zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-667Research ArticleСтатьиМЕХАНИЗМ АДГЕЗИОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА С МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ КРЕМНИЕМMECHANISM OF ADHESIVE INTERACTION OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FILMS WITH MONOCRYSTALLINE SILICONБринкевичС. Д.BrinkevichS. D.
220030, Минск
Minsk, 220030
petan@tut.byГринюкЕ. В.GrinyukE. V.
220030, Минск
Minsk, 220030
БринкевичД. И.BrinkevichD. I.
220030, Минск
Minsk, 220030
СвердловР. Л.SverdlovR. L.
220030, Минск
Minsk, 220030
ПросоловичВ. С.ProsolovichV. S.
220030, Минск
Minsk, 220030
ПетлицкийА. Н.PyatlitskiA. N.
220600, Минск
Minsk, 220600
petan@tut.byБелорусский государственный университетBelarusian State UniversityГЦ “Белмикроанализ” ОАО “ИНТЕГРАЛ” — управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”JSC “INTEGRAL” – Holding Management Company202017092020874589594Copyright © Бринкевич С.Д., Гринюк Е.В., Бринкевич Д.И., Свердлов Р.Л., Просолович В.С., Петлицкий А.Н., 20202020Бринкевич С.Д., Гринюк Е.В., Бринкевич Д.И., Свердлов Р.Л., Просолович В.С., Петлицкий А.Н.Brinkevich S.D., Grinyuk E.V., Brinkevich D.I., Sverdlov R.L., Prosolovich V.S., Pyatlitski A.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/667спектр нарушенного полного внутреннего отражениядиазохинон-новолачный фоторезистимплантацияадгезиякремнийspectrum of frustrated total internal reflectiondiazoquinon-novoloc photoresistimplantationadhesionsiliconReferencesA. Kondyurin, M. Bilek. Ion Beam Treatment of Polymers: Application Aspects from Medicine to Space, Elsevier (2015)A. Kondyurin, M. Bilek. Ion Beam Treatment of Polymers: Application Aspects from Medicine to Space, Elsevier (2015)R. J. Composto, R. M. Walters, J. Genze. Mater. Sci Eng.: R: Rep., 38, N 3-4 (2002) 107—180R. J. Composto, R. M. Walters, J. Genze. Mater. Sci Eng.: R: Rep., 38, N 3-4 (2002) 107—180А. Н. Доронин, А. П. Тютнев, В. С. Саенко, Е. Д. Пожидаев. Перспект. материалы, № 2 (2001) 15—22А. Н. Доронин, А. П. Тютнев, В. С. Саенко, Е. Д. Пожидаев. Перспект. материалы, № 2 (2001) 15—22У. Моро. Микролитография. Принципы, методы, материалы, в 2-х ч., Москва, Мир (1990) [W. M. Moreau. Semiconductor Lithography. Principles, Practices and Мaterials, New York, London, Plenum Press (1988)]У. Моро. Микролитография. Принципы, методы, материалы, в 2-х ч., Москва, Мир (1990) [W. M. Moreau. Semiconductor Lithography. Principles, Practices and Мaterials, New York, London, Plenum Press (1988)]Roy Debmalya, P. K. Basu, P. Raghunathan, S. V. Eswaran. Magn. Res. Chem., 41 (2003) 84—90Roy Debmalya, P. K. Basu, P. Raghunathan, S. V. Eswaran. Magn. Res. Chem., 41 (2003) 84—90В. И. Лебедев, В. Е. Котомина, С. В. Зеленцов, Е. С. Леонов, К. В. Сидоренко. Вестн. Нижегород. ун-та. Химия, № 1 (2014) 178—182В. И. Лебедев, В. Е. Котомина, С. В. Зеленцов, Е. С. Леонов, К. В. Сидоренко. Вестн. Нижегород. ун-та. Химия, № 1 (2014) 178—182J. S. Martins, D. G. A. L. Borges, R. C. Machado, A. G. Carpanez, R. M. Grazul, F. Zappa, W. S. Melo, M. L. M. Rocco, R. R. Pinho, C. R. A. Lima. Eur. Polym. J., 59 (2014) 1—7J. S. Martins, D. G. A. L. Borges, R. C. Machado, A. G. Carpanez, R. M. Grazul, F. Zappa, W. S. Melo, M. L. M. Rocco, R. R. Pinho, C. R. A. Lima. Eur. Polym. J., 59 (2014) 1—7Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, С. Д. Бринкевич, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, Р. И. Хайбуллин. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., № 8 (2017) 25—30Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, С. Д. Бринкевич, М. Г. Лукашевич, В. Б. Оджаев, В. Ф. Валеев, В. И. Нуждин, Р. И. Хайбуллин. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., № 8 (2017) 25—30Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев, С. Д. Бринкевич, Ю. Н. Янковский. Микроэлектроника, 48, № 3 (2019) 235—239Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, В. С. Просолович, В. Б. Оджаев, С. Д. Бринкевич, Ю. Н. Янковский. Микроэлектроника, 48, № 3 (2019) 235—239С. А. Вабищевич, С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович. Химия высоких энергий, 54, № 1 (2020) 54—59С. А. Вабищевич, С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович. Химия высоких энергий, 54, № 1 (2020) 54—59Ю. Беккер. Спектроскопия, Москва, Техносфера (2009) [J. Bocker. Spektroskopie. Vogel Industrie Medien GmbH & Co KG. Wurzburg (1997)]Ю. Беккер. Спектроскопия, Москва, Техносфера (2009) [J. Bocker. Spektroskopie. Vogel Industrie Medien GmbH & Co KG. Wurzburg (1997)]Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. Б. Оджаев, В. С. Просолович. Микроэлектроника, 43, № 3 (2014) 193—199Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. Б. Оджаев, В. С. Просолович. Микроэлектроника, 43, № 3 (2014) 193—199R. D. Priestley, C. J. Ellison, L. J. Broadbelt, J. M. Torkelson. Science, 309, N 5733 (2005) 456—459R. D. Priestley, C. J. Ellison, L. J. Broadbelt, J. M. Torkelson. Science, 309, N 5733 (2005) 456—459Б. Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, Москва, МГУ (2012)Б. Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, Москва, МГУ (2012)Э. Преч, Ф. Бюльманн, К. Аффольтер. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных, Москва, Мир, Бином (2006)Э. Преч, Ф. Бюльманн, К. Аффольтер. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных, Москва, Мир, Бином (2006)Lu Xiaolin, Mi Yongli. Macromolecules, 38, N 3 (2005) 839—843Lu Xiaolin, Mi Yongli. Macromolecules, 38, N 3 (2005) 839—843В. С. Просолович, Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, Е. В. Гринюк, Ю. Н. Янковский. Матер. 13 междунар. конф. “Взаимодействие излучений с твердым телом”, Минск, 30.09—3.10.2019, Минск, Изд. центр БГУ (2019) 169—171В. С. Просолович, Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, Е. В. Гринюк, Ю. Н. Янковский. Матер. 13 междунар. конф. “Взаимодействие излучений с твердым телом”, Минск, 30.09—3.10.2019, Минск, Изд. центр БГУ (2019) 169—171J. Hanisch, K. Hinrichs, J. Rappich. ACS Appl. Matter. Interfaces, 11, N 34 (2019) 31434—31440J. Hanisch, K. Hinrichs, J. Rappich. ACS Appl. Matter. Interfaces, 11, N 34 (2019) 31434—31440
The authors declare that there are no conflicts of interest present.