Показана возможность усиления комбинационного рассеяния света с помощью Au/SiGe- и Au/Ge-подложек, полученных методами химического осаждения слоев SiGe и Ge из газовой фазы при пониженном давлении на кремниевые подложки и термического осаждения золота. На основе анализа поверхности подложек методом сканирующей зондовой микроскопии определена форма образовавшихся наноструктур - конусообразные наностержни. Данные наноструктуры позволяют получить усиление комбинационного рассеяния света митоксантрона (С = 10- 5 М) как минимум на 2-3 порядка. Показано, что при возбуждении гигантского комбинационного рассеяния света (ГКР) на длине волны 785 нм наблюдается дополнительное усиление ГКР-сигнала от 1.7 до 4.3 раза для Au/Ge и от 1.5 до 5.5 раза для Au/SiGe-подложек.
The Raman scattering enhancement is shown using Au/SiGe and Au/Ge substrates obtained by the method of chemical deposition of SiGe and Ge layers from the gaseous phase under reduced pressure on silicon substrates and thermal deposition of gold. AFM image analysis shows the cone-shaped nanorods formed on the surface of the substrates. These nanostructures permit to obtain the enhancement of Raman scattering of mitoxantrone (C = 10- 5 M) up to 2-3 orders as a minimum. Using the 785 nm excitation wavelength, an additional enhancement of the SERS signal in 1.7-4.3 times for the Au/Ge substrates and in 1.5-5.5 times for the Au/SiGe substrates is observed.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.