<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">zhps</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Журнал прикладной спектроскопии</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0514-7506</issn><publisher><publisher-name>B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.47612/0514-7506-2022-89-3-410-418</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">zhps-1061</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Контроль чистоты поверхности оптических элементов эллипсометрическим методом</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Control of the Optical Surface Purity of the Elements by the Ellipsometric Method</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Филин</surname><given-names>С. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Filin</surname><given-names>S. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Москва</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Moscow</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Рогалин</surname><given-names>В. Е.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Rogalin</surname><given-names>V. E.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Санкт-Петербург</p></bio><bio xml:lang="en"><p>St. Petersburg</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Каплунов</surname><given-names>И. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kaplunov</surname><given-names>I. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Тверь</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Tver</p></bio><email xlink:type="simple">kaplunov.ia@tversu.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Plekhanov Russian University of Economics</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт электрофизики и электроэнергетики Российской АН</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Institute of Electrophysics and Electric Power of the Russian Academy of Sciences</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru"><institution>Тверской государственный университет</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Tver State University</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2022</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>26</day><month>05</month><year>2022</year></pub-date><volume>89</volume><issue>3</issue><fpage>410</fpage><lpage>418</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Филин С.А., Рогалин В.Е., Каплунов И.А., 2022</copyright-statement><copyright-year>2022</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Филин С.А., Рогалин В.Е., Каплунов И.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Filin S.A., Rogalin V.E., Kaplunov I.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/1061">https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/1061</self-uri><abstract><p>Проанализирована возможность контроля химической чистоты поверхности оптических элементов эллипсометрическим методом. Приведено обоснование возможности измерения параметров загрязняющих пленок на оптической поверхности элементов эллипсометрическим методом. Показано упрощение процесса определения толщины загрязняющей пленки при расширении возможности ее измерения на оптическом элементе из разных материалов. Выполнены эллипсометрические исследования свежеполированных и побывавших в эксплуатации металлических зеркал из меди и сплава меди (циркониевой бронзы), алюминия и его сплавов АМГ-6, АЛ-9, АЛ-24. Проведены исследования на элементах из оптических стекол К-8 и К-108 (ГОСТ 3514-94) — наиболее типичных материалов, используемых для изготовления оптических деталей для лазерной техники видимого и ближнего ИК-диапазона, из монокристаллов NaCl, BaF2 и сапфира (Al2O3); измерены параметры загрязняющих пленок на поверхности данных элементов. Установлено, что метод эллипсометрии целесообразно использовать при входном (перед проведением физико-химической очистки) и выходном (после очистки) контроле оптического элемента для оценки загрязненности оптической поверхности, а также для количественного анализа концентрации загрязнений на оптической поверхности элементов при отработке технологии их физико-химической очистки.