УФ-спектроскопическое исследование реакции фотополимеризации при формировании оптически прозрачной полимерной среды

Причина возрастания прозрачности полимера, полученного в присутствии малой добавки молекулярного йода в жидкую фотополимеризующуюся композицию, удовлетворительно объясняется образованием комплекса с переносом заряда (КПЗ) π,σ-типа олигокарбонатдиметакрилата I₂. Полоса КПЗ (360 нм) поглощает значительную часть актиничного излучения, вследствие чего скорость фотолитического разложения фотоинициатора на начальной стадии полимеризации удовлетворяет условию выхода свободного объема из полимера в жидкую часть фотополимеризующейся композиции. На более глубоких стадиях реализуется процесс послойной фотополимеризации, что возможно в результате последовательного просветления тонких верхних слоев под воздействием света.

1. В. Н. Серова. Полимерные оптические материалы, Санкт-Петербург, Научные основы и технологии (2015)

2. В. М. Треушников, Е. А. Викторова. Современные технологии в медицине, 7, № 3 (2015) 149—171, doi: 10.17691/stm2015.7.3.20

3. О. Е. Наний. Lightwave. Rus. Ed., N 1 (2003) 48—52

4. Л. В. Левшин, А. М. Салецкий. Лазеры на основе сложных органических соединений, Москва, МГУ (1992)

5. K. Kurike, Y. Koike. Chem. Rev., 102, N 6 (2002) 2356—2374

6. Р. Хансперджер. Интегральная оптика. Теория и технология, Москва, Мир (1985)

7. V. M. Treushnikov, S. A. Chesnokov. J. Photochem. Photobiol. A, 196, N 10 (2008) 201—209

8. G. Pavlov, L. Snigireva, A. Snigirev, T. Sagdullin, M. Schmidt. Tech. Phys. Lett., 38, N 3 (2012) 251—253, doi: 10.1134/S1063785012030133

9. R. V. Garanin, N. V. Zhidkov, N. A. Suslov, G. A. Pavlov, V. V. Treushnikov, V. M. Treushnikov. Tech. Phys. Lett., 41, N 10 (2015) 977—980, doi: 10.1134/S1063785015100223

10. М. А. Лопатин, Г. В. Белышева, А. Н. Егорочкин, В. Д. Шелудяков, В. И. Жунь. Металлоорг. химия, 4, № 6 (1991) 1247—1251

11. Е. Н. Гурьянова, И. П. Гольдштейн, И. П. Ромм. Донорно-акцепторная связь, Москва, Химия (1973) 102—132

12. N. Kulevsky, G. J. Liu. Phys. Chem., 74, N 4 (1970) 751—753

13. В. М. Треушников, С. П. Молодняков, В. В. Семенов. Микроэлектроника, 47, № 1 (2018) 56, doi: 10.7868/S0544126918010064