zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-27Research ArticleКРАТКИЕ СООБЩЕНИЯBRIEF COMMUNICATIONSТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВОВ СИСТЕМЫ Asx S100-xTHE DEPENDENCE ON TEMPERATURE OF THE REFRACTIVE INDEX OF GLASSY ALLOYS OF THE Asx S100-x SYSTEMШпакИ. И.ShpakI. I.shpak.univ@gmail.comРосолаИ. И.RosolaI. I.noemail@neicon.ruШпакО. И.ShpakO. I.noemail@neicon.ruУжгородский национальный университетUzhgorod National University201710032020841158161Copyright © Шпак И.И., Росола И.И., Шпак О.И., 20202020Шпак И.И., Росола И.И., Шпак О.И.Shpak I.I., Rosola I.I., Shpak O.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/27

Для стеклообразных сплавов системы As-S по разрезу AsхS100-х (0<х<40) в спектральном интервале 1-5 мкм при температурах 77-400 К определен температурный коэффициент показателя преломления dn/dT. Установлено, что в зависимости от состава и длины волны исследуемые стекла имеют отрицательные, нулевое и положительные значения dn/dT. С помощью одноосцилляторной модели проведен анализ спектральной и температурной зависимостей данного коэффициента.

The temperature coefficient of refractive index dn/dT is determined for glassy alloys of the As-S system along the AsхS100-х direction (0 < х < 40) in the spectral interval of 1-5 µm at temperatures of 77-400 K. The glasses in question are shown to take negative, zero and positive values of dn/dT depending on the composition and wavelength. The dependence of the coefficient on spectrum and temperature is studied using a single oscillator model.

халькогенидные стеклатемпературный коэффициент показателя преломленияодноосцилляторная модельполоса поглощенияchalcogenide glassestemperature coefficient of refractive indexsingle oscillator modelabsorption bandReferencesК. К. Шварц. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках, Рига (1896)К. К. Шварц. Физика оптической записи в диэлектриках и полупроводниках, Рига (1896)A. Zakery, S. R. Elliot. J. Non-Gryst. Sol., 330 (2003) 1-12A. Zakery, S. R. Elliot. J. Non-Gryst. Sol., 330 (2003) 1-12J. Pedlikova, J. Zavadil, O. Prochazkova, D. Lezal. J. Optoelectron. Adv. Mater., 9, N 6 (2003) 1679-1682J. Pedlikova, J. Zavadil, O. Prochazkova, D. Lezal. J. Optoelectron. Adv. Mater., 9, N 6 (2003) 1679-1682J. Teteris, М. Reifelde. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5, N 5 (2006) 1355-1360J. Teteris, М. Reifelde. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5, N 5 (2006) 1355-1360А. В. Мезенов, Л. Н. Сомс, А. И. Степанов. Термоoптика твердотельных лазеров, Ленинград, Машиностроение (1986)А. В. Мезенов, Л. Н. Сомс, А. И. Степанов. Термоoптика твердотельных лазеров, Ленинград, Машиностроение (1986)И. Шпак, З. Гадьмаши, И. Росола. Физика и химия стекла, 27, № 6 (2001) 796-799И. Шпак, З. Гадьмаши, И. Росола. Физика и химия стекла, 27, № 6 (2001) 796-799С. В. Свечников, В. В. Химинец, Н. И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике, Киев, Наукова думка (1992)С. В. Свечников, В. В. Химинец, Н. И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике, Киев, Наукова думка (1992)Г. З. Виноградова. Стеклообразование и фазовые превращения в халькогенидных системах, Москва, Наука (1984)Г. З. Виноградова. Стеклообразование и фазовые превращения в халькогенидных системах, Москва, Наука (1984)П. П. Пуга, Д. Ш. Ковач, В. А. Зубань, А. Н. Борец. Метрологическое обеспечение производства и контрольно-измерительная техника, Ужгород (1984) 43-47П. П. Пуга, Д. Ш. Ковач, В. А. Зубань, А. Н. Борец. Метрологическое обеспечение производства и контрольно-измерительная техника, Ужгород (1984) 43-47С. С. Бацанов. Структурная рефрактометрия, Москва, Высшая школа (1979)С. С. Бацанов. Структурная рефрактометрия, Москва, Высшая школа (1979)Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников, Москва, Иностр. лит. (1961)Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников, Москва, Иностр. лит. (1961)S. H. Wemple. Phys. Rev. B, 7, N 8 (1973) 3767-3777S. H. Wemple. Phys. Rev. B, 7, N 8 (1973) 3767-3777А. Н. Борец. УФЖ, 25, № 4 (1980) 680-684А. Н. Борец. УФЖ, 25, № 4 (1980) 680-684Л. Г. Айо, Г. С. Горбунова, В. Ф. Кокорина, В. В. Мельников. ОМП, № 11 (1986) 36-38Л. Г. Айо, Г. С. Горбунова, В. Ф. Кокорина, В. В. Мельников. ОМП, № 11 (1986) 36-38В. Б. Богданов, А. Н. Пихтин, В. Т. Прокопенко, А. Д. Яськов. ФТП, 16, № 3 (1988) 454-469В. Б. Богданов, А. Н. Пихтин, В. Т. Прокопенко, А. Д. Яськов. ФТП, 16, № 3 (1988) 454-469Y. Tsay, B. Bendov, S. S. Mitra. Phys. Rev. B, 8, N 11 (1973) 2688-2694Y. Tsay, B. Bendov, S. S. Mitra. Phys. Rev. B, 8, N 11 (1973) 2688-2694

The authors declare that there are no conflicts of interest present.