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The possibility of controlling the chemical purity of the surface of optical elements by the ellipsometric method has been analyzed. The rationale of the possibility of measuring the parameters of contaminating films on the optical surface of elements by the ellipsometric method has been given simplification has been shown of the process of determining the thickness of the contaminating film while expanding the possibility of its measurement on an optical element made of different materials. Ellipsometric studies of freshly polished and used metal mirrors made of copper and copper alloy (zirconium bronze), aluminum and its alloys AMG-6, AL-9, AL-24 have been carried out. Research has also been conducted on elements made of K-8 and K-108 (State Standard 3514-94) optical glasses, which are the most typical materials used for manufacture of optical parts for laser technique of visible and near IR-range, from single crystals of NaCl, BaF2 and sapphire (Al2O3). Parameters of contaminating films on the surface of these elements have been measured. It has been concluded that it is advisable to use the ellipsometry method during the input (before carrying out physicochemical cleaning) and during the output (after cleaning) control of the optical element to assess the contamination of the optical surface and also for the quantitative analysis of the concentration of contaminants on the optical surface of the elements while working off the technology of their physicochemical cleaning.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>эллипсометрия</kwd><kwd>оптическая поверхность</kwd><kwd>загрязнения</kwd><kwd>физико-химическая очистка</kwd><kwd>количественный анализ</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>ellipsometry</kwd><kwd>optical surface</kwd><kwd>contamination</kwd><kwd>physical and chemical cleaning</kwd><kwd>quantitative analysis</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. Е. Рогалин, И. А. Каплунов. Изв. Сочинского гос. ун-та, 4-2(28) (2013) 120—127</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. Е. Рогалин, И. А. Каплунов. Изв. Сочинского гос. ун-та, 4-2(28) (2013) 120—127</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Б. И. Макшанцев, Р. Е. Ровинский, В. Е. Рогалин. Квант. электрон., 12, 1 (1985) 22—28 [B. I. Makshantsev, R. E. Rovinskiĭ, V. E. Rogalin. Sov. J. Quantum Electron., 15, N 1 (1985) 10—14], doi: 10.1070/QE1985v015n01ABEH005834</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Б. И. Макшанцев, Р. Е. Ровинский, В. Е. Рогалин. Квант. электрон., 12, 1 (1985) 22—28 [B. I. Makshantsev, R. E. Rovinskiĭ, V. E. Rogalin. Sov. J. Quantum Electron., 15, N 1 (1985) 10—14], doi: 10.1070/QE1985v015n01ABEH005834</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">И. А. Каплунов, В. Е. Рогалин, С. А. Филин. Цветные металлы, 7 (2014) 72—75 [I. A. Kaplunov, V. E. Rogalin, S. A. Filin. Non-Ferrous Metals, 1 (2015) 29—31], doi: 10.17580/nfm.2015.01.07</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">И. А. Каплунов, В. Е. Рогалин, С. А. Филин. Цветные металлы, 7 (2014) 72—75 [I. A. Kaplunov, V. E. Rogalin, S. A. Filin. Non-Ferrous Metals, 1 (2015) 29—31], doi: 10.17580/nfm.2015.01.07</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">S. A. Filin, V. E. Rogalin, I. A. Kaplunov, K. M. Zingerman. AIP Conf. Proc., 1915 (2017) 040016, doi: 10.1063/1.5017364</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">S. A. Filin, V. E. Rogalin, I. A. Kaplunov, K. M. Zingerman. AIP Conf. Proc., 1915 (2017) 040016, doi: 10.1063/1.5017364</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. И. Иванов. Науковедение, 4, № 23 (2014) 87</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. И. Иванов. Науковедение, 4, № 23 (2014) 87</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ю. В. Архипов, И. Н. Белашков, Н. П. Дацкевич, В. Н. Егоров, А. Ф. Изюмов, Н. В. Карлов, В. И. Конов, Н. Н. Кононов, Г. П. Кузьмин, А. А. Нестеренко, Н. И. Чаплиев. Квант. электрон., 