zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-624Research ArticleСтатьиВЛИЯНИЕ ОБРАТНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА, ФОТОУПРУГОСТИ И ОПТИЧЕСКОЙ АКТИВНОСТИ НА ДИФРАКЦИОННУЮ ЭФФЕКТИВНОСТЬ ПРОПУСКАЮЩИХ ГОЛОГРАММ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ Bi12SiO20INFLUENCE OF INVERSE PIEZOELECTRIC EFFECT, PHOTOELASTICITY, AND OPTICAL ACTIVITY ON THE DIFFRACTION EFFICIENCY OF TRANSMISSING HOLOGRAMS IN PHOTOREFRACTIVE CRYSTAL Bi12SiO20АмановаМ. А.AmanovaM. A.

247760, Мозырь

Mozyr, 247760

maral_amanova@mail.ruШепелевичВ. В.ShepelevichV. V.

247760, Мозырь

Mozyr, 247760

МакаревичА. В.MakarevichA. V.

247760, Мозырь

Mozyr, 247760

НавныкоВ. Н.NavnykoV. N.

247760, Мозырь

Mozyr, 247760

Мозырский государственный педагогический университет им. И. П. ШамякинаI. P. Shamyakin Mozyr State Pedagogical University202008052020872338344Copyright © Аманова М.А., Шепелевич В.В., Макаревич А.В., Навныко В.Н., 20202020Аманова М.А., Шепелевич В.В., Макаревич А.В., Навныко В.Н.Amanova M.A., Shepelevich V.V., Makarevich A.V., Navnyko V.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/624

Представлены результаты теоретических исследований зависимости дифракционной эффективности пропускающих голограмм, сформированных в образце фоторефрактивного кристалла Bi12SiO20, от ориентационного угла, удельного вращения кристалла и его толщины. В теоретической модели учтены линейный электрооптический, обратный пьезоэлектрический и фотоупругий эффекты. Показано, что при изменении знака оптической активности кристалла может иметь место смещение максимумов дифракционной эффективности относительно значений ориентационного угла.

The results of a theoretical study of the dependence of the diffraction efficiency of a transmission hologram formed in a sample of a Bi12SiO20 photorefractive crystal on the orientation angle, specific rotation of the crystal, and its thickness are presented. The theoretical model takes into account linear electrooptical, inverse piezoelectric and photoelastic effects. It is shown that with a change in the sign of the specific rotation of the crystal, there can be a shift of the maximums of diffraction efficiency relative to the orientation angle.

