

Спектры фотолюминесценции дефектов упаковки в кристаллах 4H-SiC
Аннотация
Исследованы монокристаллические пластинки 4H-SiC компании Cree методом неразрушающей фотолюминесценции высокого разрешения при комнатной температуре с целью экспериментального исследования возле края зоны (NBE) фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки. Обнаружено вклад фотолюминесценции дефектов упаковки в спектр фотолюминесценции исходных карбида кремния 4H-SiC позволяет оценивать качества подложек. Экспериментальный спектр фотолюминесценции 4H-SiC подчиняются Лоренцовскому распределению. Электрон-фононное взаимодействие приводит к значительной взаимной зависимости интенсивностей межзонной (band to band) и NBE фотолюминесценции и фотолюминесценции дефектов упаковки.
Об авторах
Б. Г. АтабаевУзбекистан
Ташкент
Х. Н. Жураев
Узбекистан
Ташкент
З. Ш. Шаймарданов
Узбекистан
Ташкент
Р. Р. Жалолов
Узбекистан
Ташкент
Ш. З. Уролов
Узбекистан
Ташкент
Список литературы
1. S.-M. Koo, Q. Li, M. D. Edelstein, C. A. Richter, E. M. Vogel. Nano Lett., 5, N 12 (2005) 2519—2523, https://doi.org/10.1021/nl051855i
2. J. B. Casady, R. W. Johnson. Solid-State Electron., 39 (1996) 1409—1422, https://doi.org/10.1016/00381101(96)00045-7
3. K. N. Zhuraev, A. Yusupov, A. G. Gulyamov, M. U. Khazhiev, D. Sh. Saidov, N. B. Adilov. J. Eng. Phys. Thermophys., 93 (2020) 1036—1041, https://doi.org/10.1007/s10891-020-02205-5
4. Muthu B. J. Wijesundara. Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments, Springer Science+Business Media, LLC (2011), https://doi.org/10.1007/978-1-4419-7121-0
5. I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak. Adv. Cond. Matter Phys., 2017 (2017) 7820676, https://doi.org/10.1155/2017/7820676
6. K. Maeda, K. Suzuki, M. Ichihara. Microsc. Microanal. Microstruct., 4 (1993) 211, https://doi.org/10.1051/mmm:0199300402-3021100
7. N. Thierry-Jebali, C. Kawahara, T. Miyazawa, H. Tsuchida, T. Kimoto. AIP Adv., 5 (2015) 037121, https://doi.org/10.1063/1.4915128
8. C. Hallin, A. O. Konstantinov, B. Pécz, O. Kordina, E. Janzén. Diamond Rel. Mater., 6 (1997) 1297, https://doi.org/10.1016/S0925-9635(97)00083-6
9. S. I. Maximenko, J. A. Freitas, Y. N. Picard, P. B. Klein, R. L. Myers-Ward, K. K. Lew, P. G. Muzykov, D. K. Gaskill, C. R. Eddy, T. S. Sudarshan. Mater. Sci. Forum, 645-648 (2010) 211, https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.211
10. E. B. Yakimov, G. Regula, B. Pichaud. J. Appl. Phys., 114 (2013) 084903, https://doi.org/10.1063/1.4818306
11. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, N. V. Seredova, D. Yu. Kazantsev, V. V. Kozlovski. J. Phys. D: Appl. Phys., 48 (2015) 485106, https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/48/485106
12. H. F. Xiong, X. S. Lu, X. Gao, Y. C. Yan, S. Liu, L. H. Song, D. R. Yang, X. D. Pi. J. Semicond., 45, N 7 (2024) 072502, https://doi.org/10.1088/1674-4926/23090024
13. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshtein, A. E. Ivanov, K. S. Davydovskaya. Solid-State Electron., 181-182 (2021) 108009, https://doi.org/10.1016/j.sse.2021.108009
14. Y. Zhang, K. Wang, H. Wang, Y. Tian, Y. Wang, J. Li, Y. Chai. Журн. прикл. спектр., 87, № 6 (2020) 891—896 [Y. Zhang, K. Wang, H. Wang, Y. Tian, Y. Wang, J. Li, Y. Chai. J. Appl. Spectr., 87 (2021) 1023—1028], https://doi.org/10.1007/s10812-021-01104-8
15. I. G. Atabaev, C. C. Tin, B. G. Atabaev, T. M. Saliev, E. N. Bakhranov, N. A. Matchanov, S. L. Lutpullaev, J. Zhang, N. G. Saidkhanova, F. R. Yuzikaeva, I. Nuritdinov, A. K. Islomov, M. Z. Amanov, R., A. Kumta. Mater. Sci. Forum, 600-603 (2009) 457, https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.457
16. Xia Liu, Lianzhen Cao, Hang Song, Hong Jiang. Phys. E: Low-Dim. Syst. Nanostructures, 61 (2014) 167—170, https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.03.029
17. S. El Hageali, H. Guthrey, S. Johnston, J. Soto, B. Odekirk, B. Gorman, M. Al-Jassim. J. Appl. Phys., 131, N 18 (2022) 185705, https://doi.org/10.1063/5.0088313
18. G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 92 (2008) 221906, https://doi.org/10.1063/1.2937097
19. S. I. Maximenko, J. A. Freitas, P. B. Klein, A. Shrivastava, T. S. Sudarshan. Appl. Phys. Lett., 94, N 9 (2009) 092101, https://doi.org/10.1063/1.3089231
20. G. Feng, J. Suda, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 94, N 9 (2009) 091910, https://doi.org/10.1063/1.3095508
21. A. Meli, A. Muoio, A. Trotta, L. Meda, M. Parisi, F. La Via. Materials, 14 (2021) 976, https://doi.org/10.3390/ma14040976
22. M. Na, W. Bahng, H. Jung, C. Oh, D. Jang, S.-K. Hong. Appl. Phys. Lett., 124 (2024) 152109, https://doi.org/10.1063/5.0198216
23. G. Regula, E. B. Yakimov. Superlattices Microstruct., 99 (2016) 226—230
24. V. I. Orlov, G. Regula, E. B. Yakimov. Acta Mater., 139 (2017) 155—162, https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.07.046
25. В. И. Oрлов, Б. Б. Якимов. Поверхность, 11, N 2 (2017) 60—63 [V. I. Orlov, E. B. Yakimov. J. Surf. Investig., 11 (2017) 234—237], https://doi.org/10.1134/S1027451016050578
26. E. B. Yakimov, E. E. Yakimov, V. I. Orlov, D. Gogova. Superlattices Microstruct., 120 (2018) 7—14, https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.05.014
27. V. I. Orlov, E. E. Yakimov, E. B. Yakimov. Phys. Status Solidi а, 216 (2019) 1900151, https://doi.org/10.1002/pssa.201900151
28. E. E. Yakimov, E. B. Yakimov. J. Alloys Compd., 837 (2020) 155470, https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.155470
Дополнительные файлы
Рецензия
Для цитирования:
Атабаев Б.Г., Жураев Х.Н., Шаймарданов З.Ш., Жалолов Р.Р., Уролов Ш.З. Спектры фотолюминесценции дефектов упаковки в кристаллах 4H-SiC. Журнал прикладной спектроскопии. 2025;92(5):582-587.
For citation:
Atabaev B.G., Juraev Kh.N., Shaymardanov Z.Sh., Jalolov R.R., Urolov Sh.Z. Photoluminescence Spectra of Stacking Defects in 4H-SiC Crystals. Zhurnal Prikladnoii Spektroskopii. 2025;92(5):582-587. (In Russ.)