zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-26Research ArticleКРАТКИЕ СООБЩЕНИЯBRIEF COMMUNICATIONSВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ Nd НА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ И СПЕКТРЫ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА GeSINFLUENCE OF Nd IMPURITY ON THE PHOTOCONDUCTIVITY AND OPTICAL ABSORPTION SPECTRUM OF SINGLE CRYSTAL GeSМадатовР. С.MadatovR. S.noemail@neicon.ruАлекперовА. С.AlekperovA. S.noemail@neicon.ruГасановО. М.HasanovO. M.aydin60@inbox.ru, 1959oktay@mail.ruИнститут радиационных проблем НАН АзербайджанаInstitute of Radiation Problems of Azerbaijan National Academy of SciencesАзербайджанский государственный педагогический университетAzerbaijan State Pedagogical University201710032020841154157Copyright © Мадатов Р.С., Алекперов А.С., Гасанов О.М., 20202020Мадатов Р.С., Алекперов А.С., Гасанов О.М.Madatov R.S., Alekperov A.S., Hasanov O.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/26

Исследовано влияние примесей Nd на механизм фотопроводимости и поглощения света в монокристалле GeS. Изучена структура спектров, исследованы экситонные состояния, энергия прямых и непрямых зона-зонных переходов.

The results of research Nd effect of impurities on the mechanism of photoconductivity and absorption of light in a single crystal GeS are present. The structure of the spectra investigated exciton states, the energy of direct and indirect band-to- band transitions has been determined.

спектр поглощенияфотопроводимостьредкоземельный элементанизотропияэкситонные состоянияэкситонно-примесный комплексabsorption spectrumphotoconductivitya rare earth elementanisotropyexciton statesexciton- impurity complexReferencesД. И. Блецкан, В. И. Таран, М. Ю. Сигка. УФЖ, 21, № 9 (1976) 1436-1441Д. И. Блецкан, В. И. Таран, М. Ю. Сигка. УФЖ, 21, № 9 (1976) 1436-1441Д. И. Блецкан, И. Ф. Копинец, П. П. Погорецкий, Е. Н. Салькова, Д. В. Чепур. Кристаллография, 20, № 5 (1975) 1008-1012Д. И. Блецкан, И. Ф. Копинец, П. П. Погорецкий, Е. Н. Салькова, Д. В. Чепур. Кристаллография, 20, № 5 (1975) 1008-1012Д. И. Блецкан, В. Н. Кабацкий, М. М. Блецкан. Современные информационные и электронные технологии, Одесса (2015) 228-229Д. И. Блецкан, В. Н. Кабацкий, М. М. Блецкан. Современные информационные и электронные технологии, Одесса (2015) 228-229Д. И. Блецкан, Д. В. Положинец, Д. В. Чепур. ФТП, 17, № 7 (1983) 1270-1274Д. И. Блецкан, Д. В. Положинец, Д. В. Чепур. ФТП, 17, № 7 (1983) 1270-1274J. Lui, X.-W. Liu. Adv. Mater., 24 (2012) 4097-4111J. Lui, X.-W. Liu. Adv. Mater., 24 (2012) 4097-4111Li Chun, H. Jiang, P. S. Gayatri, Yu Yifei, Cao Linyou. ACS Nano, 9 (2012) 8868-8877Li Chun, H. Jiang, P. S. Gayatri, Yu Yifei, Cao Linyou. ACS Nano, 9 (2012) 8868-8877М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев. ФТП, 32, № 5 (1998) 513-522М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев. ФТП, 32, № 5 (1998) 513-522И. Ф. Мастеров. ФТП, 27, № 9 (1993) 1435-1452И. Ф. Мастеров. ФТП, 27, № 9 (1993) 1435-1452Р. С. Мадатов, А. С. Алекперов, Дж. А. Магеррамова. Кристаллография, 60, № 6 (2015) 921-923Р. С. Мадатов, А. С. Алекперов, Дж. А. Магеррамова. Кристаллография, 60, № 6 (2015) 921-923О. З. Алекперов, М. О. Годжаев, М. З. Зарбалиев, Р. А. Сулейманов. ФТТ, 32, № 10 (1990) 3116-3119О. З. Алекперов, М. О. Годжаев, М. З. Зарбалиев, Р. А. Сулейманов. ФТТ, 32, № 10 (1990) 3116-3119Е. Джонсон. Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уилфдсона, гл. 6, Москва, Мир (1970)Е. Джонсон. Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уилфдсона, гл. 6, Москва, Мир (1970)Э. И. Рашба, Т. Е. Гургенешвили. ФTT, 4, № 5 (1962) 1029-1033Э. И. Рашба, Т. Е. Гургенешвили. ФTT, 4, № 5 (1962) 1029-1033

The authors declare that there are no conflicts of interest present.