Минск
Minsk
Минск
Minsk
Минск
Minsk
Новосибирск
Novosibirsk
Новосибирск
Novosibirsk
Новосибирск
Novosibirsk
Новосибирск
Novosibirsk
Исследована фотолюминесценция (ФЛ) наноструктур Ge/Si с квантовыми точками (КТ) Ge при температурах 5, 78 и 300 К. Наноструктуры выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках монокристаллического кремния в условиях облучения ионами Ge+ с энергией 2 кэВ и без облучения. Обнаружен эффект увеличения интенсивности широкой полосы ФЛ в области энергий ~0.8 эВ при облучении наноструктур ионами Ge+. Проведен сравнительный анализ спектров ФЛ, зарегистрированных со стороны подложки кремния, а также со стороны формирования наноструктур Ge/Si. Установлено, что в процессе выращивания многослойных наноструктур Ge/Si с КТ Ge при температурах 500—600 °C образуются термические дефекты структуры в кремнии, обусловливающие появление электронно-колебательных полос с бесфононными линиями P ~ 0.767 эВ, C ~ 0.789 эВ и H ~ 0.926 эВ.
Photoluminescence (PL) of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots (QDs) at 5, 78 and 300 K was studied. The nanostructures were grown by molecular beam epitaxy on single-crystal silicon substrates under 2 keV Ge+ ion irradiation and without irradiation. An effect of increasing the intensity of a broad PL band in the energy range of ~0.8 eV was found when the nanostructures were irradiated with Ge+ ions. A comparative analysis of the PL spectra recorded from the side of the silicon substrate and from the side of the formation of Ge/Si nanostructures was performed. It was found that during the growth of multilayer Ge/Si nanostructures with Ge QDs at temperatures of 500—600 °C thermal defects of the structure are formed in silicon, causing the appearance of an electron-vibrational bands with zero-phonon lines P ~ 0.767 eV, C ~ 0.789 eV, and H ~ 0.926 eV.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.