zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-1232Research ArticleАННОТАЦИИ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ СТАТЕЙABSTRACTS ENGLISH-LANGUAGE ARTICLESСтруктурные, оптические и электрические характеристики золь-гель пленки CdO:Li, изготовленной методом трафаретной печатиStructural, Optical, and Electrical Characterization of Sol-Gel Processed Screen-Printed CdO:Li FilmKumarV.KumarV.

Дели, Газиабад

Delhi NCR Ghaziabad

vipinkumar28@yahoo.co.inKumariR.KumariR.

Дели, Газиабад

Delhi NCR Ghaziabad

SharmaD. K.SharmaD. K.

Дели, Газиабад

Delhi NCR Ghaziabad

SharmaK.SharmaK.

Дели, Газиабад

Delhi NCR Ghaziabad

ShuklaS.ShuklaS.

Дели, Газиабад

Delhi NCR Ghaziabad

AgrwalA.AgrwalA.

Дели, Газиабад

Delhi NCR Ghaziabad

Отделение прикладных наук группы институтов KIETDepartment of Applied Sciences, KIET Group of Institutions202304022023901118118Copyright © Kumar V., Kumari R., Sharma D.K., Sharma K., Shukla S., Agrwal A., 20232023Kumar V., Kumari R., Sharma D.K., Sharma K., Shukla S., Agrwal A.Kumar V., Kumari R., Sharma D.K., Sharma K., Shukla S., Agrwal A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/1232

Пленка оксида кадмия (CdO:Li), легированного литием (2 мас.%), выращена на стеклянной подложке с помощью установки золь-гель трафаретной печати. Рентгенодифрактограмма пленки CdO:Li демонстрирует отражение от плоскостей (111), (200), (220), (311) и (222) кубической фазы CdO. СЭМ-изображения показывают, что пленка состоит из взаимосвязанных и агломерированных зерен неправильной формы. Из спектра диффузного отражения определен прямой переход запрещенной зоны при 2.50 эВ. Показатель преломления пленки изменяется с энергией фотонов и достигает максимального значения (~2.3) при 1.5 эВ. Методом Холла установлено, что пленка обладает проводимостью n-типа с низким удельным сопротивлением ~10–3Ом × см. 

Lithium (2 wt %)-doped cadmium oxide (CdO:Li) film was grown on a glass substrate via a sol-gel processed screen-printing set-up. Through X-ray diffraction, it was demonstrated that the CdO:Li film exhibits reflections from the (111), (200), (220), (311), and (222) CdO cubic phase planes. The SEM image showed irregularly shaped, interconnected, and agglomerated grains on the entire film. The optical diffuse reflection study revealed that the film has a direct transition of the band gap at 2.50 eV. The refractive index of the film varies with photon energy and gains maximum value (~2.3) at 1.5 eV. The electrical attributes of the film were inspected by Hall measurement. It was noticed that the film conveyed n-type conductivity with low resistivity of the order of 10–3 Ω × cm.

золь-гель трафаретная печатьширина запрещенной зоныпоказатель преломленияудельное сопротивлениеsol-gel screen-printingband gaprefractive indexresistivityAll the authors convey their earnest gratitude to the honorable director, KIET Group of Institutions, Dr. (Col) Amik K. Garg, for the motivation to realize this research work.ReferencesI. A. Tambasov, M. N. Volochaev, A. S. Voronin, N. P. Evsevskaya, A. N. Masyugin, A. S. Aleksandrovskil, T. E. Smolyarova, I. V. Nemtsev, S. A. Lyashchenko, G. N. Bondarenko, E. V. Tambasova, Phys. Solid State, 61, 1904–1909 (2019).I. A. Tambasov, M. N. Volochaev, A. S. Voronin, N. P. Evsevskaya, A. N. Masyugin, A. S. Aleksandrovskil, T. E. Smolyarova, I. V. Nemtsev, S. A. Lyashchenko, G. N. Bondarenko, E. V. Tambasova, Phys. Solid State, 61, 1904–1909 (2019).S. Ilican, M. Cagler, Y. Cagler, F. Yakuphanoglu, Optoelectron. Adv. Mater. Rapid Commun., 3, 135–140 (2009).S. Ilican, M. Cagler, Y. Cagler, F. Yakuphanoglu, Optoelectron. Adv. Mater. Rapid Commun., 3, 135–140 (2009).R. Kumari, P. Singh, V. Kumar, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 29, 8989–8994 (2018).R. Kumari, P. Singh, V. Kumar, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 29, 8989–8994 (2018).A. A. Dakhel, Solid State Sci., 13, 1000–1005 (2011).A. A. Dakhel, Solid State Sci., 13, 1000–1005 (2011).P. Velusamy, R. Rameshbabu, K. Ramamurthi, AIP Conf. Proc., 1731, 080022 (2015).P. Velusamy, R. Rameshbabu, K. Ramamurthi, AIP Conf. Proc., 1731, 080022 (2015).R. Kumari, V. Kumar, J. Solgel Sci. Technol., 94, 648–657 (2020).R. Kumari, V. Kumar, J. Solgel Sci. Technol., 94, 648–657 (2020).N. N. Jandow, M. S. Othman, N. F. Habubi, S. S. Chiad, K. A. Mishjil, I. A. Al-Baidhany, Mater. Res. Express, 6, 116434 (2019).N. N. Jandow, M. S. Othman, N. F. Habubi, S. S. Chiad, K. A. Mishjil, I. A. Al-Baidhany, Mater. Res. Express, 6, 116434 (2019).T. Ahmad, S. Khatoon, J. Mater. Res., 28, 1245–1253 (2013).T. Ahmad, S. Khatoon, J. Mater. Res., 28, 1245–1253 (2013).R. A. Zargar, S. Chakrabarti, J. M. Shahabuddin, J. Kumar, M. Arora, A. K. Hafiz, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 26, 10027–10033 (2015).R. A. Zargar, S. Chakrabarti, J. M. Shahabuddin, J. Kumar, M. Arora, A. K. Hafiz, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 26, 10027–10033 (2015).K. Usharani, A. R. Balu, V. S. Nagarethinam, Surf. Eng., 32, 829–833 (2016).K. Usharani, A. R. Balu, V. S. Nagarethinam, Surf. Eng., 32, 829–833 (2016).S. Ahmed, M. S. I. Sarkar, M. M. Rahman, M. Kamruzzaman, M. K. R. Khan, Heliyon, 4, e00740 (2018).S. Ahmed, M. S. I. Sarkar, M. M. Rahman, M. Kamruzzaman, M. K. R. Khan, Heliyon, 4, e00740 (2018).Z. Biju, H. Wen, J. Semicond., 34, 053003 (2013).Z. Biju, H. Wen, J. Semicond., 34, 053003 (2013).R. A. Zargar, M. Arora, R. A. Bhat, Appl. Phys. A, 124, 36 (2018).R. A. Zargar, M. Arora, R. A. Bhat, Appl. Phys. A, 124, 36 (2018).M. K. R. Khan, M. A. Rahman, M. Shahjahan, M. M. Rahman, M. A. Hakim, D. K. Saha, J. U. Khan, Curr. Appl. Phys., 10, 790–796 (2010).M. K. R. Khan, M. A. Rahman, M. Shahjahan, M. M. Rahman, M. A. Hakim, D. K. Saha, J. U. Khan, Curr. Appl. Phys., 10, 790–796 (2010).A. A. Dakhel, J. Mater. Sci., 46, 6925–6931 (2011).A. A. Dakhel, J. Mater. Sci., 46, 6925–6931 (2011).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.