Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск

СПЕКТРЫ НАРУШЕННОГО ПОЛНОГО ВНУТРЕННЕГО ОТРАЖЕНИЯ АЗОТИРОВАННЫХ СТРУКТУР SiO2/Si

Аннотация

Методами нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) и времяпролетной масс-спектрометрии вторичных ионов (TOF-SIMS) изучено поведение азота в пленках диоксида кремния на подложках монокристаллического кремния. Азот в диэлектрик, сформированный методом пирогенного окисления при температуре 850 oС в атмосфере влажного кислорода, вводился имплантацией ионов N+ энергией 40 кэВ дозами 2,5‧1014 и 1,0‧1015 см-2 с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1000 oС либо 1050 oС длительностью 15 с на воздухе. Азотирование части образцов осуществлялось при термическом отжиге в атмосфере азота с добавлением малого количества кислорода при температуре 1200 oС в течении 120 минут. Установлено, что при проведении термообработок основная часть атомов азота диффундирует к границе раздела SiО2/Si и накапливается в приграничной области оксида. В спектрах НПВО наблюдалась полоса поглощения с двумя максимумами при ~ 2320 и 2360 см-1, которая, вероятно, обусловлена колебаниями двойных кумулятивных связей типа О=Si=N−. Формирование данных связей обусловлено взаимодействием азота с оборванными связями на границе раздела кремний-диэлектрик, вследствие чего не скомпенсированные или напряженные связи заменяются на более устойчивые.

Об авторе

Владислав Савельевич Просолович
Белорусский государственный университет
Беларусь

заведующий научно-исследовательской лабораторией спектроскопии полупроводников кафедры физики полупроводников и наноэлектроники



Список литературы

1. B.J. Baliga. . Advanced power MOSFET concepts, Springer Science & Business Media, (2010)

2. В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, А.С. Турцевич, С.В. Шведов, В.А. Филипеня, В.В. Черный, В.Ю. Явид, Ю.Н. Янковский, В.А. Дубровский. Весці НАНБ, Сер. фіз.-тэх. навук., № 4. (2014) 4−17

3. J. A. Diniz, P. J. Tatsch, L. C. Kretly, J. E. C. Queiroz., Fo. J. Godoy. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 396 (1996) 249−254

4. L.S. Adam, C. Bowen, M.E. Law. IEEE Transactions on Electron Devices. 50, N 3 (2003)

5. –600

6. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. М., ТЕХНОСФЕРА.(2011)

7. M.Milosevic. M., Milosevic. John Wiley & Sons, 176 (2012) 244

8. Y. Nishi, R. Doering. Handbook of semiconductor manufacturing technology. Воса Raton: CRC press, (2008)

9. Д.И. Бринкевич, С.Д. Бринкевич, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович. Микроэлектроника, 50, № 4(2021)274−280 [D.I. Brinkevich, S.D. Brinkevich, A.N. Petlitsky, V.S. Prosolovich. Russian Microelectronics, 50, № 4(2021)239–245]

10. Д.И. Бринкевич, В.В. Петров. Журнал прикладной спектроскопии, 46, № 2(1987) 305−307

11. В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, J.L. Lindström, M. Suezawa. Физика и техника полупроводников, 34, вып. 9(2000)1039−1045

12. А.Г. Паулиш, А.К. Дмитриев, А.В. Гельфанд, С.М. Пыргаева. Автометрия, 55,

13. № 5(2019) 101−106

14. А.А. Намакшинас, О.Д. Хорозова, В.В. Сахаров. Успехи в химии и химической

15. технологии, 30, № 7(2016)74−76

16. Д.И. Бринкевич, В.Б. Оджаев, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович. Микроэлектроника, 40, № 4(2011) 309−312 [D.I. Brinkevich, V.B. Odzhaev, A.N. Petliskii, V.S. Prosolovich. Russian Microelectronics, 40, № 4(2011)290−293]

17. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, М., Мир, (1973)

18. В.И. Бачурин, П.А. Лепшин, В.К. Смирнов, А.Б. Чурилов. Письма в ЖТФ, 24, № 6 (1998) 18−23

19. Б.Н. Тарасевич. ИК спектры основных классов органических соединений. Справочные материалы, М., МГУ (2012)

20. Б.И. Селезнев, Д.Г. Федоров. Вестник Новгородского государственного университета, №5(103), (2017) 114–118

21. M.Tajima, T. Masui, T. Abe, T. Jap. J. Appl. Phys., 20, N 6 (1981)L423–L425

22. M.W. Qi, S.S. Tan, B. Zhu, P.X. Cai, W.F. Gu, X.M. Xu, T.S. Shi, D.L. Que, L.B. Li.

23. J. Appl. Phys., 69, N 6 (1991)3775–3777

24. Н.Н. Берченко, Ю.В. Медведев. Успехи химии, 63, № 8 (1994) 655–672

25. В.Б. Оджаев, А.К. Панфиленко, А.Н. Петлицкий, В.С. Просолович, Н.С.

26. Ковальчук, Я.А. Соловьев, В.А. Филипеня, Д.В. Шестовскийй. Журнал

27. Белорусского государственного университета. Физика, №3 (2020) 55–64

28. В.А. Гриценко. Успехи физических наук, 179, № 9 (2009) 921–930


Дополнительные файлы

1. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Скачать (1MB)    
Метаданные
2. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Скачать (2MB)    
Метаданные
3. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Скачать (4MB)    
Метаданные
4. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Скачать (1MB)    
Метаданные
5. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Посмотреть (356KB)    
Метаданные
6. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Посмотреть (254KB)    
Метаданные
7. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Посмотреть (191KB)    
Метаданные
8. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Посмотреть (107KB)    
Метаданные
9. Неозаглавлен
Тема
Тип Прочее
Посмотреть (229KB)    
Метаданные
10. Неозаглавлен
Тема
Тип Результаты исследования
Посмотреть (378KB)    
Метаданные

Рецензия

Для цитирования:


Просолович В.С. СПЕКТРЫ НАРУШЕННОГО ПОЛНОГО ВНУТРЕННЕГО ОТРАЖЕНИЯ АЗОТИРОВАННЫХ СТРУКТУР SiO2/Si. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(4).

Просмотров: 55


ISSN 0514-7506 (Print)