zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-273Research Article******ВЛИЯНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ СЕРЫ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ZnS, СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ЗАТРАВОЧНОМ СЛОЕ ZnO МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ В ХИМИЧЕСКОЙ ВАННЕINFLUENCE OF SULFUR CONCENTRATIONS ON THE OPTICAL PROPERTIES OF ZnS FILMS ONTO ZnO SEED LAYER SYNTHESIZED BY CHEMICAL BATH DEPOSITIONÖzütokF. .ÖzütokF. .fatmaozutok@comu.edu.trYakarE. .YakarE. .noemail@neicon.ruУниверситет Чанаккале Онсекиз МартÇanakkale Onsekiz Mart University201810032020853519(1)-519(6)Copyright © Özütok F..., Yakar E..., 20202020Özütok F..., Yakar E...Özütok F..., Yakar E...Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/273

Пленки ZnS синтезированы на затравочном слое ZnO осаждением химических растворов с концентрацией серы 6, 7 и 8 % с отжигом при 500 °С. Рабочие температуры затравочного слоя ZnO и пленок ZnS 50 ± 5 и 70 ± 5 ºC. Измерены структурные, оптические и морфологические характеристики этих пленок. Анализ методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии показал, что пленки S:7 % имеют максимальное элементное отношение серы. Все пленки имеют преимущественную гексагональную [110] ориентацию с различными полными ширинами на уровне половинной амплитуды. Наиболее очевидные наноразмерные образования наблюдались в пленках S:7 %. Пленки S:6 % имеют более высокую оптическую прозрачность (>65 % в видимой области). Анализ спектра фотолюминесценции показал, что с включением серы интенсивности широкой синей и узкой зеленой полос излучения изменяются.

ZnS films were synthesized onto ZnO seed layer by chemical bath deposition (CBD) and annealing at 500ºC. To prepare films, molar percentages of sulfur were chosen as 6, 7, and 8%. Working temperatures of ZnO seed layer and ZnS films were 50 ± 5 and 70 ± 5ºC, respectively. Differences in structural, optical, and morphological properties were measure on those films. EDX analysis shows that S:7% films had the maximum elemental sulfur ratio. All films have ZnS (hexzagonal) [110] preferential orientation with different FWHMs. The most obvious nanorod formations were observed in S:7% films. Additionally, S:6% films had higher optical transparency over 65% in the visible region. Photoluminescence spectrum showed that the broad blue and narrow green emission and intensity were changed upon sulfur inclusion.

