zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-1361Research ArticleКРАТКИЕ СООБЩЕНИЯBRIEF COMMUNICATIONSОптические характеристики приповерхностного слоя рутила, имплантированного ионами кобальтаOptical Characteristics of the Near-Surface Layer of Rutile Implanted with Cobalt IonsБазаровВ. В.BazarovV. V.

Казань

Kazan

vbazarov1@gmail.comБегишевЕ. М.BegishevE. M.

Казань

Kazan

begishev.evg@gmail.comВалеевВ. Ф.ValeevV. F.

Казань

Kazan

valeev@kfti.knc.ruНуждинВ. И.NuzhdinV. I.

Казань

Kazan

nuzhdin@kfti.knc.ruХайбуллинР. И.KhaibullinR. I.

Казань

Kazan

rikkfti@mail.ruКазанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАНE. K. Zavoisky Physical-Technical Institute of Kazan Scientific Center of Russian Academy of the Sciences202325082023904648650Copyright © Базаров В.В., Бегишев Е.М., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И., 20232023Базаров В.В., Бегишев Е.М., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И.Bazarov V.V., Begishev E.M., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Khaibullin R.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/1361

Методом спектроскопии отражения и пропускания света в видимой области спектра исследована монокристаллическая пластина рутила (TiO2), имплантированная ионами кобальта дозой 1.25 ∙ 1017 ион/см2 с энергией 40 кэВ при постоянной плотности тока в ионном пучке 2 мкА/см2 и температуре облучаемой подложки 620 °С. Получены спектральные зависимости оптических параметров модифицированного слоя. Рассчитана оптическая щель Тауца слоя 0.2—0.3 эВ.

A monocrystal rutile (TiO2) plate implanted with cobalt ions at a fluence of 1.25×1017 ion/cm2 with an energy of 40 keV at a constant current density in the ion beam of 2 μA/cm2 at a temperature of an irradiated substrate 620 °C was studied with the method of light reflection and transmission spectroscopy in the visible region of the spectrum. The spectral dependences of the optical parameters of the modified layer were obtained. The calculated optical Tauc gap of the layer was 0.2–0.3 eV.

оксид титанаионная имплантацияспектроскопия отражения и пропусканияtitanium oxideion implantationreflection and transmission spectroscopyРабота выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 22-19-007I2, https://rscf.ru/project/22-19-00712/).ReferencesD. Strukov, G. Snider, D. Stewart. Nature, 453 (2008) 80—83, doi: 10.1038/nature06932D. Strukov, G. Snider, D. Stewart. Nature, 453 (2008) 80—83, doi: 10.1038/nature06932L. A. Reznichenko, L. A. Shilkina, S. V. Titov, O. N. Razumovskaya. Crystallogr. Rep., 48 (2003) 377—383L. A. Reznichenko, L. A. Shilkina, S. V. Titov, O. N. Razumovskaya. Crystallogr. Rep., 48 (2003) 377—383R. I. Khaibullin, Sh. Z. Ibragimov, L. R. Tagirov. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., B257 (2007) 369—373, doi: 10.1016/j.nimb.2007.01.064R. I. Khaibullin, Sh. Z. Ibragimov, L. R. Tagirov. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., B257 (2007) 369—373, doi: 10.1016/j.nimb.2007.01.064The Stopping and Range of Ions in Matter, Eds. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler, SRIM Company (2008)The Stopping and Range of Ions in Matter, Eds. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler, SRIM Company (2008)A. S. Valeev. Opt. Spectrosc., 15 (1963) 269—274A. S. Valeev. Opt. Spectrosc., 15 (1963) 269—274А. В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур, Москва, Советское радио (1975)А. В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур, Москва, Советское радио (1975)С. Метфессель. Тонкие пленки, их изготовление и измерение, Москва, Госэнергоиздат (1963)С. Метфессель. Тонкие пленки, их изготовление и измерение, Москва, Госэнергоиздат (1963)H. Murmann. Zeitshrift fur Physic, 80 (1933) 167H. Murmann. Zeitshrift fur Physic, 80 (1933) 167J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15 (1966) 627J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15 (1966) 627В. И. Фистуль. Введение в физику полупроводников, Москва, Высшая школа (1984)В. И. Фистуль. Введение в физику полупроводников, Москва, Высшая школа (1984)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.