Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения тонких пленок b-Ga2O3, полученных высокочастотным ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона. Методом Аленцева-Фока проведено разложение спектров фотолюминесценции на элементарные составляющие. Рассмотрена природа двух интенсивных полос с максимумами 2.95 и 3.14 эВ, а также двух слабоинтенсивных полос с максимумами 3.90 и 4.25 эВ. Две интенсивные полосы связываются с ассоциатом, обусловленным взаимодействием вакансий кислорода и галлия, слабоинтенсивные - с рекомбинацией экситонов на квантовых ямах, сформированных акцепторными кластерами. Установлено, что постоянная времени затухании для полосы с максимумом 3.14 эВ составляет 105 мкс, а для полосы с максимумом 2.95 эВ - 114 мкс. Близость постоянных времени затухания этих полос подтверждает их связь с общим ассоциатом.
Photoexcitation and photoluminescence spectra of b-Ga2O3 thin films obtained by high-frequency ion-plasmous sputtering in an argon atmosphere were investigated. Luminescence spectra were factorized on ultimate constituents using Alentsev-Fock method. The nature of the two intense bands with maxima at 2.95 and 3.14 eV, as well as two low-intensity bands with maxima at 3.90 and 4.25 eV was discussed. The intense bands were attributed to the associate originating due to the interaction of oxygen and gallium vacancies, low-intensity bands were associated with the recombination of excitons in quantum wells formed by the acceptor clusters. It was found that the damping time constant for the band with a maximum of 3.14 eV is 105 μs, and for the band with a maximum of 2.95 eV - 114 μs. The proximity of the decay time constants of these bands confirms their relationship with the common associate.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.