С применением инфракрасной спектрометрии исследован состав SiOх-пленок, полученных ионно-лучевым распылением (ИЛР) кремниевой и кварцевой мишеней. Пленки толщиной 150-390 нм формировали на подложках из кремния. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в рабочем газе, повышение температуры подложки и наличие положительного потенциала на мишени при реактивном ИЛР кремния приводят к смещению основной полосы поглощения nas в высокочастотную область и росту композиционного индекса от 1.41 до 1.85. При ИЛР кварцевой мишени стехиометрия пленок ухудшается с увеличением энергии распыляющих ионов аргона, что может быть связано с ростом скорости нанесения. Увеличение тока термоэлектронного компенсатора, повышение температуры подложки и добавка кислорода способствуют формированию SiOх-пленок с улучшенной стехиометрией.
We used infrared spectrometry to study the composition of SiOx films obtained by the method of ion-beam sputtering (IBS) of silicon and quartz targets. Films of 150-390 nm were formed on silicon substrates. It was found that an increase in the partial pressure of oxygen in the working gas, an increase in the temperature of the substrate, and the presence of a positive potential on the target during the reactive IBS of silicon led to a shift in the main absorption band of νas to the high-frequency region and an increase in the composite index from 1.41 to 1.85. During the IBS of a quartz target the stoichiometry of the films deteriorates with the increase of the energy of the sputtering argon ions. It can be due to increasing the deposition rate. An increase in the current of the thermionic compensator, an increase in the substrate temperature, and the addition of oxygen contributed to the formation of SiOx films with improved stoichiometry.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.