Луганск
Lugansk
Донецк
Donetsk
Киев
Kyiv
Донецк
Donetsk
Представлены результаты эллипсометрических, рентгеноструктурных и спектральных исследований пленок In2O3, полученных методом dc-магнетронного распыления на подложках Al2O3 (012). Интерпретация данных проведена в рамках трехслойной модели пленки. Предположено, что в начале напыления на поверхности подложки формируются крупные частицы материала, затем размер кристаллитов становится меньше и они заполняют промежутки между более крупными частицами, после чего процесс формирования пленки переходит в стационарный режим. На границе раздела между пленкой и подложкой установлено наличие переходного слоя с шириной запрещенной зоны 1.39 эВ, показателем преломления ~3 и толщиной 25 нм. Свойства этого слоя не зависят от времени напыления.
The results of ellipsometric, X-ray, and spectral studies of In2O3 films deposited by dc-magnetron sputtering on Al2O3 (012) substrates are presented. The experimental data are interpreted in terms of the three-layer model of the film. As a result, it is assumed that large particles of the material are formed on the substrate surface at the beginning of the deposition process, and then the size of the crystallites decreases and they fill the gaps between the larger particles. After that, the film formation goes into the stationary mode. The presence of a transition layer with a band-gap of 1.39 eV, refractive index of about 3, and thickness of 25 nm is shown at the interface between film and substrate. The properties of this layer do not depend on the deposition time.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.