Люминесценция активированных ионами Tb³⁺ и Gd³⁺ боратов Sr₃Y(BO₃)₃

   Описан синтез и люминесцентные свойства бората Sr₃Y(BO₃)₃ семейства STACK. Трехвалентные активаторы Tb³⁺ и Gd³⁺ занимают сайты иттрия (Y). Благодаря фиксированным, хорошо разделенным позициям (расстояние Y-Y 7.396 Å) можно разместить большую концентрацию Gd³⁺, до 50 % по отношению к иттрию, не вызывая концентрационного тушения. В случае Gd³⁺ при f–f-переходах возникают как линии возбуждения, так и эмиссионные линии. Фотолюминесценция наблюдалась в УФ-области. В случае Tb³⁺ наблюдалось концентрационное тушение > 2 %. Выраженное возбуждение Tb³⁺ имеет форму полосы, возникающей при переходе типа f–d, тогда как излучение происходит при переходах f–f. Время жизни излучения составляет порядка миллисекунд, обычно это запрещенные f–f-переходы.

1. T. N. Khamaganova, N. M. Kuperman, Zh. G. Bazarova, Russ. J. Inorg. Chem., 41, 1100 (1998).

2. Kathleen I. Schaffers, Paul D. Thompson, Theodore Alekel, James R. Cox, Douglas A. Keszler, STACK Crystal Chem., Chem. Mater., 6, 2014–2022 (1994), doi: 10.1021/cm00047a022.

3. M. Maczka, A. Waskowska, A. Majchrowski, J. Kisielewski, W. Szyrski, J. Hanuza, J. Solid State Chem., 181 3211–3216 (2008), doi: 10.1016/j.jssc.2008.08.025.

4. Romain Gaume, Paul-Henri Haumesser, Elisabeth Antic-Fidancev, Pierre Porcher, Bruno Viana, Daniel Vivien, J. Alloys Compd., 341, 160–164 (2002), doi: 10.1016/S0925-8388(02)00058-0.

5. P. H. Haumesser, R. Gaume, Jean-Marie Benitez, B. Viana, B. Ferrand, G. P. Aka, D. Vivien, J. Cryst. Growth, 233, 233–242 (2001), doi: 10.1016/S0022-0248(01)01565-2.

6. P. H. Haumesser, R. Gaume, B. Viana, E. Antic-Fidancev, D. Vivien, J. Phys. Cond. Matter, 13, 5427–5447 (2001), doi: 10.1088/0953-8984/13/23/303. www.scopus.com.

7. Jianguo Pan, Zushu Hu, Zhoubin Lin, Guofu Wang, J. Crystal Growth, 260, 456–459 (2004), doi: 10.1016/j.jcrysgro.2003.08.057.

8. Xiangming Meng, Lizhen Zhang, Guofu Wang, J. Alloys Compd., 481, 354–357 (2009), doi: 10.1016/j.jallcom.2009.02.136.

9. Dan Zhao, Guofu Wang, J. Lumin., 130, 424–428 (2010), doi: 10.1016/j.jlumin.2009.10.007.

10. Tianhui Jiang, Yujin Chen, Xinghong Gong, Yanfu Lin, Jianhua Huanga, Zundu Luo, Yidong Huang, Opt. Mater., 91, 171–176, doi: 10.1016/j.optmat.2019.03.004.

11. R. Gaume, B. Viana, D. Vivien, J. P. Roger, D. Fournier, J. P. Souron, G. Wallez, S. Chenais, F. Balembois, P. Georges, Opt. Mater., 24, 385–392 (2003), doi: 10.1016/S0925-3467(03)00152-6.

12. Zishan Suna, Zhenpeng Zhua, Jiabao Luoa, Zhan-chao Wub, Liya Zhouc, Xinguo Zhanga, Cer. Int., 45, 22517–22522 (2019), doi: 10.1016/j.ceramint.2019.07.277.

13. Sheng Wu, Puxian Xiong, Xiaoqi Liu, Yubin Fu, Quan Liu, Yang Chao, Quan Dong, Yuanyuan Li, Weiwei Chen, Yan Chen, Zhijun Ma, Mingying Peng, J. Mater. Chem. C, 9, 3672–3681 (2021), doi: 10.1039/d0tc05960a.

14. Xiulan Wu, Jinle Zheng, Qiang Ren, Jianfeng Zhu, Yuhan Ren, Ou Hai, J. Alloys Compd., 805, 12–18 (2019), doi: 10.1016/j.jallcom.2019.07.061.

15. Dan Zhao, Zushu Hu, Zhoubin Lin, Guofu Wang, J. Crystal Growth, 277, 401–405 (2005), doi: 10.1016/j.jcrysgro.2005.01.081.

16. Jinle Zheng, Xiulan Wu, Qiang Ren, Wenni Baia, Yuhan Ren, Mengran Wang, Ou Hai, Opt. Laser Tech., 122, 105857 (2020), doi: 10.1016/j.optlastec.2019.105857.

17. Jinle Zheng, Xiulan Wu, Qiang Ren, Yuhan Ren, Ou Hai, Opt. Laser Tech., 123, 105900 (2020), doi: 10.1016/j.optlastec.2019.105900.

18. Rayko Simura, TatsushiYagi, Kazumasa Sugiyama, Takayuki Yanagida, Akira Yoshikawa, J. Crystal Growth, 362, 145–148 (2013), doi: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.086.

19. K. Momma, F. Izumi, J. Appl. Crystallogr., 44, 1272–1276 (2011), doi: 10.1107/S0021889811038970.

20. G. Blasse, Phys. Lett. A, 28, 444–445 (1968).

21. https://cdifx.univ-rennes1.fr/fps/fp_rennes.pdf, accessed on 11 December 2022.

22. http://faculty.iitr.ac.in/~krjt8fcy/gocie.html, accessed on 11 December 2022.