Изучены стимулированное излучение, оптические свойства и структурные характеристики необлученных и облученных протонами тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, напыленных на натрийсодержащие стеклянные подложки соиспарением элементов в многостадийном процессе. Исследования пленок проведены с использованием рентгеноструктурного анализа, сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального анализа с энергетической дисперсией, низкотемпературной фотолюминесценции, оптического пропускания и отражения. В необлученных и облученных протонами тонких пленках Cu(In,Ga)Se2 обнаружено стимулированное излучение при низких температурах (~20 К) при возбуждении импульсами лазерного излучения наносекундной длительности с пороговой плотностью мощности ~20 кВт/см2. Показано, что появление и параметры стимулированного излучения сильно зависят от концентрации ионно-индуцированных дефектов в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2.
Stimulated emission, optical properties, and structural characteristics of non-irradiated and proton-irradiated Cu(In,Ga)Se2 thin films deposited on soda lime glass substrates using co-evaporation of elements in a multistage process were investigated. X-ray diffraction analysis, scanning electron microscopy, X-ray spectral analysis with energy dispersion, low-temperature photoluminescence, optical transmittance and reflectance were used to study the films. Stimulated emission at low temperatures of ~20 K was found in non-irradiated and proton-irradiated Cu(In,Ga)Se2 thin films upon excitation by laser pulses of nanosecond duration with a threshold power density of ~20 kW/cm2. It was shown that the appearance and parameters of the stimulated emission depend strongly on the concentration of ion-induced defects in Cu(In,Ga)Se2 thin films.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.