zhpsЖурнал прикладной спектроскопииZhurnal Prikladnoii Spektroskopii0514-7506B. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences10.47612/0514-7506-2022-89-1-43-50zhps-968Research ArticleII. МОЛЕКУЛЯРНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯMOLECULAR SPECTROSCOPYЧисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводникаVertical Pure Electronic Optical Transition and Semiconductor Direct Band GapТолкачёвВ. А.TolkachevV. A.

Минск

Minsk

tolkachev@ifanbel.bas-net.byИнститут физики НАН БеларусиB. I. Stepanov Institute of Physics of the National Academy of Sciences of Belarus2022020220228914350Copyright © Толкачёв В.А., 20222022Толкачёв В.А.Tolkachev V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://zhps.ejournal.by/jour/article/view/968

С положительным результатом тестируется возможность применения метода определения частоты чисто электронного перехода по молекулярным диффузным вибронным спектрам к определению ширины прямой запрещенной зоны (энергетической щели) полупроводников. Данным методом из спектра фотопроводимости определяется ширина прямой запрещенной зоны между валентной зоной и зоной фотопроводимости.

It is shown that the method of determining the frequency of pure electronic transition from molecular diffuse vibrational spectra is applicable for the estimation of a semiconductor direct band gap. This method is used to determine the direct band gap between the valence band and the photoconductivity band from the photoconductivity spectrum.