13, № 1 (1986) 103—109 [Yu. V. Arkhipov, I. N. Belashkov, N. P. Datskevich, V. N. Egorov, A. F. Izyumov, N. V. Karlov, V. I. Konov, N. N. Kononov, G. P. Kuz’min, A. A. Nesterenko, N. I. Chapliev. Sov. J. Quantum Electron., 16, N 1 (1986) 63—67]</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ю. В. Архипов, И. Н. Белашков, Н. П. Дацкевич, В. Н. Егоров, А. Ф. Изюмов, Н. В. Карлов, В. И. Конов, Н. Н. Кононов, Г. П. Кузьмин, А. А. Нестеренко, Н. И. Чаплиев. Квант. электрон., 13, № 1 (1986) 103—109 [Yu. V. Arkhipov, I. N. Belashkov, N. P. Datskevich, V. N. Egorov, A. F. Izyumov, N. V. Karlov, V. I. Konov, N. N. Kononov, G. P. Kuz’min, A. A. Nesterenko, N. I. Chapliev. Sov. J. Quantum Electron., 16, N 1 (1986) 63—67]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Г. М. Мансуров, P. K. Мамедов, A. C. Сударушкин, В. К. Сидорин, К. К. Сидорин, В. И. Пшеницын, В. М. Золотарев. Опт. и спектр., 52, № 5 (1982) 852—857</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Г. М. Мансуров, P. K. Мамедов, A. C. Сударушкин, В. К. Сидорин, К. К. Сидорин, В. И. Пшеницын, В. М. Золотарев. Опт. и спектр., 52, № 5 (1982) 852—857</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. П. Ящерицын, А. К. Цокур, М. Л. Еременко. Тепловые явления при шлифовании и свойства обработанных поверхностей, Минск, Наука и техника (1973) 88—102</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. П. Ящерицын, А. К. Цокур, М. Л. Еременко. Тепловые явления при шлифовании и свойства обработанных поверхностей, Минск, Наука и техника (1973) 88—102</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">М. К. Адам. Физика и химия поверхностей, Москва, ОГИЗ (1947) 50—110</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">М. К. Адам. Физика и химия поверхностей, Москва, ОГИЗ (1947) 50—110</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. П. Семенов. Трение и контактное воздействие графита и алмаза с металлами и сплавами, Москва, Наука (1974) 125—128</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. П. Семенов. Трение и контактное воздействие графита и алмаза с металлами и сплавами, Москва, Наука (1974) 125—128</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">С. П. Русин. Теплофизика и аэромеханика, 19, № 5 (2012) 643—654</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">С. П. Русин. Теплофизика и аэромеханика, 19, № 5 (2012) 643—654</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Аполлонов, Ю. М. Васьковский, М. И. Жаворонков, А. М. Прохоров, Р. Е. Ровинский, В. Е. Рогалин, Н. Д. Устинов, К. Н. Фирсов, И. С. Ценина, В. А. Ямщиков. Квант. электрон., 12, № 1 (1985) 5—9 [V. V. Apollonov, Yu. M. Vas’kovskiĭ, M. I. Zhavoronkov, A. M. Prokhorov, R. E. Rovinskiĭ, V. E. Rogalin, N. D. Ustinov, K. N. Firsov, I. S. Tsenina, V. A. Yamshchikov. Sov. J. Quantum Electron., 15, N 1 (1985) 1—3], doi: 10.1070/QE1985v015n01ABEH005831</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Аполлонов, Ю. М. Васьковский, М. И. Жаворонков, А. М. Прохоров, Р. Е. Ровинский, В. Е. Рогалин, Н. Д. Устинов, К. Н. Фирсов, И. С. Ценина, В. А. Ямщиков. Квант. электрон., 12, № 1 (1985) 5—9 [V. V. Apollonov, Yu. M. Vas’kovskiĭ, M. I. Zhavoronkov, A. M. Prokhorov, R. E. Rovinskiĭ, V. E. Rogalin, N. D. Ustinov, K. N. Firsov, I. S. Tsenina, V. A. Yamshchikov. Sov. J. Quantum Electron., 15, N 1 (1985) 1—3], doi: 10.1070/QE1985v015n01ABEH005831</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">И. Е. Скалецкая, В. Т. Прокопенко, Е. К. Скалецкий. Введение в прикладную эллипсометрию, СПб, НИУ ИТМО (2014) 28—66</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">И. Е. Скалецкая, В. Т. Прокопенко, Е. К. Скалецкий. Введение в прикладную эллипсометрию, СПб, НИУ ИТМО (2014) 28—66</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. И. Семененко, И. А. Семененко. Науч. приборостроение, 17, № 3 (2007) 54—64</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. И. Семененко, И. А. Семененко. Науч. приборостроение, 17, № 3 (2007) 54—64</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. И. Семененко, И. А. Семененко. Науч. приборостроение, 17, № 4 (2007) 42—54</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. И. Семененко, И. А. Семененко. Науч. приборостроение, 17, № 4 (2007) 42—54</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. Т. Прокопенко, Е. К. Скалецкий, Л. В. Лапушкина, О. В. Майорова, И. Е. Скалецкая, Е. Е. Орлова. Науч.