zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Scienceszhps-755Research ArticleСтатьиВычисление плотности электронных состояний в валентной зоне из экспериментального спектра межзонного поглощения аморфных полупроводниковCalculation of the Density Distribution of Electronic States in the Valence Band from the Experimental Spectrum of Interband Absorption of Amorphous SemiconductorsИкрамовР. Г.IkramovR. G.

Икрамов Рустамжон Гуломжонович.

160115, Наманган.

Namangan, 160115.

rgikramov@mail.ruНуриддиноваМ. А.NuriddinovaM. A.

Нуриддинова Машхура Анварбековна.

160115, Наманган.

Namangan, 160115.

sirius-73@mail.ruМуминовХ. А.MuminovK. A.

Муминов Хуршид Адхамжон угли.

160115, Наманган.

Namangan, 160115.

xamuminov@mail.ruНаманганский инженерно технологический институтNamangan Engineering and Technology InstituteНаманганский инженерно-технологический институтNamangan Engineering and Technology Institute202122032021883378382Copyright © Икрамов Р.Г., Нуриддинова М.А., Муминов Х.А., 20212021Икрамов Р.Г., Нуриддинова М.А., Муминов Х.А.Ikramov R.G., Nuriddinova M.A., Muminov K.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/755

Для аморфного углерода сопоставлены результаты эксперимента и расчета плотности электронных состояний из аналитического вида спектра межзонного поглощения. Из аналитического вида спектра межзонного поглощения также определены коэффициент пропорциональности и энергетическая ширина щели подвижности как подгоночные параметры. Для спектра межзонного поглощения, описанного методом приближения Дэвиса—Мотта по формуле Кубо—Гринвуда, для параболических разрешенных зон получено выражение для определения плотности электронных состояний в валентной зоне аморфных полупроводников. С использованием этого выражения и спектра межзонного поглощения, полученного из эксперимента для аморфного углерода, показана возможность определения плотности электронных состояний в валентной зоне.

For amorphous carbon there are compared the results of the experiment and calculation of the density of electronic states from the analytical form of the interband absorption spectrum. From the analytical form of the interband absorption spectrum the proportionality coefficient and the energy width of the mobility gap were also determined as adjustable parameters. For the interband absorption spectrum, described by the Davis-Mott approximation method according to the Kubo-Greenwood formula, for the parabolic allowed bands, a new expression is obtained that determines the density of electronic states in the valence band of amorphous semiconductors. Using this formula and the value of the interband absorption spectrum obtained from the experiment for amorphous carbon, the possibility of determining the density of electronic states in the valence band is shown.

аморфные полупроводникипараболические разрешенные зоныформула Кубо—Гринвудаметод приближения Дэвиса—Моттамежзонный оптический переход электроновспектр межзонного поглощенияэнергетическая ширина щели подвижностираспределение плотности электронных состоянийamorphous semiconductorsparabolic allowed bandsKubo-Greenwood formulaDavis-Mott approximation methodinterband optical transitions of electronsinterband absorption spectrumenergy mobility gapdistribution of the density of electronic statesReferencesJ. R. A. Abanto. On the Fundamental Absorption of Amorphous Semiconductors, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Lima (2016)J. R. A. Abanto. On the Fundamental Absorption of Amorphous Semiconductors, Pontificia Universidad Catolica del Peru, Lima (2016)J. Taus. In: Optical Properties of Solids, Ed. F. Abeles, North-Holland, Amsterdam (1972) 277—314J. Taus. In: Optical Properties of Solids, Ed. F. Abeles, North-Holland, Amsterdam (1972) 277—314S. Zaynobidinov, R. G. Ikramov, M. A. Nuritdinova, R. M. Zhalalov. Ukr. J. Phys., 53, N 8 (2008) 789—793S. Zaynobidinov, R. G. Ikramov, M. A. Nuritdinova, R. M. Zhalalov. Ukr. J. Phys., 53, N 8 (2008) 789—793С. Зайнобидинов, Р. Г. Икрамов, Р. М. Жалалов, М. А. Нуритдинова. Опт. и спектр., 110, № 5 (2o11) 813—818С. Зайнобидинов, Р. Г. Икрамов, Р. М. Жалалов, М. А. Нуритдинова. Опт. и спектр., 110, № 5 (2011) 813—818В. И. Фистуль. Введения в физику полупроводников, Москва, Высшая школа (1984)В. И. Фистуль. Введения в физику полупроводников, Москва, Высшая школа (1984)Р. Г. Икрамов. Естеств. и техн. науки, 6 (2oo7) 58—63Р. Г. Икрамов. Естеств. и техн. науки, 6 (2007) 58—63С. Зайнобидинов, Р. Г. Икрамов, Р. М. Жалалов. Журн. прикл. спектр., 78, № 2 (2o11) 243—247S. Zaynobidinov, R. G. Ikramov, R. M. Jalalov. J. Appl. Spectr., 78 (2011) 223—227G. D. Cody. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, B. Optical Properties, Ed. J. I. Pankove, Academic, New York (1984) 11—82G. D. Cody. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, B. Optical Properties, Ed. J. I. Pankove, Academic, New York (1984) 11—82N. F. Mott, E. A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, Clarendon Press, Oxford (1979)N. F. Mott, E. A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, Clarendon Press, Oxford (1979)А. А. Андреев, И. С. Шлимак. В кн.: Фотоприемники и фотопреобразователи. Сб. науч. тр. АН СССР ФТИ им. Иоффе, Ленинград, Наука (1986)А. А. Андреев, И. С. Шлимак. В кн.: Фотоприемники и фотопреобразователи. Сб. науч. тр. АН СССР ФТИ им. Иоффе, Ленинград, Наука (1986)А. А. Пронкин, А. В. Костановский. Теплофизика высоких температур, 53, № 2 (2o15) 312—314А. А. Пронкин, А. В. Костановский. Теплофизика высоких температур, 53, № 2 (2015) 312—314Е. А. Коншина. Аморфный гидрогенизированный углерод и применение его в оптических устройствах, Санкт-Петербург, НИУ ИТМО (2o1o)Е. А. Коншина. Аморфный гидрогенизированный углерод и применение его в оптических устройствах, Санкт-Петербург, НИУ ИТМО (2010)И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов, Москва, Наука, Физматлит (1986)И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов, Москва, Наука, Физматлит (1986)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.