AUGER RECOMBINATION AND AMPLIFIED LUMINESCENCE IN InAsSb/InAsSbP-BASED LEDS AT TEMPERATURES OF 10-60 K
Abstract
The Varshni parameters of the dependence of the bandgap energy on temperature in the range of 10-313 K, as well as the temperature dependence of the spin-orbit splitting energy have been calculated on the basis of the experimental data obtained for the InAs0.88Sb0.12 active layer. It has been found that for LEDs based on the InAs0.88Sb0.12/InAsSbP heterostructures amplified luminescence is observed in the temperature range of 10-35 K. The sharp drop in the intensity of radiation of the InAsSb/InAsSbP LEDs at temperatures higher than 32 K is due to the intensive growth of the CHCC process of the Auger-recombination, while for temperatures below 35 K the CHSH process is the dominant Auger recombination process.
About the Authors
D. M. Kabanau
SSPA “Optics, Optoelectronics & Laser Technology”, National Academy of Sciences of Belarus
Russian Federation
Russian Federation
Y. V. Lebiadok
SSPA “Optics, Optoelectronics & Laser Technology”, National Academy of Sciences of Belarus
Russian Federation
Russian Federation
Yu. P. Yakovlev
Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences
Russian Federation
Russian Federation
References
1. А. С. Головин, А. А. Петухов, С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 37, № 11 (2011) 15-19
2. Harry T. Whelan, Ellen V. Buchmann, Noel T. Whelan, Scott G. Turner, Vita Cevenini, Helen Stinson, Ron Ignatius, Todd Martin, Joan Cwiklinski, Glenn A. Meyer, Brian Hodgson, Lisa Gould, Mary Kane, Gina Chen, James Caviness. Space Technology and Applications International Forum-2001, CP552, American Institute of Physics (2001) 35-45
3. Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев. ФТП, 49, № 7 (2015) 1003-1006
4. W. Lu, T. Zhang, S. M. He, B. Zhang, N. Li, S. S. Liu. Opt. Quant. Electron., 41 (2009) 883-893
5. V.G. Harutyunyan, K.M. Gambaryan, V.M. Aroutiounian, I.G. Harutyunyan. Infrared Phys. Technol., 70 (2015) 12-14
6. Sanjeev, P. Chakrabarti. Infrared Phys. Technol., 67 (2014) 382-386
7. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семаков, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров. ФТП, 51, № 2 (2017) 247-252
8. А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная, Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, Ю. П. Яковлев. ФТП, 42, № 2 (2008) 228-231
9. И. А. Вайнштейн, А. Ф. Зацепин, В. С. Кортов. ФТТ, 41, № 6 (1999) 994-998
10. В. Г. Талалаев, Б. В. Новиков, Г. Э. Цырклин, H. S. Leipner. ФТП, 49, № 11 (2015) 1531-1539
11. D. G. Chtchekine, G. D. Gilliland, Z. C. Feng, S. J. Chua, D. J. Wolford, S. E. Ralph, M. J. Schurman, I. Ferguson. MRS J. Nitride Semicond., 4S1 (1999) G6.47
12. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart. J. Appl. Phys., 86 (1999) 3721
13. K. J. Cheetham, A. Krier, I. P. Marko, A. Aldukhayel, S. J. Sweeney. Appl. Phys. Lett., 99 (2011) 141110
14. А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев. ЖТФ, 81, № 4 (2011) 91-96
15. Masumi Takeshima. Phys. Rev. B, 26-2 (1982) 917-930
16. Masumi Takeshima. J. Appl. Phys., 43 (1972) 4114
17. Masumi Takeshima. Phys. Rev. B, 25-8 (1982) 5390-5414
18. I. Vurgaftman, J. R. Meyer. Appl. Phys. Rev., 89 (2001) 5815-5875
19. A. Haug. J. Phys. C: Solid State Phys., 17 (1984) 6191-6197
20. C. R. Pidgeon, C. M. Ciesla, B. N. Murdin. Prog. Quantum Electron., 21-5 (1998) 361-419
21. A. Haug. J. Phys. Chem. Solids, 49-6 (1988) 599-605
22. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InAsSb
23. Landolt-Börnstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Group III: Condensed Matter. Vol. 44 Semiconductors, Subvolume C. New Data and Updates for III-V, II-VI, and I-VII Compounds, Ed. U. Rössler, Berlin, Springer-Verlag Heidelberg (2010)
24. P. T. Landsberg, M. S. Abrahams, M. Osinski. IEEE J. Quant. Electron., QE-21 (1985) 24
25. А. А. Афоненко, В. К. Кононенко, И. С. Манак, В. А. Шевцов. ФТП, 31, № 9 (1997) 1087-1091
26. В. П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, Наука и техника (1975)
27. M. S. Bresler, M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters, London, World Scientific, 2 (1999) 132-152
28. A. Miller, E. Garmire, A. Kost. Nonlinear Optics in Semiconductors. II, Academic, New York, 59 (1999) 70
Review
For citations:
Kabanau D.M., Lebiadok Y.V., Yakovlev Yu.P. AUGER RECOMBINATION AND AMPLIFIED LUMINESCENCE IN InAsSb/InAsSbP-BASED LEDS AT TEMPERATURES OF 10-60 K. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2017;84(5):786-793. (In Russ.)
Views: 358
Email this article 