zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-2172Research ArticleАННОТАЦИИ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ СТАТЕЙABSTRACTS ENGLISH-LANGUAGE ARTICLESНизкозатратный метод синтеза тонких пленок SnO2, легированных цинком, для оптоэлектронных примененийLow-Cost Synthesis of Zinc-Doped SnO2 Films for Optoelectronic ApplicationsKumarV.KumarV.

Факультет прикладных наук.

Газиабад, Дели NCR

Vipin Kumar - Department of Applied Sciences and Humanities, Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET).

Ghaziabad, Delhi NCR, Uttar Pradesh

vipinkumar28@yahoo.co.inJunejaS.JunejaS.

Факультет прикладных наук.

Газиабад, Дели NCR

Soniya Juneja - Department of Applied Sciences and Humanities, Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET).

Ghaziabad, Delhi NCR, Uttar Pradesh

AgrwalA.Agrwal

Факультет прикладных наук.

Газиабад, Дели NCR

Akansha Agrwal - Department of Applied Sciences and Humanities, Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET).

Ghaziabad, Delhi NCR, Uttar Pradesh

RaiP.RaiP.

Факультет прикладных наук.

Газиабад, Дели NCR

Priyanka Rai - Department of Applied Sciences and Humanities, Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET).

Ghaziabad, Delhi NCR, Uttar Pradesh

KumarParvinKumarParvin

Факультет электроники и телекоммуникаций.

Газиабад, Дели NCR

Department of Electronics and Communication Engineering, Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET).

Ghaziabad, Delhi NCR, Uttar Pradesh

SharmaA.SharmaA.

Факультет электроники и телекоммуникаций.

Газиабад, Дели NCR

Abhishek Sharma - Department of Electronics and Communication Engineering, Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET).

Ghaziabad, Delhi NCR, Uttar Pradesh

DwivediD. K.DwivediD. K.

Горакхпур

Photonics and Photovoltaic Research Lab, Department of Physics and Material Science, Madan Mohan Malaviya University of Technology.

Gorakhpur

YadavN. P.YadavN. P.

Хуанши, провинция Хубэй

School of Electrical and Electronics Information Engineering, Hubei Polytechnic University.

Huangshi, Hubei

GuptaM.GuptaM.

Calle Sant Leopold, Террасса, Барселона

Monika Gupta.

Calle Sant Leopold, Terrassa, Barcelona

KumarPradeepKumarPradeep

Нови-Сад

Novi Sad

ZargarR. A.ZargarR. A.

Хайдарабад

Department of Physics, University Institute of Emerging Technologies, Guru Nanak University.

Hyderabad

Институт инженерии и технологий Кришны (KIET)Krishna Institute of Engineering and Technology (KIET)Технологический университет имени Мадана Мохана МалавииMadan Mohan Malaviya University of TechnologyХубэйский политехнический университетHubei Polytechnic UniversityNaturality R&DNaturality R&DCo. Srentex Innovations D.O.O.Strentex Innovations D.O.O.Университет Гуру НанакаGuru Nanak University2026300320269322934Copyright © Kumar V., Juneja S., Agrwal A., Rai P., Kumar P., Sharma A., Dwivedi D.K., Yadav N.P., Gupta M., Kumar P., Zargar R.A., 20262026Kumar V., Juneja S., Agrwal A., Rai P., Kumar P., Sharma A., Dwivedi D.K., Yadav N.P., Gupta M., Kumar P., Zargar R.A.Kumar V., Juneja S., Agrwal A., Rai P., Kumar P., Sharma A., Dwivedi D.K., Yadav N.P., Gupta M., Kumar P., Zargar R.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/2172

Пленки легированного цинком SnO2 (Zn/Sn = 0.03) синтезированы методом золь-гель трафаретной печати и спечены при 450°C в течение 10 мин. Результаты рентгеновской дифракции подтвердили поликристаллические характеристики и однофазную тетрагональную конфигурацию синтезированных пленок. Наличие ионов Sn, O и Zn подтверждено энергодисперсионным рентгеновским анализом. По результатам анализа УФ-видимой области энергия запрещенной зоны (прямой переход) составила 3.62 эВ. Анализ методом Холла показал n-тип проводимости пленок, характеризующихся удельным сопротивлением 1.03 x 10-3 Ом · см.

Tin oxide, a distinguished metal oxide suitable for optoelectronic usage, has features that can be easily enhanced through doping. In the current study, films of zinc-doped SnO2 (Zn/Sn = 0.03) were synthesized via the sol-gel screen-printing strategy and subsequently sintered at 450°C for 10 min. X-ray diffraction findings established the polycrystalline characteristics and single-phase tetragonal configuration of the synthesized films. The occurrence of Sn, O, and Zn ions is evidenced by energy-dispersive X-ray analysis. According to UV-Vis analysis, the band gap energy (direct transition) was found to be 3.62 eV. Hall measurement analysis revealed the n-type conductivity of the films, characterized by a resistivity of 1.03x10–3 Ω · cm.

