|сгенерировать QR код
Открытый доступ
Только для подписчиков
Микроструктура и комбинационное рассеяние света пленок CdS, полученных методом химического осаждения
Аннотация
Исследованы кристаллографическая структура, элементный состав и морфология поверхности тонких пленок сульфида кадмия (CdS), полученных методом химического осаждения из водного раствора, содержащего NH4OH (25 %), 0.0096M CdSO4 и 0.8M CS(NH2)2, на стеклянные подложки, при Т = 62 ± 1 o С. Характеристики пленок получены на основе сканирующей электронной микроскопии, исследований фазового и элементного состава, а также спектров комбинационного рассеяния света. Показано, что выбранный состав раствора и режимы осаждения позволяют получать пленки CdS стехиометрического состава, сформированные нанокристаллами гексагональной модификации, пригодными для применения в фотопреобразователях солнечной энергии.
Ключевые слова
химическое осаждение,
CdS,
тонкая пленка,
микроструктура,
спектроскопия комбинационного рассеяния света
При поддержке: Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (грант № Т21АРМ-003) и комитета науки МОНКС Республики Армения (грант № 21SC-BRFFR-1C003), а также частично в рамках ГПНИ “Материаловедение, новые материалы и технологии”.
Об авторах
Е. П. Зарецкая
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
Минск
В. Ф. Гременок
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
Минск
К. П. Бускис
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
Минск
О. В. Королик
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
Минск
С. Т. Пашаян
Институт физических исследований НАН Армении;
Институт радиофизики и электроники НАН Армении
Армения
Армения
Аштарак
А. С. Toкмаджян
Институт радиофизики и электроники НАН Армении
Армения
Армения
Аштарак
А. С. Mусаелян
Институт радиофизики и электроники НАН Армении
Армения
Армения
Аштарак
С. Г. Петросян
Институт радиофизики и электроники НАН Армении
Армения
Армения
Аштарак
Список литературы
1. P. K. Nair, J. Campos, M. T. S. Nair. Semicond. Sci. Technol., 3 (1998) 134-145
2. J. B. Seon, S. Lee, J. M. Kim, H. D. Jeong. Chem. Mater., 21, N 4 (2009) 604-611
3. Y. Wang, S. Ramanathan, Q. Fan, Q. Yun, H. Morkoc, S. Bandyopadhyay. J. Nanosci. Nanotechnol., 6 (2006) 2077-2080
4. D. I. Klevin, R. Roth, A. K. I. Lim, A. P. Alivisators. Nature, 389 (1997) 699-701
5. J. Zhang, D. Li, R. Chen, Q. Xiong. Nature, 493 (2013) 504-508
6. A. A. Yadav, E. U. Masumdar. J. Alloys Compd., 509 (2011) 5394-5399
7. X. Mathew, J. P. Enriquez, A. Romeo, A. N. Tiwari. Sol. Energy, 77 (2004) 831-838
8. D. Wang, Z. Hou, Z. Bai. J. Mater. Res., 26 (2011) 697-705
9. J. Sterner, J. Malmstrom, L. Stolt, J. Malmström, L. Stolt. Prog. Photovolt. Res. Appl., 13 (2005) 179-193
10. A. Klein. J. Phys. Cond. Matter, 27 (2015) 134201(1-24)
11. H. Moualkia, S. Hariech, M. S. Aida, N. Attaf, E. L. Laifa. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, N 13 (2009) 135404 (7)
12. P. Jackson, D. Hariskos, R. Wuerz, O. Kiowski, A. Bauer, T.M. Friedlmeier, M. Powalla. Phys. Status Sol. Rapid Res. Lett., 9 (2015) 28-31
13. K. Shirai, Y. Moriguchi, M. Ichimura, A. Usami, M. Saji. Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) 2057-2060
14. B. E. Warren. X-ray Diffraction, Dover, New York (1990) 63-66
15. G. K. Williamson, R. E. Smallman. Philos. Mag., 1 (1956) 34-36
16. H.-R. Wenk, S. Matthies, L. Lutterotti. Mater. Sci. Forum, 157–162 (1994) 473-480
17. L. Lutterotti, S. Matthies, H.-R. Wenk, A. J. Schultz, J. Richardson. J. Appl. Phys., 81, N 2 (1997) 594-600
18. A. Ashok, G. Regmi, A. Romero-Núñez, M. Solis-López, S. Velumani, H. Castaneda. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 31, N 10 (2020) 7499-7518
19. D. L. Andrews, A. A. Demidov. An Introduction to Laser Spectroscopy, Springer Science+Business Media, LLC, Springer, Boston, MA (2002) 77-104
20. B. Tell, T. C. Damen, S. P. S. Porto. Phys. Rev., 144, N 2 (1966) 771-774
21. M. A. Nusimovici, M. Balkanski, J. L. Birman. Phys. Rev. B, 1 (1970) 595-603
22. V. Dzhagan, A. G. Milekhin, M. Ya. Valakh, S. Pedetti, M. Tessier, B. Dubertrete, D. R. T. Zahna. Nanoscale, 8 (2016) 17204-17212
23. R. K. K. Nanda, S. N. Sarangi, S. N. Sahu, S. K. Deb, S. N. Behera. Physica B, 262 (1999) 31-39
24. О. Zelaya-Angel, F. de L. Castillo-Alvarado, J. Avendailo-Lopez, A. Escamilla-Esquivel, G. Contreras-Puente, R. Lozada-Morales, G. Torres-Delgadod. Solid State Commun., 104, N 3 (1997) 161-166
25. V. M. Dzhagan, M. Y. Valakh, C. Himcinschi, A. G. Milekhin, D. Solonenko, N. A. Yeryukov, O. E. Raevskaya, O. L. Stroyuk, D. R. T. Zahn. J. Phys. Chem. C, 118, N 33 (2014) 19492-19497
26. T. T. K. Chi, G. Gouadec, Ph. Colomban, G. Wang, L. Mazerolles, N. Q. Liem. J. Raman Spectrosc., 42 (2011) 1007-1015
27. Muhammad Farooq Saleem, Hua Zhang, Yi Deng, Deliang Wang. J. Raman Spectrosc., 48, N 2 (2016) 224-229
28. R. Keshav, A. Rao, M. G. Mahesha. Opt. Quant. Electron., 50 (2018) 186(1-14)
29. V. F. Gremenok, K. P. Buskis, K. D. Kunin, M. S. Tivanov, L. S. Lyashenko, S. T. Pashayan, A. S. Musayelyan, A. S. Tokmajyan. Proc. X Int. Sci. Conf. “Actual Problems of Solids State Physics”, 22-26 May 2023, Minsk, Belarus, publ. A. Varaksin (2023) 106-109
Рецензия
Для цитирования:
Зарецкая Е.П., Гременок В.Ф., Бускис К.П., Королик О.В., Пашаян С.Т., Toкмаджян А.С., Mусаелян А.С., Петросян С.Г. Микроструктура и комбинационное рассеяние света пленок CdS, полученных методом химического осаждения. Журнал прикладной спектроскопии. 2024;91(1):32-38.
For citation:
Zaretskaya E.P., Gremenok V.P., Buskis K.P., Korolik O.V., Pashanyan S.T., Tokmajyan A.S., Musayelyan A.S., Petrosyan S.G. Microstructure and Raman Scattering of CdS Films Obtained with Chemical Deposition Method. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2024;91(1):32-38. (In Russ.)
Просмотров: 170
Послать статью по эл. почте 