Проведены исследования оптического отражения поверхности Si, имплантированного ионами Ag+ при низкой энергии 30 кэВ в широком интервале доз 5.0 · 1014-1.5 · 1017 ион/см2, параллельно с электронными микроскопическими наблюдениями образцов. Установлено, что с ростом ионной дозы облучения монотонно снижается интенсивность отражения в УФ области спектра Si. Это вызвано аморфизацией и макроструктурированием его приповерхностного слоя. В длинноволновой области отражения регистрируется селективная полоса с максимумом вблизи 830 нм, обусловленная проявлением плазмонного резонанса ионно-синтезированных наночастиц Ag.
The optical reflection of surface of silicon implanted with Ag+ ions at low energy of 30 keV in a wide dose range 5.0 · 1014-1.5 · 1017 ion/cm2 was studied in parallel with electron microscopy observation of the samples. It was found that with increasing ion dose of irradiation, the reflection intensity in the UV region of the Si spectrum decreases monotonically due to amorphization and macrostructuring of Si near-surface layer. In the long-wavelength region of the reflection spectra, a selective band with a maximum near 830 nm is recorded due to the plasmon resonance of ion-synthesized Ag nanoparticles.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.