фоторефрактивный кристалллинейный электрооптический эффектобратный пьезоэлектрический эффектфотоупругостьоптическая активностьдифракционная эффективностьBi12SiO20photorefractive crystallinear electro-optical effectinverse piezoelectric effectphotoelasticityoptical activitydiffraction efficiencyBi12SiO20Работа выполнена при поддержке Министерства образования Республики Беларусь (задание 1.2.01 Государственной программы научных исследований “Фотоника, опто- и микроэлектроника”).ReferencesА. А. Изванов, А. Е. Мандель, Н. Д. Хатьков, С. М. Шандаров. Автометрия, № 2 (1986) 79—84А. А. Изванов, А. Е. Мандель, Н. Д. Хатьков, С. М. Шандаров. Автометрия, № 2 (1986) 79—84С. И. Степанов, С. М. Шандаров, Н. Д. Хатьков. ФТТ, 29 , № 10 (1987) 3054—3058С. И. Степанов, С. М. Шандаров, Н. Д. Хатьков. ФТТ, 29 , № 10 (1987) 3054—3058В. В. Шепелевич. ЖТФ, 55 , № 6 (1985) 1201—1203В. В. Шепелевич. ЖТФ, 55 , № 6 (1985) 1201—1203Ф. И. Федоров. Теория гиротропии, Минск, Наука и техника (1976)Ф. И. Федоров. Теория гиротропии, Минск, Наука и техника (1976)Б. В. Бокуть, А. Н. Сердюков. Основы теоретической кристаллооптики, ч. 2, Гомель, ГГУ (1977)Б. В. Бокуть, А. Н. Сердюков. Основы теоретической кристаллооптики, ч. 2, Гомель, ГГУ (1977)В. В. Шепелевич. ЖТФ, 56 , № 3 (1986) 618—619В. В. Шепелевич. ЖТФ, 56 , № 3 (1986) 618—619Л. М. Барковский, Ф. И. Федоров. Кристаллография, 10 , № 2 (1965) 174—180Л. М. Барковский, Ф. И. Федоров. Кристаллография, 10 , № 2 (1965) 174—180А. Е. Мандель, С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич. Письма в ЖТФ, 14 , № 23 (1988) 2147—2151А. Е. Мандель, С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич. Письма в ЖТФ, 14 , № 23 (1988) 2147—2151А. Е. Мандель, С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич. Опт. и спектр., 67 , № 4 (1989) 819—822А. Е. Мандель, С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич. Опт. и спектр., 67 , № 4 (1989) 819—822V. V. Shepelevich, S. M. Shandarov, A. E. Mandel. Ferroelectrics, 110 (1990) 235—249V. V. Shepelevich, S. M. Shandarov, A. E. Mandel. Ferroelectrics, 110 (1990) 235—249A. E. Mandel, S. M. Shandarov, V. V. Shepelevich. Topical Meeting on Photorefractive Materials, Effects, and Devices II. Technical digest, January 17–19, 1990 Aussous, France (1990) 105—108A. E. Mandel, S. M. Shandarov, V. V. Shepelevich. Topical Meeting on Photorefractive Materials, Effects, and Devices II. Technical digest, January 17–19, 1990 Aussous, France (1990) 105—108В. И. Волков, Ю. Ф. Каргин, Н. В. Кухтарев, А. В. Привалко, Т. И. Семенец, С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич. Квант. электрон., 18 , № 10 (1991) 1237—1240В. И. Волков, Ю. Ф. Каргин, Н. В. Кухтарев, А. В. Привалко, Т. И. Семенец, С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич. Квант. электрон., 18 , № 10 (1991) 1237—1240P. Günter, M. Zgonik. Opt. Lett., 16 (1991) 1826—1828P. Günter, M. Zgonik. Opt. Lett., 16 (1991) 1826—1828N. V. Kukhtarev, T. I. Semenets, P. Hribek. Ferroelectrics Lett. Sec., 13 (1991) 29—35N. V. Kukhtarev, T. I. Semenets, P. Hribek. Ferroelectrics Lett. Sec., 13 (1991) 29—35М. П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике, СПб., Наука (1992)М. П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике, СПб., Наука (1992)С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич, Н. Д. Хатьков. Опт. и спектр., 70 , № 5 (1991) 1068—1070С. М. Шандаров, В. В. Шепелевич, Н. Д. Хатьков. Опт. и спектр., 70 , № 5 (1991) 1068—1070В. В. Шепелевич, А. В. Макаревич, С. М. Шандаров, П. И. Ропот, А. Е. Загорский. Изв. вузов. Физика, 58 , № 10 (2015) 74—79В. В. Шепелевич, А. В. Макаревич, С. М. Шандаров, П. И. Ропот, А. Е. Загорский. Изв. вузов. Физика, 58 , № 10 (2015) 74—79В. В. Шепелевич, П. И. Ропот. Способ считывания пропускающей голограммы, записанной в кубическом оптически активном фоторефрактивном кристалле со структурой силленита в диффузионном режиме, патент 13572 от 30.08.2010, Национальный центр интеллектуальной собственности (2010) 1—3В. В. Шепелевич, П. И. Ропот. Способ считывания пропускающей голограммы, записанной в кубическом оптически активном фоторефрактивном кристалле со структурой силленита в диффузионном режиме, патент 13572 от 30.08.2010, Национальный центр интеллектуальной собственности (2010) 1—3

The authors declare that there are no conflicts of interest present.