zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-1313Research ArticleЛАЗЕРЫ И ЛАЗЕРНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯLASERS AND LASER SPECTROSCOPYЛазеры со случайной генерацией на основе смесей микропорошков твердых растворов ZnCdSSe и люминофоров Ca4Ga2S7:Eu2+ и Ca(Al0.1Ga0.9)2S4:Eu2+Random Lasers Based on Mixtures of Micropowders of ZnCdSSe Solid Solutions and Phosphors Ca4Ga2S7:Eu2+ and Ca(Al0.1Ga0.9)2S4:Eu2+УрмановБ. Д.UrmanovB. D.

Минск

Minsk

b.urmanov@ifanbel.bas-net.byЛеоненяМ. С.LeaneniaM. S.

Минск

Minsk

ЯблонскийГ. П.YablonskiiG. P.

Минск

Minsk

ТагиевО. Б.TagievO. B.

Баку

Baku

АсадовЭ. Г.AsadovE. G.

Баку

Baku

Институт физики НАН БеларусиB.I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of BelarusИнститут физики НАН Азербайджана; Московский государственный университет, Бакинский филиалInstitute of Physics of the Azerbaijan National Academy of Sciences; Moscow State University, Baku branchИнститут физики НАН АзербайджанаInstitute of Physics of the Azerbaijan National Academy of Sciences202331052023903475478Copyright © Урманов Б.Д., Леоненя М.С., Яблонский Г.П., Тагиев О.Б., Асадов Э.Г., 20232023Урманов Б.Д., Леоненя М.С., Яблонский Г.П., Тагиев О.Б., Асадов Э.Г.Urmanov B.D., Leanenia M.S., Yablonskii G.P., Tagiev O.B., Asadov E.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/1313

Получена случайная генерация излучения в микропорошках CdS и Zn0.65Cd0.35Se при уровнях оптической накачки 0.1-2.0МВт/см2 излучением N2-лазера на Длине волны 337 нм. Пороги случайной генерации составили 820 кВт/см2 для микропорошка CdS и 740 кВт/см2 для микропорошка Zn0.65Cd0.35Se. Введение халькогенидов Ca(Al0.1Ga0.9)2S4:Eu2+ и Ca4Ga2S7:Eu2+ в смесь к микропорошкам твердых растворов CdS и Zn0.65Cd0.35Se способствовало уменьшению порога случайной генерации до 520 и 550 кВт/см2, а также появлению структуры линий лазерного излучения и увеличению их интенсивности, что может быть вызвано увеличением количества контуров обратной связи за счет введения в смесь дополнительных рассеивателей.

Random lasing was achieved in CdS and Zn0.65Cd0.35Se micropowders at optical pump levels of 0.1-2 MW/cm2 with N2-laser radiation at the wavelength of 337 nm. The values of the random generation thresholds were 820 kW/cm2 for CdS micropowder and 740 kW/cm2 for Zn0.65Cd0.35Se micropowder. The introduction of Ca(Al0.1Ga0.9)2S4:Eu2+ and Ca4Ga2S7:Eu2+ chalcogenides into the mixture to micropowders of CdS and Zn0.65Cd0.35Se solid solutions led in both cases to a drop in the random generation threshold to 520 and 550 kW/cm2, respectively, as well as to the appearance of the structure of laser radiation lines and an increase in their intensity. This may be caused by an increase in the number of feedback loops due to the introduction of additional scatterers.

