Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с λ = 4880 и 5145 Å. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции.
The samples of nanoheteroepitaxial structures with Ge quantum dots in a GaP matrix on Si substrates have been grown in two structural schemes using a liquid-phase epitaxy method with pulsed cooling of the substrates. The photoluminescence spectra of the samples at temperatures of 77 and 300 K are measured under excitation by laser radiation with λ = 4880 and 5145 Å. Conclusions are made about the factors that affect the spectrum and intensity of radiation of the nanostructures with quantum dots. It is found that in order to reduce nonradiative recombination in the multilayer p-n structures, it is necessary to create arrays of quantum dots in the volume of p- and n-regions, rather than in the central part of the depletion layer of the p-n junction. It is shown that the theoretical energy values for Ge quantum dots of calculated sizes are comparable with the energy of their photoluminescence maxima.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.