Структурные и оптические характеристики гетероструктур SiC/Si, полученных методом быстрой вакуумно-термической карбидизации кремния

Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что быстрая вакуумнотермическая карбидизация кремния при 1100 °C приводит к формированию слоев кубического карбидa кремния (SiC). Полоса ИК-спектра пропускания при 798 см^–1, соответствующая валентному колебанию Si-C, и максимум спектра комбинационного рассеяния 793 см^–1, соотносимый с поперечной оптической фононной модой SiC, подтверждают формирование слоя кубического политипа SiC. Методом ИК-спектроскопии обнаружена полоса поглощения Si-O-Si 1100 см^–1. Определена зависимость коэффициента пропускания от волнового числа.

1. G. Ferro. Sol. State Mater. Sci., 40 (2015) 56—76, https://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/10408436.2014.940440

2. Wen-Rong Chang, Yean-Kuen Fang, Shyh-Fann Ting, Yong-Shiuan Tsair, Cheng-Nan Chang, Chun-Yu Lin, Shih-Fang Chen. IEEE Electron. Dev. Lett., 24, N 9 (2003) 565—567, https://ieeexplore.ieee.org/document/1224519

3. A. Aldalbahi, E. Li, M. Rivera, R. Velazquez, T. Altalhi, X. Peng, P. X. Feng. Sci. Rep., 6 (2016) 23457, https://www.nature.com/articles/srep23457

4. S. Ogawa, M. Okabe, Y. Ikeda, T. Itoh, N. Yoshida, S. Nonomura. Thin Solid Films, 516, N 5 (2008) 740—742, https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609007009935?via%3Dihub

5. D. Peftitsis, G. Tolstoy, A. Antonopoulos, J. Rabkowski, J. K. Lim, M. Bakowski, L. Anquist, H. P. Nee. IEEE Transact. Power Electron., 27 (2012) 28—36, https://ieeexplore.ieee.org/document/5770230

6. I. A. Skibarko, O. V. Milchanin, P. I. Gaiduk, F. F. Komarov. Inst. Phys. Conf. Ser., 166 (1999) 465—469, https://www.researchgate.net/publication/296464292_Structural_and_optical_properties_of_GaNSiCSi_heterostructures _grown_by_MBE

7. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов. ФТТ, 50, № 7 (2008) 1188—1195, http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/2699

8. Y. Chen, Y. Francescato, J. D. Caldwell, V. Giannini, T. W. W. Maß, O. J. Glembocki, F. J. Bezares, T. Taubner, R. Kasica, M. Hong, S. A. Maier. ACS Photon., 1 (2014) 718—724, https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ph500143u

9. P. I. Gaiduk, A. N. Larsen, J. L. Hansen, E. Wendler, W. Wesch. Physica B, 340–342 (2003) 813—817

10. L. A. Falkovsky, J. M. Bluet, J. Camassel. Phys. Rev. B, 57 (1998) 11283, https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.57.11283

11. F. A. Johnson. Proc. Phys. Soc., 73 (1959) 265, https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0370-1328/73/2/315

12. I. H. Campbell, P. M. Fauchet. Solid State Commun., 58 (1986) 739, https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/0038109886905132

13. В. В. Соболев, А. Н. Шестаков. ФТП, 34, № 4 (2000) 447—451, http://elibrary.lt/resursai/Uzsienio%20leidiniai/ioffe/ftp/2000/04/ftp3404_13.pdf

14. И. Г. Аксянов, М. Е. Компан, И. В. Кулькова. ФТТ, 52 (2009) 1724—1728, http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/1957

15. J. M. Ziman. Еlectrons and Phonons, Oxford, Clarendon Press (1960)

16. С. А. Грудинкин, В. Г. Голубев, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, С. А. Кукушкин. ФТТ, 57, № 12 (2015) 2469, http://labspt.ru/download/Grudinkin-Golubev-Osipov.pdf

17. T. P. Smirnova, A. M. Badalian, L. V. Yakovkina, V. V. Kaichev, V. I. Bukhtiyarov, A. N. Shmakov, I. P. Asanov, V. I. Rachlin, A. N. Fomina. Thin Solid Films, 429 (2003) 144—151, https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0040609003004085