ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ГИБРИДНЫХ СТРУКТУР ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ-ОКСИД ЦИНКА

Методом электрохимического осаждения на поверхности пористого кремния выращены оптически прозрачные в видимой области спектра массивы наноструктур ZnO. Изучены спектры возбуждения и излучения фотолюминесценции полученных гибридных структур в диапазонах 220-450 и 400-800 нм. Установлено, что многоцветная фотоэмиссия образуется сочетанием полос люминесценции наноструктур пористого кремния и оксида цинка. Показана возможность управления спектром фотолюминесценции за счет изменения энергии возбуждения. Обнаружено влияние термического отжига на люминесцентные свойства гибридных структур пористый кремний-оксид цинка. Термообработка при температуре 500^оС приводит к резкому ослаблению люминесценции в длинноволновой части спектра, ассоциируемой с пористым кремнием, и увеличению интенсивности люминесценции в коротковолновой области, связанной с излучением оксида цинка.

пористый кремний, оксид цинка, фотолюминесценция, светопропускание, porous silicon, zinc oxide, photoluminescence, light transmittance

1. O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38 (2000) 1-126

2. H. Föll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mat. Sci. Eng. R., 39 (2002) 93-141

3. B. Ünal, A. N. Parbukov, S. C. Bayliss. Opt. Mater., 17 (2001) 79-82

4. A. G. Cullis, L. T. Canham, P. D. J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (1997) 909-965

5. I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii, O. I. Aksimentyeva, B. S. Sokolovskii. Electron. Mater. Lett., 9 (2013) 257-260

6. L. S. Monastyrskii, O. I. Aksimentyeva, I. B. Olenych, B. S. Sokolovskii. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 589 (2014) 124-131

7. A. M. Dorofeev, N. V. Gaponenko, V. P. Bondarenko, E. E. Bachilo, N. M. Kazuchits, A. A. Leshok, G. N. Troyanova, N. N. Vorosov, V. E. Borisenko, H. Gnaser, W. Bock, P. Becker, H. Oechsner. J. Appl. Phys., 77 (1995) 2679-2683

8. N. V. Gaponenko. Acta Phys. Pol. A, 112 (2007) 737-749

9. Z. L. Wang. J. Phys.: Condens. Mat., 16 (2004) R829-R858

10. Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton, J. R. LaRoche. Mat. Sci. Eng. R., 47 (2004) 1-47

11. V. Kapustianyk, B. Turko, I. Luzinov, V. Rudyk, V. Tsybulskyi, S. Malynych, Yu. Rudyk, M. Savchak. Phys. Status Solidi C, 11 (2014) 1501-1504

12. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, P. Yang. Adv. Mater., 14 (2002) 158-160

13. Н. П. Клочко, Е. С. Клепикова, Г. С. Хрипунов, Н. Д. Волкова, В. Р. Копач, В. Н. Любов, М. В. Кириченко, А. В. Копач. ФТП, 49 (2015) 219-229 [N. P. Klochko, K. S. Klepikova, G. S. Khrypunov, N. D. Volkova, V. R. Kopach, V. M. Lyubov, M. V. Kirichenko, A. V. Kopach. Semiconductors, 49 (2015) 214-223]

14. R. G. Singh, F. Singh, V. Agarwal, R. M. Mehra. J. Phys. D: Appl. Phys., 40 (2007) 3090-3093

15. K. Keramatnejad, F. Khorramshahi, S. Khatami, E. Asl-Soleimani. Opt. Quant. Electron., 47 (2015) 1739-1749

16. L. Martinez, O. Ocampo, Y. Kumar, V. Agarwal. Nanoscale Res. Lett., 9 (2014) 437 (6 pp)

17. G. P. Yablonskii, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, V. Z. Zubialevich, A. L. Gurskii, H. Kalisch, A. Szymakowski, R. H. Jansen, A. Alam, B. Schineller, M. Heuken. Appl. Phys. Lett., 85 (2004) 5158-5160

18. G. P. Yablonskii, E. V. Lutsenko, I. P. Marko, V. N. Pavlovskii, A. V. Mudryi, A. I. Stognij, O. Schön, H. Protzmann, M. Lünenbürger, B. Schineller, M. Heuken, K. Heime. Phys. Status Solidi A, 180 (2000) 149-155

19. V. Z. Zubialevich, S. N. Alam, H. N. Li, P. J. Parbrook. J. Phys. D: Appl. Phys., 49 (2016) 385105

20. J. J. Wu, S. C. Liu. Adv. Mater., 14 (2002) 215-218

21. K. M. K. Srivatsa, D. Chhikara, M. S. Kumar. J. Mater. Sci. Technol., 27 (2011) 701-706

22. K. B. Sundaram, A. Khan. Thin Solid Films, 295 (1997) 87-91

23. V. V. Gafiychuk, B. K. Ostafiychuk, D. I. Popovych, I. D. Popovych, A. S. Serednytski. Appl. Surf. Sci., 257 (2011) 8396-8401

24. M. W. Zhu, N. Huang, J. Gong, B. Zhang, Z. J. Wang, C. Sun, X. Jiang. Appl. Phys. A, 103 (2011) 159-166

25. H. C. Hsu, C. S. Cheng, C. C. Chang, S. Yang, C. S. Chang, W. F. Hsieh. Nanotechnology, 16 (2005) 297-301

26. I. B. Olenych. Nanoscience and Nanoengineering, 4 (2016) 40-45

27. L. T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (1990) 1046-1048

28. X. L. Wu, G. G. Siu, C. L. Fu, H. C. Ong. Appl. Phys. Lett., 78 (2001) 2285-2287

29. J. H. Yang, J. H. Zheng, H. J. Zhai, L. L. Yang. Cryst. Res. Technol., 44 (2009) 87-91

30. M. B. Robinson, A. C. Dillon, D. R. Haynes, S. M. George. Appl. Phys. Lett., 61 (1992) 1414-1416

31. В. А. Киселев, С. В. Полисадин, А. В. Постников. ФТП, 31 (1997) 830-832 [V. A. Kiselev, S. V. Polisadin, A. V. Postnikov. Semiconductors, 31 (1997) 704-706]

32. И. Б. Оленич, Л. С. Монастырский, Б. П. Коман, А. П. Лучечко. Журн. прикл. спектр., 83 (2016) 126-130 [I. B. Olenych, L. S. Monastyrskii, B. P. Koman, A. P. Luchechko. J. Appl. Spectr., 83 (2016) 111-114]