пленки ZnSзатравочный слой ZnOосаждение химических растворовфотолюминесценцияультрафиолетовая спектроскопияZnS filmsZnO seed layerchemical bath depositionphotoluminescenceUV-Vis spectroscopyReferencesC. H. Frijters, P. Poodt, A. Illiberi, Solar Energy Mater. Solar Cells, 15, 356-361 (2016).C. H. Frijters, P. Poodt, A. Illiberi, Solar Energy Mater. Solar Cells, 15, 356-361 (2016).Ü. Özgür, D. Hofstetter, H. Morkoc, IEEE 98, 7, 1180-1196 (2010).Ü. Özgür, D. Hofstetter, H. Morkoc, IEEE 98, 7, 1180-1196 (2010).K. Seomoon, J. Lee, P. Jang, C. Jung, K. Kim, Curr. Appl. Phys., 11, 522-526 (2011).K. Seomoon, J. Lee, P. Jang, C. Jung, K. Kim, Curr. Appl. Phys., 11, 522-526 (2011).N. Magayasamy, S. Gandhimathination, V. Veerasamy, Open J. Metal, 3 (2013).N. Magayasamy, S. Gandhimathination, V. Veerasamy, Open J. Metal, 3 (2013).E. Pourshaban, H. Abdizadeha, M. R. Golobostanfard, Proc. Mater. Sci., 11, 352-358 (2015).E. Pourshaban, H. Abdizadeha, M. R. Golobostanfard, Proc. Mater. Sci., 11, 352-358 (2015).J. Song, S. Lim, J. Phys. Chem. C, 111, 596-600 (2007).J. Song, S. Lim, J. Phys. Chem. C, 111, 596-600 (2007).519-6 Z. Alaie, S. M. Nejad, M. H.Yousefi, S. Safarzadeh, Int. J. Nanosci. Nanotechnol., 12, 119-125 (2016).519-6 Z. Alaie, S. M. Nejad, M. H.Yousefi, S. Safarzadeh, Int. J. Nanosci. Nanotechnol., 12, 119-125 (2016).F. Özütok, S. Demiri, Digest J. Nanomater. Biostruct., 12, 309-317 (2017).F. Özütok, S. Demiri, Digest J. Nanomater. Biostruct., 12, 309-317 (2017).Z. Yang, W. Zhong, Y. Deng, C. Au, Y. Du, Nanoscale Res. Lett., 5, 1124-1127 (2010).Z. Yang, W. Zhong, Y. Deng, C. Au, Y. Du, Nanoscale Res. Lett., 5, 1124-1127 (2010).L. Zhu, P. Chen, Y. Guo, Y. Song, X. Xue, X. Cao, Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects, 360, 111-119 (2010).L. Zhu, P. Chen, Y. Guo, Y. Song, X. Xue, X. Cao, Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects, 360, 111-119 (2010).R. R. Thankalekshmi, A.C. Rastogi, J. Appl. Phys., 112, 063708-063718 (2016).R. R. Thankalekshmi, A.C. Rastogi, J. Appl. Phys., 112, 063708-063718 (2016).N. K. Allouche, T. B. Nasr, N. T. Kamouna, C. Guasch, Mater. Chem. Phys., 123, 620-624 (2010).N. K. Allouche, T. B. Nasr, N. T. Kamouna, C. Guasch, Mater. Chem. Phys., 123, 620-624 (2010).P. Hu, G. Gong, F. Zhan, Y. Zhang, R. Li, Y. Cao, Dalton Trans., 45, 2409-2416 (2016).P. Hu, G. Gong, F. Zhan, Y. Zhang, R. Li, Y. Cao, Dalton Trans., 45, 2409-2416 (2016).K. Kim, K. Utashiro, Y. Abe, M. Kawamura, Int. J. Electrochem. Sci., 9, 2080-2089 (2014).K. Kim, K. Utashiro, Y. Abe, M. Kawamura, Int. J. Electrochem. Sci., 9, 2080-2089 (2014).L. Lin, Y. Qiu, Y. Zhang, H. Zhang, Chin. Phys. Soc., 33, 107801-107805 (2016).L. Lin, Y. Qiu, Y. Zhang, H. Zhang, Chin. Phys. Soc., 33, 107801-107805 (2016).S. Golmohammadi, Y. Rouhani, K. Abbasian, A. Rostami, Progres. Electromagn. Res. B, 18, 311-325 (2009).S. Golmohammadi, Y. Rouhani, K. Abbasian, A. Rostami, Progres. Electromagn. Res. B, 18, 311-325 (2009).D. Kurbatov, A.Оpanasyuk, S. Kshnyakına, V. Мelnik, V. Nesprava, Rom. J. Phys., 55, 213-219 (2008).D. Kurbatov, A.Оpanasyuk, S. Kshnyakına, V. Мelnik, V. Nesprava, Rom. J. Phys., 55, 213-219 (2008).C. Persson, Phys. Rev. Lett., 97, 146403-146407 (2006).C. Persson, Phys. Rev. Lett., 97, 146403-146407 (2006).B. D. Viezbicke, S. Patel, B. E. Davis, D. P. Birnie, Phys. Status Solidi B, 252 1700-1710 (2015).B. D. Viezbicke, S. Patel, B. E. Davis, D. P. Birnie, Phys. Status Solidi B, 252 1700-1710 (2015).M. Jaquez, K. M. Yu, M. Ting, M. Hettick, J. F. Sanchez-Royo, M. Wełna, M. Javey, O. D. Dubon, W. Walukiewicz, J. Appl. Phys., 118, 215702-215709 (2015).M. Jaquez, K. M. Yu, M. Ting, M. Hettick, J. F. Sanchez-Royo, M. Wełna, M. Javey, O. D. Dubon, W. Walukiewicz, J. Appl. Phys., 118, 215702-215709 (2015).N. Roy, A. Roy, J. Mater. Sci: Mater. Electron., 25, 1275-1279 (2014).N. Roy, A. Roy, J. Mater. Sci: Mater. Electron., 25, 1275-1279 (2014).X. Wang, S. Liu, P. Chang, Y. Tang, Chin. J. Chem. Phys., 20, 632-636 (2007).X. Wang, S. Liu, P. Chang, Y. Tang, Chin. J. Chem. Phys., 20, 632-636 (2007).Z. Chen, X.X. Li, D. Guoping, Q. Yu, B. Li, X. Huang, Ceram. Int., 40, 13151-13157 (2014).Z. Chen, X.X. Li, D. Guoping, Q. Yu, B. Li, X. Huang, Ceram. Int., 40, 13151-13157 (2014).R. Jayakrishnan, K. Mohanachandran, R. Sreekumar, C. S. Kartha, K. P. Vijayakumar, Mater. Sci. Semiconduct. Proc., 16, 326-331 (2013).R. Jayakrishnan, K. Mohanachandran, R. Sreekumar, C. S. Kartha, K. P. Vijayakumar, Mater. Sci. Semiconduct. Proc., 16, 326-331 (2013).D. A. Reddy, D. H. Kim, S. J. Rhee, B. W. Lee, C. Liu, Nanoscale Res. Lett., 9, 20-28 (2014).D. A. Reddy, D. H. Kim, S. J. Rhee, B. W. Lee, C. Liu, Nanoscale Res. Lett., 9, 20-28 (2014).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.