полупроводникзапрещенная зонафотопроводимостьзапрещенная зона фотопроводимостиоднородность полупроводникаsemiconductorband gapphotoconductivityphotoconductivity band gapsemiconductor homogeneityReferencesВ. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 84 (2017) 673—679.V. A. Tolkachev. J. Appl. Spectr., 84 (2017) 668—673.В. А. Толкачев. Докл. АН Беларуси, 61, № 5 (2017) 50—55.В. А. Толкачев. Докл. АН Беларуси, 61, № 5 (2017) 50—55.V. A. Tolkachev. SCIREA J. Phys., 5, N 4 (2020) 69—79.V. A. Tolkachev. SCIREA J. Phys., 5, N 4 (2020) 69—79.В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 86, № 3 (2019) 464—467.V. A. Tolkachev. J. Appl. Spectr., 86 (2019) 504—507, doi: 10.1007/s10812-019-00848-8V. A. Tolkachev, A. P. Blokhin. Sci. J. Anal. Chem., 7 (2019) 76—82.V. A. Tolkachev, A. P. Blokhin. Sci. J. Anal. Chem., 7 (2019) 76—82.V. A. Tolkachev. Am. J. Appl. Chem., 8, N 5 (2020) 121—125.V. A. Tolkachev. Am. J. Appl. Chem., 8, N 5 (2020) 121—125.J. Aberg. Phys. Rev., 8 (2018) 011019.J. Aberg. Phys. Rev., 8 (2018) 011019.D. J. Evans, D. J. Searles. Adv. Phys., 51, N 7 (2002) 1529—1585.D. J. Evans, D. J. Searles. Adv. Phys., 51, N 7 (2002) 1529—1585.J. Kurchan. A Quantum Fluctuation Theorem.; arXiv:cond-mat/0007360v2 [cond-mat.stat-mech] 16 Aug. 2001.J. Kurchan. A Quantum Fluctuation Theorem.; arXiv:cond-mat/0007360v2 [cond-mat.stat-mech] 16 Aug. 2001.В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 87, № 6 (2021) 1005—1009.V. A. Tolkachev. J. Appl. Spectr., 87 (2021) 1131—1134.В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 85, № 5 (2018) 740—744.V. A. Tolkachev. J. Appl. Spectr., 85 (2018) 845—849.E. H. Kennard. Phys. Rev., 11 (1918) 29—38.E. H. Kennard. Phys. Rev., 11 (1918) 29—38.E. Merritt. Phys. Rev., 28 (1926) 684—694.E. Merritt. Phys. Rev., 28 (1926) 684—694.Д.И. Блохинцев. ЖЭТФ, 9 (1939) 459.Д.И. Блохинцев. ЖЭТФ, 9 (1939) 459.В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 85, № 2 (2018) 199—204.V. A. Tolkachev. J. Appl. Spectr., 85 (2018) 220—224.P. Grosse, K. Winzer. Phys. Status Solidi, 26 (1968) 139—150.P. Grosse, K. Winzer. Phys. Status Solidi, 26 (1968) 139—150. [Springer Trends in Modern Physics, 48, IV (1969).]J. S. Blakemore, K. C. Nomura. Phys. Rev., 127 (1962) 1024—1029.J. S. Blakemore, K. C. Nomura. Phys. Rev., 127 (1962) 1024—1029.W. H. Strehlow, E. L. Cook. J. Phys. Chem. Ref. Data, 2 (1973) 163—199.W. H. Strehlow, E. L. Cook. J. Phys. Chem. Ref. Data, 2 (1973) 163—199.S. Tutihasi, G. G. Roberts, R. C. Keezer, R. E. Drews. Phys. Rev., 177, N 3 (1969) 1143—1150.S. Tutihasi, G. G. Roberts, R. C. Keezer, R. E. Drews. Phys. Rev., 177, N 3 (1969) 1143—1150.J. Stuke. J. Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 1—26.J. Stuke. J. Non-Cryst. Solids, 4 (1970) 1—26.B. L. Evans, P. A. Yong. Proc. Roy. Soc., A 297 (1967) 230—243.B. L. Evans, P. A. Yong. Proc. Roy. Soc., A 297 (1967) 230—243.F. Kosek, J. Tauc. Czech. J. Phys., B 20 (1970) 94—100.F. Kosek, J. Tauc. Czech. J. Phys., B 20 (1970) 94—100.K. J. Siemsen, E. W. Fenton. Phys. Rev., 161, N 3 (1967) 632—636.K. J. Siemsen, E. W. Fenton. Phys. Rev., 161, N 3 (1967) 632—636.H. P. D. Lanyon. Phys. Rev., 130 (1) (1963) 134—143.H. P. D. Lanyon. Phys. Rev., 130 (1) (1963) 134—143.A. B. Murphy. Solar Energy Mater. Sol. Cell., 91 (2007) 1326—1337.A. B. Murphy. Solar Energy Mater. Sol. Cell., 91 (2007) 1326—1337.Sh. U. M. Khan, M. Al-Shahry, W. B. Inger Jr. Science, 297 (2002) 2243—2245.Sh. U. M. Khan, M. Al-Shahry, W. B. Inger Jr. Science, 297 (2002) 2243—2245.J. F. Muth, R. M. Kollas, A. K. Sharma, S. Oktyabrsky, J. Narayan. J. Appl. Phys., 85 (1999) 7884—7887.J. F. Muth, R. M. Kollas, A. K. Sharma, S. Oktyabrsky, J. Narayan. J. Appl. Phys., 85 (1999) 7884—7887.Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshnikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morcoç. J. Appl. Phys., 98 (2005) 041301.Ü. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshnikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morcoç. J. Appl. Phys., 98 (2005) 041301.H. K. Rockstad. J. Non-Cryst. Sol., 2 (1970) 192—202.H. K. Rockstad. J. Non-Cryst. Sol., 2 (1970) 192—202.K. Weiser, M. H. Brodsky. Phys. Rev. B, 1, N 2 (1970) 791—799.K. Weiser, M. H. Brodsky. Phys. Rev. B, 1, N 2 (1970) 791—799.J. L. Hartke, P. J. Regensburger. Phys. Rev., 139, N 3 (1965) A970—A980.J. L. Hartke, P. J. Regensburger. Phys. Rev., 139, N 3 (1965) A970—A980.P. K. Weimer. Phys. Rev., 79 (1950) 171.P. K. Weimer. Phys. Rev., 79 (1950) 171.M. A. Gilleo. J. Chem. Phys., 19, N 10 (1951) 1291—1297.M. A. Gilleo. J. Chem. Phys., 19, N 10 (1951) 1291—1297.W. C. Dash, R. Newman. Phys. Rev., 99, N 4 (1955) 1151—1155.W. C. Dash, R. Newman. Phys. Rev., 99, N 4 (1955) 1151—1155.H. A. Weakliem, D. Redfield. J. Appl. Phys., 50, N 3 (1979) 1491—1493.H. A. Weakliem, D. Redfield. J. Appl. Phys., 50, N 3 (1979) 1491—1493.В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 87, № 3 (2020) 498—503.В. А. Толкачёв. Журн. прикл. спектр., 87, № 3 (2020) 498—503. [V. A. Tolkachev. J. Appl. Spectr., 87 (2020) 525—530.]

The authors declare that there are no conflicts of interest present.