Структурные, оптические и электрофизические свойства пленок La_0.13Bi_0.87FeO₃, полученных методом высокочастотного лазерного испарения в вакууме

   Методом высокочастотного импульсно-периодического f ~ 10—13 кГц воздействия лазерного излучения с длиной волны 1.064 мкм и плотностью мощности q = 57 МВт/см² на керамику La_0,13Bi_0,87FeO₃ при давлении в вакуумной камере p = 4.6 Па получены наноструктурированные тонкие пленки на кремниевой подложке. Изучена морфология тонких пленок La_0.13Bi_0.87FeO₃ с помощью атомно-силовой микроскопии. Получены спектры пропускания пленок в видимой, ближней и средней ИК-областях. Проведен анализ электрофизических свойств структуры La_0.13Bi_0.87Fe_O3/Si.

1. M. Fiebig. J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (2005) R123—R152

2. N. A. Hill. J. Phys. Chem. B, 104 (2000) 6694—6709

3. A. K. Chaudhuri. Mater. Res. Bull., 47, N 4 (2012) 1057—1061

4. X. Chen, H. Zhang, K. Ruan, W. Shi. J. Allow. Compd., 529 (2012) 108—112

5. V. V. Lazenka, A. F. Makoed Ravinski, I. I. Vanacken, J. G.Zhang, V. V. Moshchalko. J. Appl. Phys., 111 (2012) 123916

6. Burcu Ertuğ. Am. J. Eng. Res. (AJER), 2, N 8 (2013) 1—7

7. M. A. Ahmed, N. G. Imam, S. I. El-Dek, S. K. El-Mahy. J. Supercond. and Novel Magn., 28, N 8 (2015) 2417—2424

8. A. Zaman, A. Ali, M. Anas, M. Kamran, A. Sohail Khan, V. Tirth, J. Y. Al-Humaidi, A. Arabi, M. S. Refat, R. Ullah. ACS Omega, 8, N 14 (2023) 13222—13231

9. D. M. Smyth. Solid State Ionics, 129 (2000) 5—12

10. H. Sun, Z. Luo, L. Zhao, C. Liu, C. Ma, Y. Lin, G. Gao, Z. Chen, Z. Bao, X. Jin, Y. Yin, X. Li. ACS Appl. Electron. Mater., 2 (2020) 1081—1089

11. Y. M. Sheu, S. A. Trugman, J. Xiong, Y.-S. Park, S. Lee, H. T. Yi, S.-W. Cheong, Q. X. Jia, A. J. Taylor, R. P. Prasankumar. EPJ Web Conf., 41 (2013) 03018

12. В. А. Дыбов, Ю. Е. Калинин, А. А. Камынин, М. А. Каширин, В. А. Макагонов, А. Е. Никонов, Д. В. Сериков, А. В. Ситников. ЖТФ, 92, № 12 (2022) 1951—1958

13. Л. Я. Минько, А. Н. Чумаков, Н. А. Босак. Квант. электрон., 17, № 11 (1990) 1480—1484

14. Н. А. Босак, А. Н. Чумаков, А. А. Шевченок, Л. В. Баран, А. Г. Кароза, В. В. Малютина-Бронская, Т. Ф. Райченок, М. Г. Сугак. Журн. прикл. спектр., 87, № 5 (2020) 763—769

15. В. В. Малютина-Бронская, В. Б. Залесский, С. А. Сорока, О. В. Ермаков, О. А. Гребенщиков, Т. Р. Леонова. Сб. матер. 13-й Международной научно-технической конференции “Приборостроение-2020”, Минск, БНТУ (2020) 391

16. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15 (1966) 627—637

17. А. Н. Магунов, О. В. Лукин. Микроэлектроника, 25, № 2 (1996) 97—111

18. О. А. Голикова. УФН, 158, № 4 (1989) 581—604

19. Л. К. Букина, А. Ю. Кудзин, Г. Х. Соколянский, А. С. Юдин. ФТТ, 34, № 2 (1992) 461—465

20. A. G. Milnes, D. Feucht. Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions, New York City–London, Academic Press (1972)

21. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах, Москва, Мир (1973)

22. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, Москва, Мир (1977)

23. Е. А. Боброва, Н. М. Омельяновская. ФТП, 11, № 42 (2008) 1380—1383

24. В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, А. В. Павленко, Д. В. Стрюков, С. В. Бирюков, А. П. Ковтун, С. П. Зинченко. ФТТ, 60, № 9 (2018)