79005, Львов
L’viv, 79005
79005, Львов
L’viv, 79005
79005, Львов
L’viv, 79005
79005, Львов
L’viv, 79005
Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.
The long-wave edge of the fundamental absorption band of β-Ga2O3 thin films obtained by the method of radio-frequency ion-plasma sputtering is studied. It is shown that during annealing offilms in oxygen, argon, and hydrogen, the edge of the interzone absorption is well approximated by the Urbach empirical rule. To analyze the experimental results, the model of a heavily doped or defective semiconductor in the quasiclassical approximation was used. The use of this model allowed determining the radius of the basic electronic state a, the shielding radius rs, and the root-mean-square potential А.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.