Минск
Minsk
Минск
Minsk
Минск
Minsk
Минск
Minsk
Минск
Minsk
Минск;
Москва
Minsk;
Moscow
Минск
Minsk
Проведены сравнительные исследования концентрации носителей заряда (n) и относительной деформации (e) в графене, синтезированном методом химического парофазного осаждения и перенесенном на поверхность подложки SiO2/Si с использованием двух различных каркасов — полиметилметакрилата (ПММА) и парафина — с последующей комплексной обработкой. Использован корреляционный метод анализа положений КР-активных мод. Установлено, что в случае использования парафина концентрация носителей заряда в графене меньше, чем для ПММА. Дальнейшая жидкофазная и термическая обработка, применяемая для удаления каркаса из парафина, приводит к росту n вплоть до 1.2 ∙ 1013 см–2. Для образцов графена, перенесенных с помощью каркаса из ПММА, тенденции в изменении n не наблюдается независимо от видов обработки. Разброс значений e для графена, перенесенного с помощью парафина с последующим применением жидкофазной и термической обработки в вакууме, больше, чем для графена, перенесенного с помощью ПММА и прошедшего аналогичную обработку: от –0.01875 до –0.1488 % и от –0.04375 до –0.0875 %. Установлено, что помимо непосредственно самого материала каркаса для переноса определяющее влияние на качество графена оказывает сочетание методов обработки. Оптимизация этих параметров позволяет повысить эффективность методики переноса графена с одновременным улучшением эксплуатационных характеристик устройств графеновой наноэлектроники.
Comparative studies of charge carrier concentration (n) and relative strain (e) in graphene synthesized with chemical vapor deposition and transferred to the surface of SiO2/Si substrate using two different frames, polymethylmethacrylate (PMMA) and paraffin, followed by complex processing, were carried out. The correlation method for determining the positions of Raman active modes was implemented for the analysis. It was established that in the case of paraffin, the concentration of charge carriers in graphene was initially lower than for PMMA. Further liquid phase and heat treatment used to remove the paraffin frame led to an increase in n up to 1.2×1013 cm–2. For graphene samples transferred using a PMMA frame, no clear trend in the change in n was observed, regardless of the types of processing. At the same time, the spread of e values for graphene transferred with paraffin followed by liquid phase and heat treatment in vacuum was greater than for graphene transferred with PMMA and passed through a similar treatment, –0.01875 — –0.1488% and –0.04375 — –0.0875%, respectively. The results obtained during the study made it possible to establish that, in addition to the transfer frame material itself, a combination of processing methods had a decisive impact on the quality of graphene. Optimization of these parameters made it possible to increase the efficiency of the graphene transfer technique with a simultaneous improvement in the performance characteristics of graphene nanoelectronic devices.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.