1. [1] M. Z. Iqbal, F. Wang, R. Hussain, M. Y. Rafique, S. Ali, I. Ali. Mater. Focus, 3 (2014) 1-6
2. [2] Y. Li, T. Cui, L. Zhang, Y. M. Ma, G. T. Zou. J. Phys.: Cond. Matter, 19, N 42 (2007) 425230(1-10)
3. [3] M. Ristić, M. Ivanda, S. Popović, S. Musić. J. Non Crystall. Solids, 303, N 2 (2002) 270-280
4. [4] C. Li, M. Zheng, X. H. Wang, L. Yao, L. Ma, W. Shen. Nanoscale Res. Lett., 6, N 1 (2011) 615(1-7)
5. [5] V. Ksenevich, V. Dorosinets, D. Adamchuk, J. Macutkevic, J. Banys. Materials, 13, N 23 (2020) 5415(1-14)
6. [6] M. Batzill, U. Diebold. Progress Surface Sci., 79 (2005) 47-154
7. [7] O. L. Bersirova, L. I. Bruk, A. I. Dikusar, M. I. Karaman, S. P. Sidel’nikova, A. V. Simashkevich, D. A. Sherban, Yu. S. Yapontseva. Surface Eng. Appl. Electrochem., 43, N 6 (2007) 443-452]
8. [8] V. F. Gromov, G. N. Gerasimov, T. V. Belysheva, L. I. Trakhtenberg. Ros. khim. zhurn., LII, № 5 (2008) 80-87 [V. F. Gromov, G. N. Gerasimov, T. V. Belysheva, L. I. Trakhtenberg. Russ. Chem. J., LII, N 5 (2008) 80-87 (in Russ.)]
9. [9] K. P. Bogdanov, D. Ts. Dimitrov, O. F. Lutskaya, Yu. M. Tairov. FTP, 32, № 10 (1998) 1158-1160 [K. P. Bogdanov, D. Ts. Dimitrov, O. F. Lutskaya, Yu. M. Tairov. Semiconductors, 32, N 10 (1998) 1033-1035]
10. [10] B. Yuliarto, G. Gumilar, N. L. W. Septiani. Adv. Mater. Sci. Eng., N 12 (2015) 694823(1-14)
11. [11] T. Oshima, T. Okuno, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys, 48 (2009) 120207(1-3)
12. [12] M. Alaf, D. Gultekin, H. Akbulut. Acta Phys. Polonica A, 123, N 2 (2013) 323-325
13. [13] Y. C. Lu, C. Ma, J. Alvarado, T. Kidera, N. Dimov, Y. S. Meng, S. Okada. J. Power Sources, 284 (2015) 287-295
14. [14] V. K. Ksenevich, D. V. Adamchuk, V. B. Odzhaev, P. Zhukowski. Acta Phys. Polonica A, 128, N 5 (2015) 861-863
15. [15] D. V. Adamchuck, V. K. Ksenevich. Devices and Methods of Measurements, 10, N 2 (2019) 138-150 (in Russ.)]
16. [16] D. V. Adamchuk, V. K. Ksenevich, N. A. Poklonski, M. Navickas, J. Banys. Lithuanian J. Phys., 59, N 4 (2019) 179-187
17. [17] D. V. Adamchuck, V. K. Ksenevich, N. A. Poklonski, A. I. Kavaleu. Proc. National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics, 56, N 1 (2020) 102-113 (in Russ.)]
18. [18] E. M. F. Vieira, J. P. B. Silva, K. Veltruská, V. Matolín, A. L. Pires, A. M. Pereira, M. J. M. Gomes, L. M. Goncalves. Nanotechnology, 30, N 43 (2019) 435502(1-22)
19. [19] A. Shanmugasundaram, P. Basak, L. Satyanarayana, S. V. Manorama. Sensors and Actuators B, 185 (2013) 265-273
20. [20] L. Li, C. Zhang, W. Chen. Nanoscale, 7, N 28 (2015) 12133-12142
21. [21] W. Zeng, Y. Liu, G. Chen, H. Zhan, J. Mei, N. Luo, Z. He, C. Tang. RSC Adv., 10, N 50 (2020) 29843-29854
22. [22] M. Saravanakumar, S. Agilan, N. Muthukumarasamy, V. Rukkumani. Int. J. Chem. Sci., 13, N 2 (2015) 605-612
23. [23] P. Boroojerdian. Int. J. Nanosci. Nanotechnol., 9, N 2 (2013) 95-100
24. [24] L. Sangaletti, L. E. Depero, B. Allieri, F. Pioselli, E. Comini, G. Sberveglieri, M. Zocchi. J. Mater. Res., 13, N 9 (1998) 2457-2460
25. [25] M. Khosravi-Nouri, N. Shahtahmassebi, E. Attaran-Kakhki, G. Zohuri. Mater. Phys. Mech., 17 (2013) 29-32
26. [26] Y. Q. Guo, R. Q. Tan, X. Li, J. H. Zhao, Z. L. Luo, C. Gao, W. J. Song. Cryst. Eng. Comm., 13 (2011) 5677-5680
27. [27] B. Eifert, M. Becker, C. T. Reindl, M. Giar, L. Zheng, A. Polity, Y. He, C. Heiliger, P. J. Klar. Phys. Rev. Mater., 1, N 1 (2017) 014602(1-6)
28. [28] C. Guillén, J. Herrero. J. Mater. Sci. Tech., 35, N 8 (2019) 1706-1711
29. [29] D. Tuschel. Spectroscopy, 33, N 12 (2018) 12-19
30. [30] V. I. Kondrashin. Technical Science. Electronics, Measuring and Radio Engineering, 2, N 38 (2016) 93-101 (in Russ.)]
31. [31] V. V. Brus, Z. D. Kovalyuk, P. D. Maryanchuk. Tech. Phys., 57 (2012) 1148-1151]
32. [32] V. V. Brus, M. N. Solovan, E. V. Maistruk, I. P. Kozyarskii, P. D. Maryanchuk, K. S. Ulyanytsky, J. Rappich. Phys. Solid State, 56 (2014) 1947-1951]
33. [33] D. L. Wood, J. Tauc. Phys. Rev. B, 5 (1972) 3144-3151
34. [34] J. Klein, L. Kampermann, B. Mockenhaupt, M. Behrens, J. Strunk, G. Bacher. Adv. Func. Mater., 33 (2023) 2304523(1-19)