zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-13Research ArticleСтатьиИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ. I. ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ФУНКЦИИSTUDY OF OPTICAL PROPERTIES OF SELENIDE BARIUM CRYSTALS. I. FUNDAMENTAL FUNCTIONSСоболевВ. В.SobolevV. V.sobolev@uni.udm.ruМерзляковД. А.MerzlyakovD. A.noemail@neicon.ruСоболевВ. Вал.SobolevV. Val.noemail@neicon.ruУдмуртский государственный университетUdmurt State UniversityУдмуртский государственный университет; Ижевский государственный технический университет им. М. Т. КалашниковаUdmurt State University; M. T. Kalashnikov Izhevsk State Technical University2017100320208417278Copyright © Соболев В.В., Мерзляков Д.А., Соболев В.В., 20202020Соболев В.В., Мерзляков Д.А., Соболев В.В.Sobolev V.V., Merzlyakov D.A., Sobolev V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/13

Определен полный комплекс из 18 фундаментальных оптических функций кристалла селенида бария в области 0-40 эВ. Установлены их основные особенности и общие закономерности. Расчеты выполнены с помощью серии компьютерных программ, составленных с использованием интегральных соотношений Крамерса-Кронига, модели экстраполяции Тафта-Филиппа и экспериментальных спектров отражения в областях 3.0-5.5 эВ при 2 К и 3-40 эВ при 77 К.

The full complex of 18 fundamental optical functions of barium selenide crystal was obtained in the range 0-40 eV. Their main features and general laws were established. The calculations were performed using a series of computer programs based on the Kramers-Kronig integral relations, the Taft-Philippe extrapolation model and experimental reflectance spectra in regions 3.0-5.5 eV at 2 K and 3-40 eV at 77 K.

селенид барияоптическая функциямаксимумступенькаэкситонмеждузонный переходплазмонbarium selenideoptical functionmaximumshoulderexcitoninterband transitionplasmonReferencesS. Singh, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Chalcogenide Lett., 7, N 7 (2010) 497-500S. Singh, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Chalcogenide Lett., 7, N 7 (2010) 497-500N. A. Okereke, A. J. Expunobi. Chalcogenide Lett., 8, N 1 (2011) 9-14N. A. Okereke, A. J. Expunobi. Chalcogenide Lett., 8, N 1 (2011) 9-14R. J. Zollweg. Phys. Rev., 111, N 1 (1958) 113-119R. J. Zollweg. Phys. Rev., 111, N 1 (1958) 113-119G. A. Saum, E. B. Hensley. Phys. Rev., 113, N 4 (1959) 1019-1022G. A. Saum, E. B. Hensley. Phys. Rev., 113, N 4 (1959) 1019-1022Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal Growth, 86, N 1-4 (1988) 72-78Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal Growth, 86, N 1-4 (1988) 72-78Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn, 52, N 12 (1983) 4385-4396Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn, 52, N 12 (1983) 4385-4396Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn, 51, N 7 (1982) 2247-2254Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn, 51, N 7 (1982) 2247-2254J. M. Boswarva. Phys. Rev. B, 1, N 4 (1970) 1698-1701J. M. Boswarva. Phys. Rev. B, 1, N 4 (1970) 1698-1701A. Pourghazi, M. Dadsetani. Physica B, 370, N 1 (2005) 35-45A. Pourghazi, M. Dadsetani. Physica B, 370, N 1 (2005) 35-45H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)A. Riefer, F. Fuchs, C. R. Rodl, A. Schleife, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 84, N 7 (2011) 075218(1-13)A. Riefer, F. Fuchs, C. R. Rodl, A. Schleife, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 84, N 7 (2011) 075218(1-13)В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Электронная структура твердых тел в области фундаментального края поглощения. I. Введение в теорию, Киев, Наукова думка (1992)В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Электронная структура твердых тел в области фундаментального края поглощения. I. Введение в теорию, Киев, Наукова думка (1992)В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Электронная структура твердых тел в области фундаментального края поглощения. II. Кристаллы группы II-VI, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Электронная структура твердых тел в области фундаментального края поглощения. II. Кристаллы группы II-VI, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228В. В. Соболев, Д. О. Мирдас, В. Вал. Соболев. Журн. прикл. спектр., 70, № 6 (2003) 854-857 [V. V. Sobolev, D. O. Mirdas, V. Val. Sobolev. J. Appl. Spectr., 70, N 6 (2003) 965-971]В. В. Соболев, Д. О. Мирдас, В. Вал. Соболев. Журн. прикл. спектр., 70, № 6 (2003) 854-857 [V. V. Sobolev, D. O. Mirdas, V. Val. Sobolev. J. Appl. Spectr., 70, N 6 (2003) 965-971]Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политехн. ун-та (2014) 372-373Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политехн. ун-та (2014) 372-373В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политехн. ун-та (2016) 119-120В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политехн. ун-та (2016) 119-120

The authors declare that there are no conflicts of interest present.