zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-481Research ArticleСтатьиРЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК β-Ga2O3X-RAY INDUCED LUMINESCENCE OF THIN β-Ga2O3 FILMSБордунО. М.BordunO. M.

79005, Львов, ул. Драгоманова, 50

50 Dragomanov Str., L’viv, 79005

bordun@electronics.lnu.edu.uaБордунБ. О.BordunB. O.

79005, Львов, ул. Драгоманова, 50

50 Dragomanov Str., L’viv, 79005

КухарскийИ. И.KukharskyyI. Yo.

79005, Львов, ул. Драгоманова, 50

50 Dragomanov Str., L’viv, 79005

МедвидьИ. И.MedvidI. I.

79005, Львов, ул. Драгоманова, 50

50 Dragomanov Str., L’viv, 79005

Львовский национальный университет им. Ивана ФранкоIvan Franko L’viv National University201916032020866895898Copyright © Бордун О.М., Бордун Б.О., Кухарский И.И., Медвидь И.И., 20202020Бордун О.М., Бордун Б.О., Кухарский И.И., Медвидь И.И.Bordun O.M., Bordun B.O., Kukharskyy I.Y., Medvid I.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/481

В температурном диапазоне 80-300 К исследованы спектры рентгенолюминесценции тонких пленок β-Ga2O3, полученных высокочастотным ионно-плазменным распылением. В рамках модели линейной электрон-фононной связи проведено моделирование измеренных спектров. На основе температурной зависимости выделенных полос люминесценции установлена ассоциативная природа центров люминесценции с максимумами свечения в областях 2.95 и 3.14 эВ и проведен анализ полученных результатов.

X-ray luminescence spectra of β-Ga2O3 thin films obtained by radio-frequency (RF) ion-plasma sputtering in the temperature range of 80-300 K, were investigated. The measured spectra were simulated within the framework of the linear electron-phonon coupling model. On the basis of the temperature dependence of the selected luminescence bands, the associative nature of the selected luminescence centers with luminescence maxima at 2.95 and 3.14 eV is established, and the obtained results are analyzed.

тонкая пленкаоксид галлиярентгенолюминесценцияthin filmsgallium oxideX-ray induced luminescenceReferencesJ.-T. Jan, C.-T. Lee. Sensor. Actuator. B, 143, N 1 (2009) 192—197J.-T. Jan, C.-T. Lee. Sensor. Actuator. B, 143, N 1 (2009) 192—197M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, J. R. Kwo, J. P. Mannaerst, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. A. Thiel. Appl. Phys. Lett., 66, N 5 (1995) 625—627M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, J. R. Kwo, J. P. Mannaerst, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. A. Thiel. Appl. Phys. Lett., 66, N 5 (1995) 625—627J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chin. Phys. Lett., 25, N 10 (2008) 3787—3789J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chin. Phys. Lett., 25, N 10 (2008) 3787—3789L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Yu Lv. Thin Solid Films, 520, N 13 (2012) 4270—4274L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Yu Lv. Thin Solid Films, 520, N 13 (2012) 4270—4274Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, N 3 (2007) 031912 (1—3)Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, N 3 (2007) 031912 (1—3)M. Peres, E. Nogales, B. Mendez, K. Lorenz, M. R. Correia, T. Monteiro, N. Ben Sedrine. ECS J. Sol. State Sci. Technol., 8, N 7 (2019) Q3097–Q3102M. Peres, E. Nogales, B. Mendez, K. Lorenz, M. R. Correia, T. Monteiro, N. Ben Sedrine. ECS J. Sol. State Sci. Technol., 8, N 7 (2019) Q3097–Q3102Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии, Москва, Техносфера (2010)Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии, Москва, Техносфера (2010)О. М. Бордун, И. И. Кухарский, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанец. Журн. прикл. спектр., 81, № 5 (2014) 699—703 [O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, V. B. Lushchanets. J. Appl. Spectr., 81 (2014) 771–775]О. М. Бордун, И. И. Кухарский, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанец. Журн. прикл. спектр., 81, № 5 (2014) 699—703 [O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, V. B. Lushchanets. J. Appl. Spectr., 81 (2014) 771–775]O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. I. Medvid, I. Yo. Kukharskyy. Acta Phys. Pol. A, 133, N 4 (2018) 910—913O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. I. Medvid, I. Yo. Kukharskyy. Acta Phys. Pol. A, 133, N 4 (2018) 910—913T. Owen. Fundamentals of UV-Visible Spectroscopy, Hewlett-Packard GmbH, Waldronn, Germany (1996)T. Owen. Fundamentals of UV-Visible Spectroscopy, Hewlett-Packard GmbH, Waldronn, Germany (1996)О. М. Бордун, Б. О. Бордун, И. И. Кухарский, И. И. Медвидь. Журн. прикл. спектр., 84, № 1 (2017) 56—62 [O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid. J. Appl. Spectr., 84 (2017) 46—51]О. М. Бордун, Б. О. Бордун, И. И. Кухарский, И. И. Медвидь. Журн. прикл. спектр., 84, № 1 (2017) 56—62 [O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid. J. Appl. Spectr., 84 (2017) 46—51]K. Shimamura, E. G. Villora, T. Ujiike, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, N 20 (2008) 201914 (1—3)K. Shimamura, E. G. Villora, T. Ujiike, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, N 20 (2008) 201914 (1—3)Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов, Киев, Техника (1986)Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов, Киев, Техника (1986)W. L. Wanmaker, J. W. ter Vrugt. J. Electrochem. Soc., 116, N 6 (1969) 871—872W. L. Wanmaker, J. W. ter Vrugt. J. Electrochem. Soc., 116, N 6 (1969) 871—872M. R. Lorenz, J. F. Woods, R. J. Gambino. J. Phys. Chem. Sol., 28, N 3 (1967) 403—404M. R. Lorenz, J. F. Woods, R. J. Gambino. J. Phys. Chem. Sol., 28, N 3 (1967) 403—404

The authors declare that there are no conflicts of interest present.