На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs0.88Sb0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины запрещенной зоны в интервале температур 10-313 К, а также температурная зависимость энергии спин-орбитального расщепления зоны. Установлено, что для светодиодов на основе гетероструктуры InAs0.88Sb0.12/InAsSbP в интервале температур 10-35 К наблюдается усиленная люминесценция. Резкое падение интенсивности излучения InAsSb/InAsSbP-светодиодов при температуре >32 К обусловлено интенсивным ростом CHCС-процесса оже-рекомбинации, при этом для температур <35 К доминирующим процессом оже-рекомбинации является CHSH-процесс.
The Varshni parameters of the dependence of the bandgap energy on temperature in the range of 10-313 K, as well as the temperature dependence of the spin-orbit splitting energy have been calculated on the basis of the experimental data obtained for the InAs0.88Sb0.12 active layer. It has been found that for LEDs based on the InAs0.88Sb0.12/InAsSbP heterostructures amplified luminescence is observed in the temperature range of 10-35 K. The sharp drop in the intensity of radiation of the InAsSb/InAsSbP LEDs at temperatures higher than 32 K is due to the intensive growth of the CHCC process of the Auger-recombination, while for temperatures below 35 K the CHSH process is the dominant Auger recombination process.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.