<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">zhps</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Журнал прикладной спектроскопии</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">0514-7506</issn><publisher><publisher-name>B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">zhps-46</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА БАРИЯ II. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛОСЫ ПЕРЕХОДОВ И ИХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>THE STUDY OF THE OPTICAL PROPERTIES OF SELENIDE BARIUM CRYSTALS. II. THE ELEMENTAL TRANSITION BANDS AND THEIR FUNDAMENTAL PARAMETERS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Соболев</surname><given-names>В. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Sobolev</surname><given-names>V. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">sobolev@uni.udm.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Мерзляков</surname><given-names>Д. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Merzlyakov</surname><given-names>D. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Соболев</surname><given-names>В. Вал.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Sobolev</surname><given-names>V. Val.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Удмуртский государственный университет</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Udmurt State University</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Удмуртский государственный университет; Ижевский государственный технический университет им. М. Т. Калашникова</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Udmurt State University; M. T. Kalashnikov Izhevsk State Technical University</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2017</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>10</day><month>03</month><year>2020</year></pub-date><volume>84</volume><issue>2</issue><fpage>233</fpage><lpage>239</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Соболев В.В., Мерзляков Д.А., Соболев В.В., 2020</copyright-statement><copyright-year>2020</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Соболев В.В., Мерзляков Д.А., Соболев В.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Sobolev V.V., Merzlyakov D.A., Sobolev V.V.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/46">https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/46</self-uri><abstract><p>Спектральные зависимости мнимых частей диэлектрической проницаемости ε2 (E), объемных (-Imε-1) и поверхностных (-Im(1+ε)-1) характеристических потерь энергии электронов кристалла селенида бария разложены на 34 элементарные полосы в области 3-5.5 эВ при 2 К и в области 5.5-26 эВ при 77 К усовершенствованным методом объединенных диаграмм Арганда. Для каждой полосы спектров трех типов определены энергии максимумов Ei, полуширины Hi, амплитуды Ii, площади Si и силы осцилляторов fi. Параметр fi рассчитан по модифицированной формуле, известной для эффективного количества валентных электронов neff(E). Установлены основные особенности 34 элементарных полос селенида бария в области 3-26 эВ, обусловленных экситонами и междузонными переходами поперечного и продольного типа. </p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The spectral dependences of the imaginary parts of dielectric permittivity ε2 (E), volume (-Imε-)1 and surface (-Im(1+ε)-1) characteristic losses of the electron energy of barium selenide are decomposed into 34 elemental components for the energy ranges from 3 to 5.5 eV at 2 K and from 5.5 to 26 eV at 77 K through the modified method of Argand’s united diagrams. For each band of the spectra of three types the values of energy maximum Ei , half-width Hi , amplitude Ii , square Si , and oscillator strength fi were determined. The fi parameter was calculated using the modified formula known for the effective number of valent electrons neff(E). The features of 34 elementary bands of barium selenide in the range from 3 to 26 eV caused by the excitons and interband transitions of transverse and longitudinal types were established. </p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>селенид бария</kwd><kwd>энергия максимума</kwd><kwd>сила осциллятора</kwd><kwd>диэлектрическая проницаемость</kwd><kwd>объемные и поверхностные потери энергии</kwd><kwd>экситон</kwd><kwd>диаграмма Арганда</kwd><kwd>усовершенствованный метод</kwd><kwd>barium selenide</kwd><kwd>energy of maxima</kwd><kwd>oscillator strengths</kwd><kwd>dielectric permeability</kwd><kwd>volume and surface energy losses</kwd><kwd>exciton</kwd><kwd>Argand diagram</kwd><kwd>improved method</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Соболев, В. В. Немошкаленко. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников, Киев, Наукова думка (1988)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. I. Введение в теорию, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Соболев. Оптические свойства и электронная структура неметаллов. II. Моделирование интегральных спектров элементарными полосами, Москва, Ижевск, Ин-т комп. исслед. (2012)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">T. S. Moss. Optical Properties of Semiconductors, London, Butterworths Sc. Publ. (1959)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">T. S. Moss. Optical Properties of Semiconductors, London, Butterworths Sc. Publ. (1959)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Соболев. Собственные энергетические уровни твердых тел группы A4, Кишинев, Штиинца (1978)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Соболев. Собственные энергетические уровни твердых тел группы A4, Кишинев, Штиинца (1978)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">S. Singh, A. Vij, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Mater. Res. Bull., 45, N 5 (2010) 523-527</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">S. Singh, A. Vij, S. P. Lochab, R. Kumar, N. Singh. Mater. Res. Bull., 45, N 5 (2010) 523-527</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">H. J. Freund. Surf. Sci., 601, N 1 (2007) 1438-1445</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">H. J. Freund. Surf. Sci., 601, N 1 (2007) 1438-1445</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">J. S. Elfimov, S. Yunoki, G. A. Sawatzky. Phys. Rev. Lett., 89, N 21 (2002) 216403(4)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">J. S. Elfimov, S. Yunoki, G. A. Sawatzky. Phys. Rev. Lett., 89, N 21 (2002) 216403(4)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">J. Osorio-Guillen, S. Lany, S. V. Barabash, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 96, N 10 (2006) 107203(4)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">J. Osorio-Guillen, S. Lany, S. V. Barabash, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 96, N 10 (2006) 107203(4)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">M. Dadsetani, A. Pourghazi. Opt. Commun., 266, N 2 (2006) 562-564</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">M. Dadsetani, A. Pourghazi. Opt. Commun., 266, N 2 (2006) 562-564</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">M. Dadsetani, A. Pourghazi. Physica B, 370 (2005) 35-45</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">M. Dadsetani, A. Pourghazi. Physica B, 370 (2005) 35-45</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">H. Nejatipour, M. Dadsetani. Phys. Scr., 90, N 8 (2015) 085802(16)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal. Growth, 86, N 1 (1988) 72-78</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Y. Kaneko, T. Koda. J. Crystal. Growth, 86, N 1 (1988) 72-78</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn., 52, N 12 (1983) 4385-4396</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Y. Kaneko, K. Morimoto, T. Koda. J. Phys. Soc. Jpn., 52, N 12 (1983) 4385-4396</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">V. Val. Sobolev, V. V. Sobolev. Semiconduct. Semimet., 79 (2004) 201-228</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">A. I. Kalugin, V. V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, N 11 (2005) 115112(7)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">A. I. Kalugin, V. V. Sobolev. Phys. Rev. B, 71, N 11 (2005) 115112(7)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">С. В. Шушков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. VIII междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2012) 364-366</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">С. В. Шушков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. VIII междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2012) 364-366</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2014) 372-374</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Д. А. Мерзляков, В. В. Соболев, В. Вал. Соболев. Сб. тр. IX междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2014) 372-374</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2016) 119-120</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, Д. А. Мерзляков, В. Вал. Соболев, Д. В. Анисимов, Е. А. Антонов. Сб. тр. X междунар. конф. “Аморфные и микрокристаллические полупроводники”, СПб, изд-во Политех. ун-та (2016) 119-120</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
