5(2019) 101−106№ 5(2019) 101−106А.А. Намакшинас, О.Д. Хорозова, В.В. Сахаров. Успехи в химии и химическойА.А. Намакшинас, О.Д. Хорозова, В.В. Сахаров. Успехи в химии и химическойтехнологии, 30, № 7(2016)74−76технологии, 30, № 7(2016)74−76Д.И. Бринкевич, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович. Микроэлектроника, 40, № 4(2011) 309−312 [D.I. Brinkevich, V.B. Odzhaev, A.N. Petliskii, V.S. Prosolovich. Russian Microelectronics, 40, № 4(2011)290−293]Д.И. Бринкевич, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович. Микроэлектроника, 40, № 4(2011) 309−312 [D.I. Brinkevich, V.B. Odzhaev, A.N. Petliskii, V.S. Prosolovich. Russian Microelectronics, 40, № 4(2011)290−293]Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, М., Мир, (1973)Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, М., Мир, (1973)В.И. Бачурин, П.А. Лепшин, В.К. Смирнов, А.Б. Чурилов. Письма в ЖТФ, 24, № 6 (1998) 18−23В.И. Бачурин, П.А. Лепшин, В.К. Смирнов, А.Б. Чурилов. Письма в ЖТФ, 24, № 6 (1998) 18−23Б.Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, М., МГУ (2012)Б.Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, М., МГУ (2012)Б.И. Селезнев, Д.Г. Федоров. Вестник Новгородского государственного университета, №5(103), (2017) 114–118Б.И. Селезнев, Д.Г. Федоров. Вестник Новгородского государственного университета, №5(103), (2017) 114–118M.Tajima, T. Masui, T. Abe, T. Jap. J. Appl. Phys., 20, N 6 (1981)L423–L425M.Tajima, T. Masui, T. Abe, T. Jap. J. Appl. Phys., 20, N 6 (1981)L423–L425M.W. Qi, S.S. Tan, B. Zhu, P.X. Cai, W.F. Gu, X.M. Xu, T.S. Shi, D.L. Que, L.B. Li.M.W. Qi, S.S. Tan, B. Zhu, P.X. Cai, W.F. Gu, X.M. Xu, T.S. Shi, D.L. Que, L.B. Li.J. Appl. Phys., 69, N 6 (1991)3775–3777J. Appl. Phys., 69, N 6 (1991)3775–3777Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, № 8 (1994) 655–672Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, № 8 (1994) 655–672В.Б. Оджаев, А.К. Панфиленко, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, Н.С.В.Б. Оджаев, А.К. Панфиленко, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, Н.С.Ковальчук, Я.А. Соловьев, В.А. Филипеня, Д.В. Шестовскийй. ЖурналКовальчук, Я.А. Соловьев, В.А. Филипеня, Д.В. Шестовскийй. ЖурналБелорусского государственного университета. Физика, №3 (2020) 55–64Белорусского государственного университета. Физика, №3 (2020) 55–64В.А. Гриценко. Успехи физических наук, 179, № 9 (2009) 921–930В.А. Гриценко. Успехи физических наук, 179, № 9 (2009) 921–930

The authors declare that there are no conflicts of interest present.