zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences10.47612/0514-7506-2021-88-6-895-899zhps-936Research ArticleСтатьиВлияние плотности поверхностных V-дефектов на лазерные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами, выращенных на кремниевых подложкахEffect of the density of surface V-defects on laser properties of InGaN/GaN heterosctructures with multiple quantum wells grown on silicon substratesДанильчикА. В.DanilchykA. V.

Минск

Minsk

a.danilchyk@ifanbel.bas-net.byНагорныйА. В.NagornyiA. V.

Минск

Minsk

РжеуцкийН. В.RzheutskyiN. V.

Минск

Minsk

ВойниловичА. Г.VoinilovichA. G.

Минск

Minsk

ПавловскийВ. Н.PavlovskyiV. N.

Минск

Minsk

ЛуценкоЕ. В.LutsenkoE. V.

Минск

Minsk

Институт физики НАН БеларусиB. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Belarus202128112021886895899Copyright © Данильчик А.В., Нагорный А.В., Ржеуцкий Н.В., Войнилович А.Г., Павловский В.Н., Луценко Е.В., 20212021Данильчик А.В., Нагорный А.В., Ржеуцкий Н.В., Войнилович А.Г., Павловский В.Н., Луценко Е.В.Danilchyk A.V., Nagornyi A.V., Rzheutskyi N.V., Voinilovich A.G., Pavlovskyi V.N., Lutsenko E.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/936

Исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами (МКЯ), выращенных на кремниевых подложках, с различными толщинами квантовых ям при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия и плотностью V-дефектов. Показано, что с ростом плотности V-дефектов происходит увеличение пороговой плотности мощности возбуждения генерации гетероструктур InGaN/GaN с МКЯ. 

We investigated the radiative properties of InGaN/GaN heterostructures with multiple quantum wells (MQWs) grown on silicon substrates with different thicknesses of quantum wells at optical excitation. The correlation of laser and photoluminescent properties with the surface morphology of the gallium nitride coating layers and the density of V-defects has been established. It is shown that, with a growth in the density of V-defects, the threshold power density of the excitation of the generation of InGaN/GaN heterostructures with MQWs increases. 

гетероструктурагенерация лазерного излученияквантовые ямыповерхностный V-дефектInGaNGaNморфология поверхностиheterostructuregeneration of laser radiationquantum wellssurface V-defectsInGaNGaNsurface morphologyReferencesO. Moutanabbir, U. Gösele. Ann. Rev. Mater. Res., 40 (2010) 469—500O. Moutanabbir, U. Gösele. Ann. Rev. Mater. Res., 40 (2010) 469—500E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. I. Stognij, A. L. Gurskii, V. A. Hryshanau, A. S. Shulenkov, G. P. Yablonskii, O. Schön, H. Protzmann, M. Lünenbürger, B. Schineller, Y. Dikme, R. H. Jansen, M. Heuken. Phys. Status Solidi (c), N 1 (2002) 272—275E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. I. Stognij, A. L. Gurskii, V. A. Hryshanau, A. S. Shulenkov, G. P. Yablonskii, O. Schön, H. Protzmann, M. Lünenbürger, B. Schineller, Y. Dikme, R. H. Jansen, M. Heuken. Phys. Status Solidi (c), N 1 (2002) 272—275A. L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, G. P. Yablonskii, Y. Dikme, A. Szymakovski, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Symp. Compd. Semicond. Post-Conf. Proc., 25–27 August, San Diego, USA IEEE (2003) 197—203A. L. Gurskii, E. V. Lutsenko, V. N. Pavlovskii, V. Z. Zubialevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, G. P. Yablonskii, Y. Dikme, A. Szymakovski, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Symp. Compd. Semicond. Post-Conf. Proc., 25–27 August, San Diego, USA IEEE (2003) 197—203S. Guha, N. A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 73, N 11 (1998) 1487—1489S. Guha, N. A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 73, N 11 (1998) 1487—1489Dabing Li. Sci. Bull., 61, N 22 (2016) 1723—1725Dabing Li. Sci. Bull., 61, N 22 (2016) 1723—1725E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, N. P. Tarasuk, A. V. Andryieuski, V. N. Pavlovskii, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status Solidi, 5, N 6 (2008) 2263—2266E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, N. P. Tarasuk, A. V. Andryieuski, V. N. Pavlovskii, A. L. Gurskii, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, Y. Dikme, B. Schineller, M. Heuken. Phys. Status Solidi, 5, N 6 (2008) 2263—2266V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, A. V. Muravitskaya, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Conf. Adv. Optoelectron. Lasers, 10–14 September, Sevastopol, Ukraine IEEE (2010) 265—267V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, A. V. Danilchyk, V. Z. Zubialevich, A. V. Muravitskaya, G. P. Yablonskii, H. Kalisch, R. H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. Int. Conf. Adv. Optoelectron. Lasers, 10–14 September, Sevastopol, Ukraine IEEE (2010) 265—267V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, N 8(2) (2013) 10—14V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Tsyuk, A. Zubrilov, Y. Shreter. Jpn. J. Appl. Phys., 52, N 8(2) (2013) 10—14H. Wang, Q. Tan, X. He. JETP Lett., 112, N 3 (2020) 157—160H. Wang, Q. Tan, X. He. JETP Lett., 112, N 3 (2020) 157—160S. W. Chen, C. J. Chang, T. C. Lu. Crystals, 10, N 4 (2020) 311—321S. W. Chen, C. J. Chang, T. C. Lu. Crystals, 10, N 4 (2020) 311—321X. Wang, F. Liang, D. Zhao, Z. Liu, J. Zhu, J. Yang. Nanoscale Res. Lett., 15, N 1 (2020) 191—201X. Wang, F. Liang, D. Zhao, Z. Liu, J. Zhu, J. Yang. Nanoscale Res. Lett., 15, N 1 (2020) 191—201Hung Ling Tsai, Ting Yu Wang, Jer Ren Yang, Chang Cheng Chuo, Jung Tsung Hsu, Zhe Chuan Feng, Makoto Shiojiri. Mater. Transact., 48, N 5 (2007) 894—898Hung Ling Tsai, Ting Yu Wang, Jer Ren Yang, Chang Cheng Chuo, Jung Tsung Hsu, Zhe Chuan Feng, Makoto Shiojiri. Mater. Transact., 48, N 5 (2007) 894—898

The authors declare that there are no conflicts of interest present.