<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">zhps</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Журнал прикладной спектроскопии</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0514-7506</issn><publisher><publisher-name>B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">zhps-127</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ТРЕХКОМПОНЕНТНАЯ МОДЕЛЬ ЭФФЕКТИВНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВА СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>A THREE-COMPONENT MODEL OF AN EFFECTIVE MEDIUM FOR DETERMINING THE COMPOSITION OF LAYERS ON SILICON PLATES</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Стаськов</surname><given-names>Н. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Staskov</surname><given-names>N. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">ni_staskov@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Сотская</surname><given-names>Л. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Sotskaya</surname><given-names>L. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Могилевский государственный университет им. А. А. Кулешова</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>A. A. Kuleshov Mogilev State University</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Белорусско-Pоссийский университет</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Belarusian-Russian State University</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>10</day><month>03</month><year>2020</year></pub-date><volume>84</volume><issue>5</issue><fpage>703</fpage><lpage>709</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Стаськов Н.И., Сотская Л.И., 2020</copyright-statement><copyright-year>2020</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Стаськов Н.И., Сотская Л.И.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Staskov N.I., Sotskaya L.I.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/127">https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/127</self-uri><abstract><p>Предлагаемая модель эффективной среды, в которой матричная среда Максвелла-Гарнетта заполнена средой Бруггемана, применена при решении обратных задач многоугловой эллипсометрии для определения состава переходных слоев, окружающих слой термического диоксида кремния на кремниевой подложке. Объемные факторы заполнения слоя корректно отражают возможные структурные превращения при окислении кристаллического кремния.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The proposed model of an effective medium, in which the Maxwell-Garnett matrix medium is filled with the Bruggeman medium, is used in solving inverse problems of multi-angle ellipsometry to determine the composition of the transition layers surrounding the layer of thermal silicon dioxide on a silicon substrate. The volume factors of filling the layer correctly reflect possible structural transformations during the oxidation of crystalline silicon.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>модель эффективной среды</kwd><kwd>многоугловая эллипсометрия</kwd><kwd>слой на подложке</kwd><kwd>переходные слои</kwd><kwd>окисление пластин кремния</kwd><kwd>effective medium model</kwd><kwd>multi-angle ellipsometry</kwd><kwd>substrate layer</kwd><kwd>transition layers</kwd><kwd>oxidation of silicon wafers</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. Н. Тихонов, В. Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач, Москва, Наука (1975)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. Н. Тихонов, В. Я. Арсенин. Методы решения некорректных задач, Москва, Наука (1975)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">http://www.horiba.com/scientific/products/ellipsometers/spectroscopic-ellipsometers/uvisel/uvisel-spectro-scopic-ellipsometer-covering-a-range-from-fuv-to-nir-640/</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">http://www.horiba.com/scientific/products/ellipsometers/spectroscopic-ellipsometers/uvisel/uvisel-spectro-scopic-ellipsometer-covering-a-range-from-fuv-to-nir-640/</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">H. G. Tompkins, E. A. Irene. Handbook of Ellipsometry, William Andrew Publishing &amp; Springer (2005)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">H. G. Tompkins, E. A. Irene. Handbook of Ellipsometry, William Andrew Publishing &amp; Springer (2005)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Е. В. Астрова. ФТП, 33, № 10 (1999) 1264-1270</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Е. В. Астрова. ФТП, 33, № 10 (1999) 1264-1270</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">С. Е. Козик. Неразрушающий контроль и диагностика, № 2 (2015) 67-77</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">С. Е. Козик. Неразрушающий контроль и диагностика, № 2 (2015) 67-77</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Л. А. Головань. УФН, 177, № 6 (2007) 619-638</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Л. А. Головань. УФН, 177, № 6 (2007) 619-638</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">T. E. Benson. J. Electron. Mater., 25, N 6 (1996) 955-964</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">T. E. Benson. J. Electron. Mater., 25, N 6 (1996) 955-964</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">D. E. Aspnes. Thin Solid Films, 89 (1982) 249-262</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">D. E. Aspnes. Thin Solid Films, 89 (1982) 249-262</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Н. И. Стаськов. Проблемы физики, математики и техники, № 2 (15) (2013) 18-24</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Н. И. Стаськов. Проблемы физики, математики и техники, № 2 (15) (2013) 18-24</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Н. И. Стаськов. Проблемы физики, математики и техники, № 4 (25) (2015) 31-37</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Н. И. Стаськов. Проблемы физики, математики и техники, № 4 (25) (2015) 31-37</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. И. Дусь. ФТП, 42, № 11 (2008) 1400-1406</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. И. Дусь. ФТП, 42, № 11 (2008) 1400-1406</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. А. Гриценко. УФН, 179, № 9 (2009) 921-930</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. А. Гриценко. УФН, 179, № 9 (2009) 921-930</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. К. Милославский, Е. Д. Маковецкий, Л. А. Агеев, К. С. Белошенко. Опт. и спектр., 107, № 5 (2009) 854-859</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. К. Милославский, Е. Д. Маковецкий, Л. А. Агеев, К. С. Белошенко. Опт. и спектр., 107, № 5 (2009) 854-859</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">P. H. Roussel, J. Vanhellemont, H. E. Maes. Thin Solid Films, 234 (1993) 423-427</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">P. H. Roussel, J. Vanhellemont, H. E. Maes. Thin Solid Films, 234 (1993) 423-427</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. И. Пшеницын, М. И. Абаев, Н. Ю. Лызлов. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях, Москва, Химия (1986)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. И. Пшеницын, М. И. Абаев, Н. Ю. Лызлов. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях, Москва, Химия (1986)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики, пер. с англ., Москва, Наука (1970)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики, пер. с англ., Москва, Наука (1970)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">А. Б. Сотский. Материалы Всерос. науч. интернет-конф. с междунар. участием “Спектрометрические методы анализа”, Казань, 26 сентября 2013 г., 103-107</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">А. Б. Сотский. Материалы Всерос. науч. интернет-конф. с междунар. участием “Спектрометрические методы анализа”, Казань, 26 сентября 2013 г., 103-107</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">E. D. Palik. Нandbook of Optical Constants of Solids, Academic Press (1988)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">E. D. Palik. Нandbook of Optical Constants of Solids, Academic Press (1988)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
