Поглощение ИК-излучения в структурах Ti/(Si)/SiO2/Si3N4/n+-Si с островковым поверхностным слоем различной горизонтальной геометрии
Аннотация
С помощью теоретически рассчитанных спектров поглощения инфракрасного излучения в структурах Ti/SiO2/Si3N4/n+-Si с островковым поверхностным слоем показано, что с увеличением размеров островков n+-Si при неизменном периоде их размещения на поверхности максимум поглощения уширяется и сдвигается в область с большей длиной волны. Предполагается, что этот максимум связан с возбуждением плазмонных колебаний в поверхностном островковом слое. Показано, что структура с размером островков 3 мкм и периодом их размещения 6 мкм поглощает ~99 % падающего на нее излучения на длине волны, практически равной периоду (6.2 мкм). Другие полосы поглощения в спектральных диапазонах ~4 мкм и 9.0—9.5 мкм возникают независимо от размеров островков и связаны с поглощением в слое диоксида кремния. Установлено, что слой нелегированного кремния толщиной до 200 нм, расположенный между Ti-подложкой и слоем SiO2, незначительно уменьшает интенсивность и полуширину максимума плазмонного поглощения.
Ключевые слова
Для цитирования:
Мухаммад А.И., Гайдук П.И. Поглощение ИК-излучения в структурах Ti/(Si)/SiO2/Si3N4/n+-Si с островковым поверхностным слоем различной горизонтальной геометрии. Журнал прикладной спектроскопии. 2024;91(2):227-233.
For citation:
Mukhammad A.I., Gaiduk P.I. IR-Absorption in Ti/(Si)/SiO2/Si3N4/n+-Si Structures with an Island Surface Layer of Various Horizontal Geometries. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2024;91(2):227-233. (In Russ.)