-техн. вестн. Санкт-Петербург. гос. ун-та информ. технол., механ. и оптики, 18 (2005) 107—109</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. Т. Прокопенко, Е. К. Скалецкий, Л. В. Лапушкина, О. В. Майорова, И. Е. Скалецкая, Е. Е. Орлова. Науч.-техн. вестн. Санкт-Петербург. гос. ун-та информ. технол., механ. и оптики, 18 (2005) 107—109</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. И. Ковалев, А. И. Руковишников, Н. М. Россуканый, С. В. Ковалев, В. В. Ковалев, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, Е. П. Орлов. Приборы и техн. эксперимента, 5 (2016) 87—91</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. И. Ковалев, А. И. Руковишников, Н. М. Россуканый, С. В. Ковалев, В. В. Ковалев, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, Е. П. Орлов. Приборы и техн. эксперимента, 5 (2016) 87—91</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. М. Штеренберг, Ю. В. Великанова. Эллипсометрия, Самара, Самар. гос. техн. ун-т (2012) 28—30</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. М. Штеренберг, Ю. В. Великанова. Эллипсометрия, Самара, Самар. гос. техн. ун-т (2012) 28—30</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">И. Г. Бурыкин, Л. П. Воробьева, В. В. Грушецкий, Э. Е. Дагман, Р. И. Любинская, Г. А. Сапрыкина, К. К. Свиташев, А. И. Семененко, Л. В. Семененко. Алгоритмы и программы для решения некоторых задач эллипсометрии, под ред. А. В. Ржанова, Новосибирск, Наука, Сиб. отд-е (1980) 40—55</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">И. Г. Бурыкин, Л. П. Воробьева, В. В. Грушецкий, Э. Е. Дагман, Р. И. Любинская, Г. А. Сапрыкина, К. К. Свиташев, А. И. Семененко, Л. В. Семененко. Алгоритмы и программы для решения некоторых задач эллипсометрии, под ред. А. В. Ржанова, Новосибирск, Наука, Сиб. отд-е (1980) 40—55</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">B. C. Стащук, В. И. Шкураг. В кн. “Эллипсометрия — метод исследования поверхности”, Новосибирск, Наука (1983) 35—40</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">B. C. Стащук, В. И. Шкураг. В кн. “Эллипсометрия — метод исследования поверхности”, Новосибирск, Наука (1983) 35—40</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit21"><label>21</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">H. Jiang, Z. Ma, H. Gu, X. Chen, S. Liu. Appl. Sci., 9, N 4 (2019) 698, doi: 10.3390/app9040698</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">H. Jiang, Z. Ma, H. Gu, X. Chen, S. Liu. Appl. Sci., 9, N 4 (2019) 698, doi: 10.3390/app9040698</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit22"><label>22</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">J. Bousquet, E. Bustarret, D. Eon, F. Jomard. Diamond Related Mater., 86 (2018) 41—46, doi: 10.1016/j.diamond.2018.04.009</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">J. Bousquet, E. Bustarret, D. Eon, F. Jomard. Diamond Related Mater., 86 (2018) 41—46, doi: 10.1016/j.diamond.2018.04.009</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit23"><label>23</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Базаров, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, Н. М. Лядов. Жур. прикл. спектр., 86, № 1 (2019) 151—154 [V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, N. M. Lyadov. J. Appl. Spectr., 86, N 1 (2019) 134—137], doi: 10.1007/s10812-019-00793-6</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Базаров, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, Н. М. Лядов. Жур. прикл. спектр., 86, № 1 (2019) 151—154 [V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, N. M. Lyadov. J. Appl. Spectr., 86, N 1 (2019) 134—137], doi: 10.1007/s10812-019-00793-6</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit24"><label>24</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. Н. Кручинин, В. А. Володин, Т. В. Перевалов, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко. Опт. и