SnO2рентгеновская дифракцияширина запрещенной зоныудельное сопротивлениеSnO2X-ray diffractionband gapresistivityReferencesK. Selma, B. Salima, B. Seddik, R. Djamil, H. Lazhar, J. Semicond., 44, 032801 (2023).K. Selma, B. Salima, B. Seddik, R. Djamil, H. Lazhar, J. Semicond., 44, 032801 (2023).D. Bouras, M. Fellah, D. J. Mohammed, R. Barille, A. Obrosov, G. A. El-Hiti, A. Guesmi, L. Khezami, J. Alloys Compd., 1034, 181387 (2025).D. Bouras, M. Fellah, D. J. Mohammed, R. Barille, A. Obrosov, G. A. El-Hiti, A. Guesmi, L. Khezami, J. Alloys Compd., 1034, 181387 (2025).V. Garg, R. Kumari, H. Sharma, D. Rehani, V. Kumar, M. Saxena, Mater. Today: Proc., 49, 3430–3434 (2022).V. Garg, R. Kumari, H. Sharma, D. Rehani, V. Kumar, M. Saxena, Mater. Today: Proc., 49, 3430–3434 (2022).F. Hadzi, M. Omari, M. Mebarki, N. Gabouze, A. Layadi, J. Alloys Compd., 942, 169047 (2023).F. Hadzi, M. Omari, M. Mebarki, N. Gabouze, A. Layadi, J. Alloys Compd., 942, 169047 (2023).N. A. Khan, A. Ali, K. Mahmood, M. Isram, S. Ikram, Results Chem., 14, 102100 (2025).N. A. Khan, A. Ali, K. Mahmood, M. Isram, S. Ikram, Results Chem., 14, 102100 (2025).N. Guermat, W. Darenfad, K. Mirouh, N. Bouarissa, M. Kalfallah, A. Herbadji, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 97, 14 (2022).N. Guermat, W. Darenfad, K. Mirouh, N. Bouarissa, M. Kalfallah, A. Herbadji, Eur. Phys. J. Appl. Phys., 97, 14 (2022).M. E. Gulduren, Semicond. Sci. Tecnol., 36, 095034 (2021).M. E. Gulduren, Semicond. Sci. Tecnol., 36, 095034 (2021).J. S. Bhat, K. I. Maddani, A. M. Karguppikar, Bull. Mater. Sci., 29, 331–337 (2006).J. S. Bhat, K. I. Maddani, A. M. Karguppikar, Bull. Mater. Sci., 29, 331–337 (2006).B. Xu, X.-G. Ren, G.-R. Gu, L.-L. Lan, B.-J. Wu, Superlattices Microstruct., 89, 34–42 (2016).B. Xu, X.-G. Ren, G.-R. Gu, L.-L. Lan, B.-J. Wu, Superlattices Microstruct., 89, 34–42 (2016).Q. Zhu, Q. Ma, D. B. Buchholz, R. P. H. Chang, M. J. Bedzyk, T. O. Mason, J. Appl. Phys., 115, 033512 (2014).Q. Zhu, Q. Ma, D. B. Buchholz, R. P. H. Chang, M. J. Bedzyk, T. O. Mason, J. Appl. Phys., 115, 033512 (2014).V. Kumar, D. K. Sharma, K. K. Sharma, A. Agrwal, P. Kumar, R. A. Zargar, D. K. Dwivedi, M. Gupta, P. Kumar, Phys. Solid State, 67, 63–67 (2025).V. Kumar, D. K. Sharma, K. K. Sharma, A. Agrwal, P. Kumar, R. A. Zargar, D. K. Dwivedi, M. Gupta, P. Kumar, Phys. Solid State, 67, 63–67 (2025).V. Kumar. R. Kumari, P. Kumar, D. K. Dwivedi, V. G. Masih, M. K. Tiwari, N. P. Yadav, J. Surf. Invest., 17, 1168–1171 (2023).V. Kumar. R. Kumari, P. Kumar, D. K. Dwivedi, V. G. Masih, M. K. Tiwari, N. P. Yadav, J. Surf. Invest., 17, 1168–1171 (2023).V. Kumar, R. Kumari, D. K. Sharma, K. Sharma, S. Shukla, A. Agrwal, J. Appl. Spectrosc., 90, 151–154 (2023).V. Kumar, R. Kumari, D. K. Sharma, K. Sharma, S. Shukla, A. Agrwal, J. Appl. Spectrosc., 90, 151–154 (2023).Zulfiquar, Y. Yuan, Q. Jiang, J. Yang, L. Feng, W. Wang, Z. Ye, J. Lu, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 27, 9541–9549 (2016).Zulfiquar, Y. Yuan, Q. Jiang, J. Yang, L. Feng, W. Wang, Z. Ye, J. Lu, J. Mater. Sci. Mater. Electron., 27, 9541–9549 (2016).V. Kumar, D. K. Sharma, A. Agrwal, P. Kumar, Optik, 259, 168991 (2022).V. Kumar, D. K. Sharma, A. Agrwal, P. Kumar, Optik, 259, 168991 (2022).A. S. Wadatkar, P. B. Kharat, A. V. Ambhore, S. G. Onkar, J. Phys. Conf. Ser., 1644, 012059 (2020).A. S. Wadatkar, P. B. Kharat, A. V. Ambhore, S. G. Onkar, J. Phys. Conf. Ser., 1644, 012059 (2020).V. Kumar, S. Juneja, P. Kumar, A. Sharma, D. K. Dwivedi, N. P. Yadav, R. A. Zargar, Mat. Prot., 65, 399–402 (2024).V. Kumar, S. Juneja, P. Kumar, A. Sharma, D. K. Dwivedi, N. P. Yadav, R. A. Zargar, Mat. Prot., 65, 399–402 (2024).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.