Минск
Minsk
Минск
Minsk
Минск
Minsk
Эпитаксиальные слои SiC толщиной 80 нм на Si-подложке выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии при 950 °C. Спектры комбинационного рассеяния света содержат пик при 793 см–1, что соответствует поперечной оптической фононной моде кубического политипа SiC. Показано, что увеличение фототока в областях 1.25—1.4 и 1.5—2.0 эВ связано с дефектами в гетероструктуре SiC/Si. Обнаружено, что спектры фотолюминесценции гетероструктур SiC/Si и Pt2Si/SiC/Si содержат две основные полосы излучения в синей (2.8 эВ) и красной (1.9 эВ) областях.
Epitaxial SiC layers 80 nm thick on Si were grown by molecular beam epitaxy at 950°C. The Raman spectra have a peak at 793 cm–1, which corresponds to the transverse optical phonon mode of the cubic SiC polytype. It is shown that the increase in photocurrent in the ranges of 1.25—1.4 and 1.5—2.0 eV is associated with defects in the SiC/Si heterostructure. It has been found that the photoluminescence spectra of the SiC/Si heterostructures and the Pt2Si/SiC/Si structure contain two main emission bands in the blue (2.8 eV) and red (1.9 eV) spectral regions.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.