Preview

Журнал прикладной спектроскопии

Расширенный поиск

ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ВЫРАЩЕННЫХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ГЕРМАНИЯ

Полный текст:

Аннотация

Методом жидкофазной эпитаксии с импульсным охлаждением подложки по двум структурным схемам выращены образцы наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками Ge в матрице GaP на Si-подложках. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 77 и 300 К при возбуждении лазерным излучением с λ = 4880 и 5145 Å. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения наноструктур с квантовыми точками. Выявлено, что для уменьшения безызлучательной рекомбинации в многослойных p-n-структурах необходимо создавать массивы квантовых точек в объеме p- и n-областей, а не в центральной части обедненного слоя p-n-перехода. Показано, что теоретические энергии для квантовых точек Ge рассчитанных размеров сопоставимы с энергией их максимумов фотолюминесценции.

Об авторах

И. И. Марончук
Севастопольский государственный университет
Россия


Д. Д. Саникович
Севастопольский государственный университет
Россия


А. А. Вельченко
Белорусский государственный аграрный технический университет
Россия


Список литературы

1. A. Nozik. Technology Review, March/April 2007, New York (2007) 49

2. J. M. Luther, M. C. Beard, Q. Song, M. Law, R. J. Ellingson, A. J. Nozik. NanoLett., 7, N 6 (2007) 1779-1784

3. Ж. И. Алферов. Физ. и техн. полупроводников, 32, № 1 (1998) 3-18

4. І. Є. Марончук, Т. Ф. Кулюткіна, І. І. Марончук. Спосіб вирощування єпітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, Патент України UA № 94699 Кл. С 30В 19/00, С 30В 29/00, Н 01L 21/20. замов. 20.09.2010; опубл. 10.06.2011, бюл. № 5

5. Н. Н. Леденцов. Физ. и техн. полупроводников, 32, № 4 (1998) 385-410

6. D. Dimova-Malinovska, K. Lovchinov, I. I. Maronchuk, I. Е. Maronchuk, D. D. Sanikovich. J. Phys.: Conf. Ser., 558 (2014) 012049

7. В. Г. Дубровский. Теория формирования эпитаксиальных структур, Москва, Физматлит (2009)

8. S. Y. Bykovsky, S. V. Bondarec, I. I. Maronchuk, A. A. Velchenko. TEKA, Polish Acad. Sci. UEER, 14, N 1 (2014) 154-163

9. D. Dimova-Malinovska, H. Nichev, I. I. Maronchuk, I. Е. Maronchuk, D. D. Sanikovich. J. Phys.: Conf. Ser., 700 (2016) 012043

10. A. J. Nozik, M. C. Beard, J. M. Luther, M. Law, R. J. Ellingson, J. C. Johnson. Chem. Rev., 110, N 11 (2010) 6873-6890


Для цитирования:


Марончук И.И., Саникович Д.Д., Вельченко А.А. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ВЫРАЩЕННЫХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ ГЕРМАНИЯ. Журнал прикладной спектроскопии. 2017;84(5):826-829.

For citation:


Maronchuk I.I., Sanikovich D.D., Velchenko A.A. PHOTOLUMINESCENCE OF NANOSTRUCTURES BASED ON GaP WITH QUANTUM DOTS OF Ge GROWN BY LIQUID-PHASE EPITAXY. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2017;84(5):826-829. (In Russ.)

Просмотров: 88


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 0514-7506 (Print)