Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск

ИНФОРМАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИХ РЕГИСТРИРУЮЩИХ СРЕД ДЛЯ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОГО СПОСОБА ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ

Аннотация

Исследовано влияние галогенов в составе карбазолилсодержащих олигомеров на информационные свойства регистрирующих сред для фототермопластического способа записи голограмм. Обнаружено увеличение фоточувствительности таких сред при наличии в их составе галогенов. С использованием метода фотоактивированного электронного парамагнитного резонанса показано, что при наличии галогенов увеличивается время жизни фотогенерированных зарядовых пар. Это связывается с ростом вероятности фотогенерации зарядовых пар в триплетном состоянии для модифицированных олигомеров по сравнению с их аналогом. Предполагается, что модификация галогенами фотопроводящих полимеров - один из способов увеличения их фоточувствительности, в частности, для других практических применений (фотовольтаики, молекулярной электроники).

Об авторах

Н. А. Давиденко
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
01601, Киев, ул. Владимирская, 64/13


И. И. Давиденко
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
01601, Киев, ул. Владимирская, 64/13


Д. Г. Вишневский
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко


Е. В. Мокринская
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко


А. К. Мельник
Институт сорбции и проблем эндоэкологии НАН Украины
Украина
03164 Киев


В. В. Кравченко
Институт физико-органической химии и углехимии им. Л. М. Литвиненко НАН Украины
Украина
02160 Киев


В. Н. Овденко
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко


В. А. Павлов
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко


Н. Г. Чуприна
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко
Украина
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко


Список литературы

1. R. M. Schaffert. Electrophotography, New York, Wiley (1981)

2. N. A. Davidenko, Yu. P. Getmanchuk, E. V. Mokrinskaya, L. R. Kunitskaya, I. I. Davidenko, V. A. Pavlov, S. L. Studzinsky, N. G. Chuprina. Appl. Opt., 53, N 10 (2014) B242—B247

3. N. A. Davidenko, I. I. Davidenko, V. A. Pavlov, N. G. Chuprina, V. V. Kravchenko, N. N. Kuranda, E. V. Mokrinskaya, S. L. Studzinsly. Appl. Opt., 57, N 8 (2018) 1832—1837

4. N. Davidenko, H. Mahdi, X. Zheng, I. Davidenko, V. Pavlov, N. Kuranda, N. Chuprina, S. Studzinsky, A. Pandya, H. Karia, S. Tajouri, M. Dervenis, C. Gergely, A. Douplik. Proc. SPIE, 10612 (2018) 106120H

5. M. Nonnenmacher, M. P. O’Boyle, H. K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 58 (1991) 2921—2923

6. И. П. Жеребцов, Т. А. Сагаченко, В. П. Лопатинский. Изв. Томск. политех. ин-та, 163 (1970) 25—33

7. Н. А. Давиденко, А. А. Ищенко, Л. И. Костенко, Н. Г. Кувшинский, Д. Д. Мысык, Р. Д. Мысык. ФТП, 38, № 5 (2004) 610—615 [N. A. Davidenko, A. A. Ishchenko, L. I. Kostenko, N. G. Kuvshinsky, D. D. Mysyk, R. D. Mysyk. Semiconductors, 38, N 5 (2004) 588—593]

8. M. Pope, C. E. Swenberg. Electronic Processes in Organic Crystals, Clarendon Press, Oxford (1982)


Рецензия

Для цитирования:


Давиденко Н.А., Давиденко И.И., Вишневский Д.Г., Мокринская Е.В., Мельник А.К., Кравченко В.В., Овденко В.Н., Павлов В.А., Чуприна Н.Г. ИНФОРМАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИХ РЕГИСТРИРУЮЩИХ СРЕД ДЛЯ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОГО СПОСОБА ЗАПИСИ ГОЛОГРАММ. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(5):831-836.

For citation:


Davidenko N.A., Davidenko I.I., Vyshnevsky D.G., Mokrinskaya E.V., Melnyk A.K., Kravchenko V.V., Ovdenko V.N., Pavlov V.A., Chuprina N.G. INFORMATION PROPERTIES OF HALOGEN-CONTAINING MEDIA FOR PHOTOTERMOPLASTIC RECORDING OF HOLOGRAMS. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2019;86(5):831-836. (In Russ.)

Просмотров: 247


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 0514-7506 (Print)