случайная генерациябелые лазерылюминофорхалькогенидные полупроводникипорог генерацииrandom lasingwhite lasersphosphorchalcogenide semiconductorsgeneration thresholdРабота выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект № Ф18АЗ-020) совместно с коллективом сотрудников из Института физики НАН Азербайджана (Баку, Азербайджан).ReferencesD. S. Wiersma. Nature Physics, 4 (2008) 359—367D. S. Wiersma. Nature Physics, 4 (2008) 359—367A. Y. Alyamani, M. S. Leanenia, L. M. Alanazi, M. M. Aljohani, A. A. Aljariwi, M. V. Rzheutski, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii. Proc. SPIE, 9726 (2016) 972625(1—6)A. Y. Alyamani, M. S. Leanenia, L. M. Alanazi, M. M. Aljohani, A. A. Aljariwi, M. V. Rzheutski, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii. Proc. SPIE, 9726 (2016) 972625(1—6)M. Nazarov, D. Y. Noh, H. Kim. Mater. Chem. Phys., 107 (2008) 456—464M. Nazarov, D. Y. Noh, H. Kim. Mater. Chem. Phys., 107 (2008) 456—464A. N. Georgobiani, V. V. Styrov, V. I. Tyutyunnikov, B. G. Tagiev, O. B. Tagiev, R. B. Djabbarov. J. Phys. Chem. Solids, 64 (2003) 1519—1524A. N. Georgobiani, V. V. Styrov, V. I. Tyutyunnikov, B. G. Tagiev, O. B. Tagiev, R. B. Djabbarov. J. Phys. Chem. Solids, 64 (2003) 1519—1524M. S. Leanenia, E. V. Lutsenko, M. V. Rzheutski, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, T. G. Naghi- yev, B. G. Tagiev, S. A. Abushev, O. B. Tagiev. J. Lumin., 181 (2017) 121—127M. S. Leanenia, E. V. Lutsenko, M. V. Rzheutski, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, T. G. Naghi- yev, B. G. Tagiev, S. A. Abushev, O. B. Tagiev. J. Lumin., 181 (2017) 121—127М. С. Леоненя, А. В. Нагорный, Б. Д. Урманов, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский. Квант. электрон., 49, № 6 (2019) 552—555М. С. Леоненя, А. В. Нагорный, Б. Д. Урманов, В. А. Шуленкова, Г. П. Яблонский. Квант. электрон., 49, № 6 (2019) 552—555H. Cao. Waves Random Media, 13 (2003) R1—R39H. Cao. Waves Random Media, 13 (2003) R1—R39Б. Д. Урманов, М. С. Леоненя, Г. П. Яблонский, Е. Г. Асадов, Т. Г. Нагиев, Б. Г. Тагиев. Квантовая электроника: материалы XII междунар. науч.-техн. конф., Минск, ноябрь 2019 г., РИВШ (2017) 142—143Б. Д. Урманов, М. С. Леоненя, Г. П. Яблонский, Е. Г. Асадов, Т. Г. Нагиев, Б. Г. Тагиев. Квантовая электроника: материалы XII междунар. науч.-техн. конф., Минск, ноябрь 2019 г., РИВШ (2017) 142—143E. G. Asadov, O. B. Tagiev, K. O. Tagiev, G. S. Hadjieva, M. S. Leanenia, B. D. Urmanov, D. I. Babuskin, G. P. Yablonskii, N. T. Dang. Modern Phys. Lett. B, 32, N 25 (2018) 1850306(1—9)E. G. Asadov, O. B. Tagiev, K. O. Tagiev, G. S. Hadjieva, M. S. Leanenia, B. D. Urmanov, D. I. Babuskin, G. P. Yablonskii, N. T. Dang. Modern Phys. Lett. B, 32, N 25 (2018) 1850306(1—9)Б. Д. Урманов, М. С. Леоненя, В. А. Шуленкова, Е. В. Муравицкая, Г. П. Яблонский, E. Г. Асадов, Т. Г. Нагиев, Б. Г. Тагиев. Сб. ст. 12-го Белорусско-Российского семинара “Полупроводниковые лазеры и системы на их основе”, 27—31 мая 2019 г., Минск (2019) 170—173Б. Д. Урманов, М. С. Леоненя, В. А. Шуленкова, Е. В. Муравицкая, Г. П. Яблонский, E. Г. Асадов, Т. Г. Нагиев, Б. Г. Тагиев. Сб. ст. 12-го Белорусско-Российского семинара “Полупроводниковые лазеры и системы на их основе”, 27—31 мая 2019 г., Минск (2019) 170—173

The authors declare that there are no conflicts of interest present.