спектр., 124, № 6 (2018) 777—782, doi: 10.21883/OS.2018.06.46080.39-18 [V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, T. V. Perevalov, A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko. Opt. Spectrosc., 124 (2018) 808—813], doi: 10.1134/S0030400X18060140</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. Н. Кручинин, В. А. Володин, Т. В. Перевалов, А. К. Герасимова, В. Ш. Алиев, В. А. Гриценко. Опт. и спектр., 124, № 6 (2018) 777—782, doi: 10.21883/OS.2018.06.46080.39-18 [V. N. Kruchinin, V. A. Volodin, T. V. Perevalov, A. K. Gerasimova, V. Sh. Aliev, V. A. Gritsenko. Opt. Spectrosc., 124 (2018) 808—813], doi: 10.1134/S0030400X18060140</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit25"><label>25</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">F. Lyzwa, P. Marsik, V. Roddatis, C. Bernhard, M. Jungbauer, V. Moshnyaga. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, N 12 (2018) 125306, doi: 10.1088/1361-6463/aaac64</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">F. Lyzwa, P. Marsik, V. Roddatis, C. Bernhard, M. Jungbauer, V. Moshnyaga. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, N 12 (2018) 125306, doi: 10.1088/1361-6463/aaac64</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit26"><label>26</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">N. Farid, N. Mahmoud, N. J. Nagib. J. Opt., 47 (2018) 366—373, doi: 10.1007/s12596-018-0455-0</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">N. Farid, N. Mahmoud, N. J. Nagib. J. Opt., 47 (2018) 366—373, doi: 10.1007/s12596-018-0455-0</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit27"><label>27</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">A. Furchner, C. Walder, K. Hinrichs, M. Zellmeier, J. Rappich. Appl. Opt., 57, N 27 (2018) 7895—7904, doi: 10.1364/AO.57.007895</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">A. Furchner, C. Walder, K. Hinrichs, M. Zellmeier, J. Rappich. Appl. Opt., 57, N 27 (2018) 7895—7904, doi: 10.1364/AO.57.007895</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit28"><label>28</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">M. B. Bouzourâa, Y. Battie, S. Dalmasso, A. En Naciri, M. Oueslati, M. A. Zaïbi. Superlattices Microstruct., 117 (2018) 457—468, doi: 10.1016/j.spmi.2018.03.078</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">M. B. Bouzourâa, Y. Battie, S. Dalmasso, A. En Naciri, M. Oueslati, M. A. Zaïbi. Superlattices Microstruct., 117 (2018) 457—468, doi: 10.1016/j.spmi.2018.03.078</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit29"><label>29</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">X.-D. Zhu, R.-J. Zhang, Y.-X. Zheng, S.-Y. Wang, L.-Y. Chen. Chin. Opt., 12, N 6 (2019) 1195—1234, doi: 10.3788/CO.20191206.1195</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">X.-D. Zhu, R.-J. Zhang, Y.-X. Zheng, S.-Y. Wang, L.-Y. Chen. Chin. Opt., 12, N 6 (2019) 1195—1234, doi: 10.3788/CO.20191206.1195</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit30"><label>30</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">G. A. Ermolaev, D. I. Yakubovsky, Y. V. Stebunov, A. V. Arsenin, V. S. Volkov. J. Vac. Sci. Technol. B: Nanotechnol. Microelectron., 38, N 1 (2020) 014002, doi: 10.1116/1.5122683</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">G. A. Ermolaev, D. I. Yakubovsky, Y. V. Stebunov, A. V. Arsenin, V. S. Volkov. J. Vac. Sci. Technol. B: Nanotechnol. Microelectron., 38, N 1 (2020) 014002, doi: 10.1116/1.5122683</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit31"><label>31</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">S. Zollner, P. P. Paradis, F. Abadizaman, N. S. Samarasingha. J. Vac. Sci. Technol. B: Nanotechnol. Microelectron., 37, N 1 (2019) 012904, doi: 10.1116/1.5081055</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">S. Zollner, P. P. Paradis, F. Abadizaman, N. S. Samarasingha. J. Vac. Sci. Technol. B: Nanotechnol. Microelectron., 37, N 