zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-2159Research ArticleСтатьиМеханизмы широкополосной структурной люминесценции неупорядоченных широкозонных диэлектриковMechanisms of Broadband Structural Luminescence of Disordered Wide-Gap DielectricsМаксимовС. Е.MaksimovS. E.

Ташкент

Tashkent

maksimov_s@yahoo.comПахаруковЮ. В.PakharukovYu. V.

Тюмень

Tyumen

ЮлдашевШ. У.YuldashevSh. U.

Ташкент

Tashkent

ТрунилинаО. В.TrunilinaO. V.

Ташкент

Tashkent

ОксенгендлерБ. Л.OksengendlerB. L.

Ташкентская область

Tashkent region

КутлимуротовБ. Р.KutlimurotovB. R.

Ташкент

Tashkent

АшуровХ. Б.AshurovKh. B.

Ташкент

Tashkent

Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Республики УзбекистанArifov Institute of Ion Plasma and Laser Technologies of the Academy of Sciences of the Republic of UzbekistanТюменский индустриальный университетTyumen Industrial UniversityНациональный Университет Узбекистана имени Мирзо УлугбекаNational University of Uzbekistan named after Mirzo UlugbekИнститут материаловедения НПО “Физика-Солнце” АН Республики УзбекистанInstitute for Material Sciences of Academy of Sciences of Republic of Uzbekistan, Scientific and Production Association “Physics-Sun”Институт ионно-плазменных и лазерных технологий им. У.А. Арифова АН Республики Узбекистан; Военно-академический лицей “Темурбеклар мактаби”Arifov Institute of Ion Plasma and Laser Technologies of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan; Military Academic Lyceum “Temurbeklar Maktabi”202630032026932175182Copyright © Максимов С.Е., Пахаруков Ю.В., Юлдашев Ш.У., Трунилина О.В., Оксенгендлер Б.Л., Кутлимуротов Б.Р., Ашуров Х.Б., 20262026Максимов С.Е., Пахаруков Ю.В., Юлдашев Ш.У., Трунилина О.В., Оксенгендлер Б.Л., Кутлимуротов Б.Р., Ашуров Х.Б.Maksimov S.E., Pakharukov Y.V., Yuldashev S.U., Trunilina O.V., Oksengendler B.L., Kutlimurotov B.R., Ashurov K.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/2159

Теоретически рассмотрены возможные механизмы широкополосной структурной люминесценции в полосе прозрачности неупорядоченных широкозонных диэлектриков для случая электронных переходов на глубоколежащих уровнях собственных структурных дефектов типа валентно-альтернативных пар в v-SiO2. Установлено, что основным является механизм “близнецовой” рекомбинации носителей на глубоколежащих уровнях валентно-альтернативных пар. Показано, что сопутствующие механизмы могут быть связаны с поляронными эффектами на изолированных центрах и явлениями на делокализованных дефектных состояниях.

Possible mechanisms of broadband structural luminescence in the transparency band of disordered widegap dielectrics are considered theoretically for the case of electronic transitions at deep-lying levels of intrinsic structural defects such as valence-alternation pairs in v-SiO2. It is concluded that the main mechanism is the geminate recombination of carriers at deep-lying levels of valence-alternation pairs. It is shown that accompanying mechanisms can be associated with polaron effects on isolated centers and phenomena on delocalized defect states.

