zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-381Research ArticleКРАТКИЕ СООБЩЕНИЯBRIEF COMMUNICATIONSАНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ КИСЛОРОДА И ГЕЛИЯ, МЕТОДОМ СПЕКТРАЛЬНОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИSPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY STUDY OF SILICON SURFACE IMPLANTED BY THE OXYGEN AND HELIUM IONSБазаровВ. В.BazarovV. V.vbazarov1@gmail.comНуждинВ. И.NuzhdinV. I.noemail@neicon.ruВалеевВ. Ф.ValeevV. F.noemail@neicon.ruЛядовН. М.LyadovN. M.noemail@neicon.ruКазанский физико-технический институт им Е. К. Завойского, обособленное структурное подразделение ФИЦ КазНЦ РАНE. K. Zavoisky Kazan Physical-Technical Institute (KPhTI)201910032020861151154Copyright © Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Лядов Н.М., 20202020Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Лядов Н.М.Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Lyadov N.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/381

Представлены результаты исследований методом спектральной эллипсометрии поверхности кремния, имплантированного ионами кислорода в интервале доз 7.5 × 1014-3.7 × 1016 ион/см2 и ионами гелия в интервале доз 6 × 1016-6 × 1017 ион/см2 с энергией 40 кэВ при постоянной плотности тока в ионном пучке 2 мкА/см2 и комнатной температуре облучаемых подложек. Получены зависимости толщины имплантированного слоя в облученных пластинах и степени его аморфизации от дозы ионной имплантации.

The results of studies by the method of spectral ellipsometry of a surface of silicon implanted with oxygen ions in the dose range of 7.5×1014-3.7×1016 ion/cm2 and helium ions in a dose range of 6×1016-6×1017 ion/cm2 with an energy of 40 keV at constant ion current density 2 μA/cm2 and room temperature of the irradiated substrates are presented. Dependences of the thickness of the implanted layer in irradiated plates and the degree of its amorphization on the dose of ion implantation are obtained.

аморфный кремнийионная имплантацияспектральная эллипсометрияamorphous siliconion implantationspectral ellipsometryReferencesP. Petrik, O. Polga, M. Fried, T. Lohner, N. Q. Khanh, J. Gyulai. J. App. Phys., 93 (2003) 1987-1990P. Petrik, O. Polga, M. Fried, T. Lohner, N. Q. Khanh, J. Gyulai. J. App. Phys., 93 (2003) 1987-1990D. Shamiryan, D. V. Likhachev. Ion Implantation, Ed. M. Goorsky, InTech (2012) 89-104D. Shamiryan, D. V. Likhachev. Ion Implantation, Ed. M. Goorsky, InTech (2012) 89-104V. V. Bazarov, V. F. Valeev, V. I. Nuzhdin, Y. N. Osin, G. G. Gumarov, A. L. Stepanov. Solid State Phenom., 233-234 (2015) 526-529V. V. Bazarov, V. F. Valeev, V. I. Nuzhdin, Y. N. Osin, G. G. Gumarov, A. L. Stepanov. Solid State Phenom., 233-234 (2015) 526-529В. В. Базаров, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, А. Л. Степанов. Журн. прикл. спектр., 83, № 1 (2016) 55-59 [V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, V. V. Vorobev, Yu. N. Osin, A. L. Stepanov. J. Appl. Spectr., 83 (2016) 47-50]В. В. Базаров, В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, А. Л. Степанов. Журн. прикл. спектр., 83, № 1 (2016) 55-59 [V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, V. V. Vorobev, Yu. N. Osin, A. L. Stepanov. J. Appl. Spectr., 83 (2016) 47-50]V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, A. L. Stepanov. Vacuum, 148 (2018) 254-257V. V. Bazarov, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, A. L. Stepanov. Vacuum, 148 (2018) 254-257K. Tsunoda, S. Adachi, M. Takahashi. J. Appl. Phys., 91 (2002) 2936-2941K. Tsunoda, S. Adachi, M. Takahashi. J. Appl. Phys., 91 (2002) 2936-2941K. Kurihara, S. Hikino, S. Adachi. J. Appl. Phys., 96 (2004) 3247-3254K. Kurihara, S. Hikino, S. Adachi. J. Appl. Phys., 96 (2004) 3247-3254К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 47, № 2 (2013) 206-210 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 47 (2013) 242-246]К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 47, № 2 (2013) 206-210 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 47 (2013) 242-246]К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 50, № 8 (2016) 1009-1015 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 12 (2016) 989-995]К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов. ФТП, 50, № 8 (2016) 1009-1015 [K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov. Semiconductors, 12 (2016) 989-995]K. Kimura, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki, T. Aoki, J. Matsuo, A. Agarwal, B. Freer, A. Stevenson, M. Ameen. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 211 (2003) 206-210K. Kimura, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki, T. Aoki, J. Matsuo, A. Agarwal, B. Freer, A. Stevenson, M. Ameen. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 211 (2003) 206-210K. Kimura, S. Joumori, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 219-220 (2004) 351-357K. Kimura, S. Joumori, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki. Nucl. Instr. Method Phys. Res. B, 219-220 (2004) 351-357A. V. Khomich, V. I. Kovalev, E. V. Zavedeev, R. A. Khmelnitskiy, A. A. Gippius. Vacuum, 78 (2005) 583-587A. V. Khomich, V. I. Kovalev, E. V. Zavedeev, R. A. Khmelnitskiy, A. A. Gippius. Vacuum, 78 (2005) 583-587J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. SRIM. The Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM Company (2008)J. F. Ziegler, J. P. Biersack, M. D. Ziegler. SRIM. The Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM Company (2008)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.