

Влияние типа металла и толщины слоeв на поглощение оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4
Аннотация
В спектрах поглощения оптического излучения структурами Si3N4/Me/Si3N4, рассчитанных методом конечных разностей во временной области, обнаружено влияние толщины структурных слоев на интенсивность и ширину полосы поглощения. Уменьшение суммарной толщины верхнего и нижнего слоев Si3N4 с 400 до 100 нм приводит к росту поглощения в среднем на 20 % и уширению полосы поглощения с интенсивностью >90 % с 0.8 до 1.6 мкм. Показано, что в спектре поглощения структуры Si3N4/Ti/Si3N4 с толщиной каждого слоя 50 нм ширина полосы поглощения с интенсивностью >90 % составляет 4.3 мкм. Уменьшение толщины профилированного слоя Ti от 130 до 50 нм приводит к незначительному снижению максимального значения поглощения с 99 до 96 %. Показано, что уширение полосы поглощения связано с влиянием толщины Si3N4 на интерференционные процессы в структурах Si3N4/Ti/Si3N4. Установлено, что зависимость интенсивности поглощения от типа металла в диапазоне 8.3—13 мкм может быть обусловлена зависимостью концентрации свободных электронов от типа металла.
Об авторах
С. В. КозодоевБеларусь
Минск
А. И. Мухаммад
Беларусь
Минск
В. В. Колос
Беларусь
Минск
П. И. Гайдук
Беларусь
Минск
Список литературы
1. Xiaochuan Lyu. Highlights Sci., Eng. and Technol., 27 (2022) 191—200
2. Amir Kazemi, Jan Andersson. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. and Eng., 51 (2013)
3. K. Nibir, Ravi Dat, K. Ashok. Optoelectronics – Adv. Materials and Devices. InTech, Ch. 7 (2013)
4. Niclas Roxhed, Frank Niklaus, Andreas Fischer, Fredrik Forsberg, Linda Höglund, Per Ericsson, Björn Samel, Anders Elfving, Tor Simonsen, K. Wang, Nils Hoivik. Proc. SPIE, 7726 (2010), doi: 10.1117/12.855752
5. A. Minhas, D. Bansal. Microsystem Technologies, 27, N 8 (2021) 3219—3223
6. Basak Kebapci, Ozgecan Dervisoglu, Enes Battal, Ali Okyay, Tayfun Akin. Proc. SPIE, 9070 (2014), doi: 10.1117/12.2069937
7. D. de Ceglia, M. A. Vincenti, M. Scalora, N. Akozbek, M. J. Bloemer. AIP Adv., 1 (2011) 032151
8. Y. Pang, C. Genet, T. W. Ebbesen. Opt. Commun., 280, N 1 (2007) 10—15
9. Erdem Aslan, Semih Korkmaz, Omer Saracoglu, Mustafa Turkmen. Opt. Sensors, SeM2C, 4 (2014)
10. Reinoud Wolffenbuttel, M. Ghaderi. Materials, 16 (2023) 4278
11. J. Li, J. Li, H. Zhou, G. Zhang, H. Liu, S. Wang, F. Yi. Opt. Express, 29, N 15 (2021) 22907—22921
12. O. Erturk, E. Battal, S. E. Kucuk, A. K. Okyay, T. Akin. Proc. SPIE, 8704, 87041E (2013)
13. R. D. R. Bhat, N. C. Panoiu, S. R. J. Brueck, R. M. Osgood, Jr. Opt. Express, 16 (2008) 4588—4596
14. A. Майер. Плазмоника: теория и приложения, Ижевск, НИЦ “Регулярная и хаотическая динамика” (2011)
15. J. B. Khurgin. Nature Nanotech., 10, N 1 (2015) 2—6
16. B. Gallinet, J. Butet, O. J. F. Martin. Laser Photon. Rev., 9, N 6 (2015) 577—603
17. Nanophotonic FDTD Simulation Software [Electronic resource], Lumerical FDTD – Mode of access, https://www.lumerical.com/products/fdtd, Date of access: 02.2024
18. E. D. Palik. Handbook of Optical Constants of Solids, 2, Academic Press (1985)
19. K. Luke, Y. Okawachi, M. R. E. Lamont, A. L. Gaeta, M. Lipson. Opt. Lett., 40, N 21 (2015) 4823—4826
20. А. Н. Матвеев. Электричество и магнетизм, Москва, Высшая школа (1983)
21. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела, 1, Москва, Мир (1979)
22. N. L. Dmitruk, V. R. Romanyuk, M. I. Taborskaya, S. Charnovych, S. Kokenyesi, N. V. Yurkovich. JETP Lett., 99, N 3 (2014) 129—132
Рецензия
Для цитирования:
Козодоев С.В., Мухаммад А.И., Колос В.В., Гайдук П.И. Влияние типа металла и толщины слоeв на поглощение оптического излучения профилированными структурами Si3N4/Me/Si3N4. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(2):187-192.
For citation:
Kozodoev S.V., Muhammad A.I., Kolos V.V., Gaiduk P.I. Influence of Metal Type and Layer Thickness on Absorption of Optical Radiation by Profiled Si3N4/Me/Si3N4 Structures. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2025;92(2):187-192. (In Russ.)