zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-601Research ArticleСтатьиИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО СВЕЧЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ПРИ РЕАКТИВНОМ ИОННО-ПЛАЗМЕННОМ ТРАВЛЕНИИINTERFERENCE OF THE LUMINESCENT GLOW OF SILICON DIOXIDE DURING REACTIVE ION-PLASMA ETCHINGАбрамовА. В.AbramovA. V.

394026, Воронеж

Voronezh, 394026

abramovvgasu@yandex.ruПанкратоваЕ. А.PankratovaE. A.

394026, Воронеж

Voronezh, 394026

СуровцевИ. С.SurovtsevI. S.

394026, Воронеж

Voronezh, 394026

Воронежский государственный технический университетVoronezh State Technical University202007052020872189193Copyright © Абрамов А.В., Панкратова Е.А., Суровцев И.С., 20202020Абрамов А.В., Панкратова Е.А., Суровцев И.С.Abramov A.V., Pankratova E.A., Surovtsev I.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/601

Представлены результаты исследования люминесценции диоксида кремния в процессе его реактивного ионно-плазменного травления, имеющего наибольшую интенсивность в плазме фторсодержащих газов. Установлено, что свечение сопровождается интерференцией. Рассматриваются вероятные механизмы данного явления. Показана возможность использования люминесценции для контроля травления пленки SiO2, а также слоев других материалов, лежащих на ней.

The article presents the results of a study of luminescent glow of silicon dioxide during of its reactive ion-plasma etching, which has the highest intensity in the plasma of fluorinated gases. It is established that this luminescence is accompanied by the phenomenon of interference. Probable mechanisms of this phenomenon are considered. The possibility of using luminescence to control the etching of the SiO2 film, as well as layers of other materials lying on it, is shown.

люминесценцияспектроскопия плазмыреактивное ионно-плазменное травлениедиоксид кремнияluminescenceplasma spectroscopyreactive ion-plasma etchingsilicon dioxideReferencesФ. Ф. Комаров, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, М. А. Моховиков, И. Н. Пархоменко, E. Wendler, W. Wesch, А. В. Мудрый, Г. А. Исмайлова. Журн. прикл. спектр., 80, № 6 (2013) 864—870 [F. F. Komarov, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin, M. A. Makhavikou, I. N. Parkhomenko, E. Wendler, W. Wesch, A. Mudryi, G. A. Ismailova. J. Appl. Spectr., 80 (2013) 855—860]Ф. Ф. Комаров, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, М. А. Моховиков, И. Н. Пархоменко, E. Wendler, W. Wesch, А. В. Мудрый, Г. А. Исмайлова. Журн. прикл. спектр., 80, № 6 (2013) 864—870 [F. F. Komarov, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin, M. A. Makhavikou, I. N. Parkhomenko, E. Wendler, W. Wesch, A. Mudryi, G. A. Ismailova. J. Appl. Spectr., 80 (2013) 855—860]A. П. Барабан, A. С. Бондаренко, В. П. Бондаренко, Ю. В. Петров, К. А. Тимофеев. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 2 (2011) 24—29A. П. Барабан, A. С. Бондаренко, В. П. Бондаренко, Ю. В. Петров, К. А. Тимофеев. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 2 (2011) 24—29А. И. Бажин, Д. В. Гранкин, В. В. Стыров, В. И. Тютюнников. Изв. РАН. Сер. физ., 72, № 7 (2008) 967—971А. И. Бажин, Д. В. Гранкин, В. В. Стыров, В. И. Тютюнников. Изв. РАН. Сер. физ., 72, № 7 (2008) 967—971Б. М. Аюпов, С. Ф. Девятова, В. Г. Ерков, Л. А. Семенова. Микроэлектроника, 37, № 3 (2008) 163—168Б. М. Аюпов, С. Ф. Девятова, В. Г. Ерков, Л. А. Семенова. Микроэлектроника, 37, № 3 (2008) 163—168A. В. Aбрамов, E. A. Aбрамовa, Ю. И. Дикарев, И. С. Суровцев. Журн. прикл. спектр., 71, № 5 (2004) 655—659 [А. V. Аbramov, Е. А. Аbramova, Yu. I. Dikarev, I. S. Surovtsev. J. Appl. Spectr., 71 (2004) 715—720]A. В. Aбрамов, E. A. Aбрамовa, Ю. И. Дикарев, И. С. Суровцев. Журн. прикл. спектр., 71, № 5 (2004) 655—659 [А. V. Аbramov, Е. А. Аbramova, Yu. I. Dikarev, I. S. Surovtsev. J. Appl. Spectr., 71 (2004) 715—720]Д. И. Словецкий. Гетерогенные реакции в неравновесной галогенсодержащей плазме. Химия плазмы, вып. 15, под ред. Б. М. Смирнова, Москва, Энергоатомиздат (1989)Д. И. Словецкий. Гетерогенные реакции в неравновесной галогенсодержащей плазме. Химия плазмы, вып. 15, под ред. Б. М. Смирнова, Москва, Энергоатомиздат (1989)А. Ф. Горбачев, В. В. Стыров, В. М. Толмачев, Ю. И. Тюрин. ЖЭТФ, 91 (1986) 172—189 [A. F. Gorbachev, V. V. Styrov, V. M. Tolmachev, Yu. I. Tyurin. Zh. Eksp. Teor. Fiz., 91 (1986) 172—189]А. Ф. Горбачев, В. В. Стыров, В. М. Толмачев, Ю. И. Тюрин. ЖЭТФ, 91 (1986) 172—189 [A. F. Gorbachev, V. V. Styrov, V. M. Tolmachev, Yu. I. Tyurin. Zh. Eksp. Teor. Fiz., 91 (1986) 172—189]D. L. Flamm. Pure Appl. Chem., 62, N 9 (1990) 1710—1720D. L. Flamm. Pure Appl. Chem., 62, N 9 (1990) 1710—1720

The authors declare that there are no conflicts of interest present.