широкополосная структурная люминесценциялокализованные состояниявалентно-альтернативные парыблизнецовая рекомбинациядиоксид кремнияbroadband structural luminescencelocalized statesvalence-alternation pairsgeminate recombinationsilicon dioxideРабота финансирована в рамках бюджетных исследований Академии наук Республики Узбекистан.ReferencesW. H. Hartley. J. Chem. Soc., 63 (1893) 243—256, https://doi.org/10.1039/CT8936300243W. H. Hartley. J. Chem. Soc., 63 (1893) 243—256, https://doi.org/10.1039/CT8936300243G. Carery, V. Massacurati, G. Signorelly. Phys. Lett., 31A, N 8 (1970) 425—426, doi: 10.1016/0375-9601(70)90377-4G. Carery, V. Massacurati, G. Signorelly. Phys. Lett., 31A, N 8 (1970) 425—426, doi: 10.1016/0375-9601(70)90377-4N. Kollias, J. P.Biscar. Chem. Phys. Lett., 26, N 1 (1974) 82—85, https://doi.org/10.1016/0009-2614(74)89089-5N. Kollias, J. P.Biscar. Chem. Phys. Lett., 26, N 1 (1974) 82—85, https://doi.org/10.1016/0009-2614(74)89089-5М. А. Касымджанов, С. С. Курбанов, П. К. Хабибуллаев. Быстрая люминесценция чистых широкозонных диэлектриков, возбуждаемая в полосе прозрачности вещества, препринт ИЯФ АН УзССР, Ташкент (1989)М. А. Касымджанов, С. С. Курбанов, П. К. Хабибуллаев. Быстрая люминесценция чистых широкозонных диэлектриков, возбуждаемая в полосе прозрачности вещества, препринт ИЯФ АН УзССР, Ташкент (1989)М. А. Касымджанов, С. С. Курбанов, П. К. Хабибуллаев. ДАН РФ, 342, № 3 (1995) 330—332M. A. Kasymdzhanov, S. S. Kurbanov, P. Kh. Khabibullaev. Dokl. Akad. Nauk, 342, N 3 (1995) 330—332М. Ф. Ачилов, М. А. Касымджанов, Д. П. Криндач, О. В. Трунилина, П. К. Хабибуллаев. Квант. электрон., 4, № 9 (1977) 1992—1994 doi: 10.1070/QE1977v007n09ABEH012813M. F. Achilov, M. A. Kasymdzhanov, D. P. Krindach, O. V. Trunilina, P. K. Khabibullaev. Sov. J. Quantum Electron., 7, N 9 (1977) 1132—1134, doi: 10.1070/QE1977v007n09ABEH012813M. F. Achilov, P. K. Khabibullaev, Yu. V. Pakharukov, O. V. Trunilina. J. Non-Cryst. Sol., 143 (1992) 246—251, doi: 10.1016/S0022-3093(05)80573-3M. F. Achilov, P. K. Khabibullaev, Yu. V. Pakharukov, O. V. Trunilina. J. Non-Cryst. Sol., 143 (1992) 246—251, doi: 10.1016/S0022-3093(05)80573-3М. Ф. Ачилов, О. В. Трунилина. Журн. прикл. спектр., 52, № 2 (1990) 95—100 https://doi.org/10.1007/BF00661433M. F. Achilov, O. V. Trunilina. J. Appl. Spectr., 52 (1990) 198—201, https://doi.org/10.1007/BF00661433М. Ф. Ачилов, Ю. В. Пахаруков, С. Е. Максимов, О. В. Трунилина, П. К. Хабибуллаев. Докл. АН Республики Узбекистан, № 3 (1994) 23—25М. Ф. Ачилов, Ю. В. Пахаруков, С. Е. Максимов, О. В. Трунилина, П. К. Хабибуллаев. Докл. АН Республики Узбекистан, № 3 (1994) 23—25Н. Ф. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, Москва, Мир (1982)Н. Ф. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах, Москва, Мир (1982)С. Д. Барановский, Х. Фрицше, Е. И. Левин., И. М. Рузин, Б. И. Шкловский. ЖЭТФ, 96, № 4 (1989) 1362—1379S. D. Baranovskii, H. Fritzsche, E. I. Levin, I. M. Ruzin, B. I. Shklovskii. Sov. Phys. JETP, 96, N 4 (1989) 773—782А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела, Москва, Мир (1986)A. Feltz. Amorphe und Anorganische Festkoerper, Berlin, Akademie Ferlag (1983)G. Lucovsky. Phil. Mag. B, 39, N 6 (1979) 513—530, https://doi.org/10.1080/13642817908246002G. Lucovsky. Phil. Mag. B, 39, N 6 (1979) 513—530, https://doi.org/10.1080/13642817908246002G. Lucovsky. Phil. Mag. B, 41, N 4 (1980) 457—467, https://doi.org/10.1080/13642818008245399G. Lucovsky. Phil. Mag. B, 41, N 4 (1980) 457—467, https://doi.org/10.1080/13642818008245399С. Д. Барановский, Б. И. Шкловский. ФТП, 23, № 1 (1989) 146—151S. D. Baranovskii, B. I. Shklovskii. Sov. Phys. Semicond., 23, N 1 (1989) 88—93R. C. Hughes. Phys. Rev. B, 15, N 4 (1977) 2012—2020, https://doi.org/10.1103/PhysRevB.15.2012R. C. Hughes. Phys. Rev. B, 15, N 4 (1977) 2012—2020, https://doi.org/10.1103/PhysRevB.15.2012G. N. Greaves. Phil. Mag. B, 37 (1978) 447—466, https://doi.org/10.1080/01418637808225789G. N. Greaves. Phil. Mag. B, 37 (1978) 447—466, https://doi.org/10.1080/01418637808225789Л. П. Гинзбург. ФТП, 23, № 5 (1989) 813—819L. P. Ginzburg. Sov. Phys. Semicond., 23 (1989) 511—514R. C. Hughes. Phys. Rev. Lett., 30, N 26 (1973) 1333—1336, https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.30.1333R. C. Hughes. Phys. Rev. Lett., 30, N 26 (1973) 1333—1336, https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.30.1333Л. П. Гинзбург. ФТП, 23, № 9 (1989) 1629—1634L. P. Ginzburg. Sov. Phys. Semicond., 23 (1989) 1008G. Lucovsky. Phil. Mag. B, 39, N 6 (1979) 531—540, https://doi.org/10.1080/13642817908246003G. Lucovsky. Phil. Mag. B, 39, N 6 (1979) 531—540, https://doi.org/10.1080/13642817908246003L. Onsager. Phys. Rev. Sec. Ser., 54, N 8 (1938) 554—557, https://doi.org/10.1103/PhysRev.54.554L. Onsager. Phys. Rev. Sec. Ser., 54, N 8 (1938) 554—557, https://doi.org/10.1103/PhysRev.54.554

The authors declare that there are no conflicts of interest present.