1 (2019) 012904, doi: 10.1116/1.5081055</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit32"><label>32</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. М. Золотарев, К. К. Свиташев, А. И. Семененко. Опт. и спектр., 34, № 5 (1973) 941—946</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. М. Золотарев, К. К. Свиташев, А. И. Семененко. Опт. и спектр., 34, № 5 (1973) 941—946</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit33"><label>33</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Л. Л. Васильева, К. К. Свиташев, А. И. Семененко, Л. В. Семененко, В. К. Соколов. Опт. и спектр., 37, № 3 (1974) 574—581</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Л. Л. Васильева, К. К. Свиташев, А. И. Семененко, Л. В. Семененко, В. К. Соколов. Опт. и спектр., 37, № 3 (1974) 574—581</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit34"><label>34</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. В. Гаврилов, С. А. Бурцев, А. В. Бурмистров. Вестн. Казан. технол. ун-та, 17, № 18 (2014) 183—185</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. В. Гаврилов, С. А. Бурцев, А. В. Бурмистров. Вестн. Казан. технол. ун-та, 17, № 18 (2014) 183—185</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit35"><label>35</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Г. А. Григорьев, Н. К. Золкина, Ю. Ю. Столяров, Г. Р. Аллахвердов. ЖФХ, 75, № 10 (2001) 1843—1845 [G. A. Grigor’ev, N. K. Zolkina, Yu. Yu. Stolyarov, G. R. Allakhverdov. Russ. J. Phys. Chem. A, 75, N 10 (2001) 1688—1690]</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Г. А. Григорьев, Н. К. Золкина, Ю. Ю. Столяров, Г. Р. Аллахвердов. ЖФХ, 75, № 10 (2001) 1843—1845 [G. A. Grigor’ev, N. K. Zolkina, Yu. Yu. Stolyarov, G. R. Allakhverdov. Russ. J. Phys. Chem. A, 75, N 10 (2001) 1688—1690]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit36"><label>36</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">R. E. Cuthrell. The Quantitative Detection of Molecular Layers with the Indium Adhegion Nester. Sandia Laboratories Report SC</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">R. E. Cuthrell. The Quantitative Detection of Molecular Layers with the Indium Adhegion Nester. Sandia Laboratories Report SC</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit37"><label>37</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Климов, А. В. Шостак. Геофизические исследования скважин. Метод радиоактивных изотопов, Краснодар, ФГБОУ ВПО “КубГТУ”, Издательский дом “Юг” (2014) 135—137</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Климов, А. В. Шостак. Геофизические исследования скважин. Метод радиоактивных изотопов, Краснодар, ФГБОУ ВПО “КубГТУ”, Издательский дом “Юг” (2014) 135—137</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit38"><label>38</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. П. Афанасьев, П. В. Афанасьев, И. В. Грехов, Л. А. Делимова, С. П. Ким, Ю. М. Коо, Д. В. Машовец, А. В. Панкрашкин, Я. Парк, А. А. Петров, С. Шин. ФТТ, 48, № 6 (2006) 1130—1134 [V. P. Afanas’ev, P. V. Afanas’ev, I. V. Grekhov, L. A. Delimova, S.-P. Kim, J.-M. Koo, D. V. Mashovets, A. V. Pankrashkin, Y. Park, A. A. Petrov, S. Shin. Phys. Solid State, 48, N 6 (2006) 1200—1204], doi: 10.1134/S1063783406060588</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. П. Афанасьев, П. В. Афанасьев, И. В. Грехов, Л. А. Делимова, С. П. Ким, Ю. М. Коо, Д. В. Машовец, А. В. Панкрашкин, Я. Парк, А. А. Петров, С. Шин. ФТТ, 48, № 6 (2006) 1130—1134 [V. P. Afanas’ev, P. V. Afanas’ev, I. V. Grekhov, L. A. Delimova, S.-P. Kim, J.-M. Koo, D. V. Mashovets, A. V. Pankrashkin, Y. Park, A. A. Petrov, S. Shin. Phys. Solid State, 48, N 6 (2006) 1200—1204], doi: 10.1134/S1063783406060588</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit39"><label>39</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">M. J. Pellin, I. Veryovkin, W. F. Calaway. Изв. РАН. Сер. физ., 70, № 6 (2006) 859—861</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">M. J. Pellin, I. Veryovkin, W. F. Calaway. Изв. РАН. Сер. физ., 70, № 6 (2006) 859—861</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit40"><label>40</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Е. А. Виноградов, В. А. Яковлев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 2 (2018) 51—57, doi: 10.7868/S0207352818020087 [E. A. Vinogradov, V. A. Yakovlev. J. Surf. Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 12, N 1 (2018) 139—144], doi: 10.1134/S1027451018010330</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Е. А. Виноградов, В. А. Яковлев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 2 (2018) 51—57, doi: 10.7868/S0207352818020087 [E. A. Vinogradov, V. A. Yakovlev. J. Surf. Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 12, N 1 (2018) 139—144], doi: 10.1134/S1027451018010330</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit41"><label>41</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. Н. Ишматов, Б. И. Ворожцов. Опт. атм. и океана, 25, № 7 (2012) 653—656</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. Н. Ишматов, Б. И. Ворожцов. Опт. атм. и океана, 25, № 7 (2012) 653—656</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit42"><label>42</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Р. И. Непомнящий, К. Г. Зверев. Контроль и оценка качества очистки поверхности металлов, Москва, Советское радио (1978) 35—40</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Р. И. Непомнящий, К. Г. Зверев. Контроль и оценка качества очистки поверхности металлов, Москва, Советское радио (1978) 35—40</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit43"><label>43</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">E. D. Palik, R. T. Holm. Opt. Eng., 17, N 5 (1978) 512—525</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">E. D. Palik, R. T. Holm. Opt. Eng., 17, N 5 (1978) 512—525</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit44"><label>44</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">S. A. Hawkins, B. Park, G. H. Poole, T. Gottwald, W. R. Windham, K. C. Lawrence. Appl. Spectrosc., 64, N 1 (2010) 100—103</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">S. A. Hawkins, B. Park, G. H. Poole, T. Gottwald, W. R. Windham, K. C. Lawrence. Appl. Spectrosc., 64, N 1 (2010) 100—103</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit45"><label>45</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Р. Р. Резвый. Эллипсометрия в микроэлектронике, Москва, Радио и связь (1983) 26—45</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Р. Р. Резвый. Эллипсометрия в микроэлектронике, Москва, Радио и связь (1983) 26—45</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit46"><label>46</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">О. Е. Осинцев, В. Н. Федоров. Медь и медные сплавы. Отечественные и зарубежные марки. Справочник, Москва, Машиностроение (2004) 33—39</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">О. Е. Осинцев, В. Н. Федоров. Медь и медные сплавы. Отечественные и зарубежные марки. Справочник, Москва, Машиностроение (2004) 33—39</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit47"><label>47</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. А. Шибков, А. Е. Золотов. Кристаллография, 56, № 1 (2011) 147—154</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. А. Шибков, А. Е. Золотов. Кристаллография, 56, № 1 (2011) 147—154</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit48"><label>48</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">М. А. Окатов. Справочник технолога-оптика, Санкт-Петербург, Политехника (2004) 208—262</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">М. А. Окатов. Справочник технолога-оптика, Санкт-Петербург, Политехника (2004) 208—262</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit49"><label>49</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Э. Я. Гоз, Р. С. Соколова, А. Я. Кузнецов. Опт.-мех. промышленность, 12 (1969)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Э. Я. Гоз, Р. С. Соколова, А. Я. Кузнецов. Опт.-мех. промышленность, 12 (1969)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
