

Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу
Аннотация
Для синтеза в приповерхностной области монокристалла кремния слоя узкозонного антимонида индия (InSb) проведена последовательная высокодозная имплантация кремния ионами In+ и Sb+ с энергией 30 кэВ и дозой 2 ∙ 1016 см–2. Отжиг имплантированных слоев Si:(In+Sb) в жидкофазном режиме проведен мощным импульсным (~100 нс) ионным пучком (C+/H+) с энергией 300 кэВ и плотностью энергии импульса 1.0 Дж/см2. Расчет суммарного глубинного профиля концентрации имплантированных атомов In и Sb с учетом распыления показал их максимальную концентрацию 40 ат.% на глубине ~20 нм. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ обнаружена сегрегация примесных атомов к поверхности Si в результате импульсного отжига. Спектры рентгеновской дифракции в скользящих лучах и комбинационного рассеяния света указывают на формирование фазы InSb с уровнем деформации растяжения 0.6—0.7 %. С помощью оптических ИК-спектров оценена концентрация электронов в слое 2 ∙ 1020 см–3 за счет донорной примеси Sb и показано образование интенсивной полосы поглощения при 3.85 мкм. Измерения фотоотклика на диодной меза-структуре при 300 К показали сдвиг края фоточувствительности до 1240 нм по сравнению с типовым Si-фотодиодом ФД-24.
Ключевые слова
Об авторах
Р. И. БаталовРоссия
Казань
В. В. Базаров
Россия
Казань
В. И. Нуждин
Россия
Казань
В. Ф. Валеев
Россия
Казань
Г. А. Новиков
Россия
Казань
В. А. Шустов
Россия
Казань
К. Н. Галкин
Россия
Владивосток
И. Б. Чистохин
Россия
Новосибирск
Ф. Ф. Комаров
Беларусь
Минск
О. В. Мильчанин
Беларусь
Минск
И. Н. Пархоменко
Беларусь
Минск
Список литературы
1. http://www.matprop.ru/
2. A. Rogalski. Rep. Progress Phys., 68 (2005) 2267—2336
3. A. L. Tchebotareva, J. L. Brebner, S. Roorda, S. W. White. Nucl. Instum. Meth. Phys. Res B, 175177 (2001) 187—192
4. S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115 (2014) 074306
5. L. Rebohle, R. Wutzler, S. Prucnal, R. Hubner, Y. M. Georgiev, A. Erbe, R. Bottger, M. Glaser, A. Lugstein, M. Helm, W. Skorupa. Phys. Status Solidi (с), 14 (2017) 1700188
6. M. A. Sortica, B. Canut, M. Hatori, J. F. Dias, N. Chauvin, O. Marty. Phys. Status Solidi (a), 212, N 12 (2015) 2686—2691
7. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mater. Sci. Eng. B, 178 (2013) 1169—1177
8. Ф. Ф. Комаров, И. А. Романов, Л. А. Власукова, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко, Т. Б. Ковалева, О. В. Королик, А. В. Мудрый, E. Wendler. Журн. прикл. спектр., 83, № 6 (2016) 906—912 [F. F. Komarov, I. A. Romanov, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin, I. N. Parkhomenko, T. B. Kovaleva, O. V. Korolik, A. V. Mudryi, E. Wendler. J. Appl. Spectr., 83, N 6 (2017) 959—964]
9. И. Б. Хайбуллин, Л. С. Смирнов. ФТП, 19, № 4 (1985) 569—591
10. R. M. Bayazitov, L. Kh. Zakirzyanova, I. B. Khaibullin, I. F. Isakov, A. F. Chachakov. Vacuum, 43, N 5—7 (1992) 619—622
11. R. Bayazitov, R. Batalov, R. Nurutdinov, V. Shustov, P. Gaiduk, I. Dezsi, E. Kotai. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 240 (2005) 224—228
12. A. L. Stepanov, R. I. Batalov, R. M. Bayazitov, A. M. Rogov. Vacuum, 182 (2020) 109724
13. G. E. Remnev, I. F. Isakov, M. S. Opekounov, G. I. Kotlyarevsky, V. L. Kutuzov, V. S. Lopatin, V. M. Matvienko, M. Yu. Ovsyagnikov, A. V. Potyomkin, V. A. Tarbokov. Surf. Coat. Technol., 96, N 1 (1997) 103—109
14. http://www.srim.org/
15. А. А. Ачкеев, Р. И. Хайбуллин, Л. Р. Тагиров, A. Mackova, V. Hnatowicz, N. Cherkashin. ФТТ, 53 (2011) 508—517
16. D. Recht, M. J. Smith, S. Charnvanichhborikarn, J. T. Sullivan, M. T. Winkler, J. Mathews, J. M. Warrender, T. Buonassisi, J. S. Williams, S. Gradecak, M. J. Aziz. J. Appl. Phys., 114 (2013) 124903
17. M. Wang, Y. Berencen, E. García-Hemme, S. Prucnal, R. Hubner, Y. Yuan, Ch. Xu, L. Rebohle, R. Bottger, R. Heller, H. Schneider, W. Skorupa, M. Helm, Sh. Zhou. Phys. Rev. Appl., 10 (2018) 024054
18. S. G. Pandya, M. E. Kordesch. Nanoscale Res. Lett., 10 (2015) 258
19. I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, A. G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. P. Popov. J. Lumin., 204 (2018) 656—662
20. S. Basu, B. J. Lee, Z. M. Zhang. J. Heat Transfer, 132 (2010) 023301
21. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках, Москва, Мир (1973) 104
22. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел, Москва, Иностр. лит. (1962) 184
23. M.-Ju. Sher, Yu-T. Lin, M. T. Winkler, E. Mazur, Ch. Pruner, A. Asenbaum. J. Appl. Phys., 113 (2013) 063520
Рецензия
Для цитирования:
Баталов Р.И., Базаров В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Новиков Г.А., Шустов В.А., Галкин К.Н., Чистохин И.Б., Комаров Ф.Ф., Мильчанин О.В., Пархоменко И.Н. Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному отжигу. Журнал прикладной спектроскопии. 2024;91(6):804-812.
For citation:
Batalov R.I., Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Novikov H.A., Shustov V.A., Galkin K.N., Chistokhin I.B., Komarov F.F., Milchanin O.V., Parkhomenko I.N. Structural, optical, and photoelectric properties of silicon implanted with indium and antimony ions and subjected to pulsed annealing. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2024;91(6):804-812. (In Russ.)