Получено аналитическое выражение для коэффициента поглощения интенсивного терагерцового излучения свободными электронами в полупроводнике, когда основным механизмом рассеяния электронов является спонтанное испускание полярных оптических фононов. Показано, что коэффициент поглощения резко возрастает, когда средняя энергия колебаний электрона в терагерцовом поле превышает энергию оптического фонона.